修改磁性隧道结转换场特性的方法技术

通过形成钉扎层和传感层（２０６和２１０）；并重新设置至少一层的磁化向量（２２０），来制造磁性隧道结。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及信息存储设备，更具体地说，是涉及包含磁性隧道结的存储设备。
技术介绍
典型的磁随机存取存储器(“MRAM”)包含了一个存储单元阵列，沿着存储单元的行延伸的字线，沿着存储单元的列延伸的位线。每个存储单元位于字线和位线的交点上。MRAM的存储单元可基于磁性隧道结(“MTJs”)，例如与自旋相关的隧道(“SDT”)结。典型的SDT结包含一个钉扎层、一个传感层以及夹在中间的绝缘隧道阻挡层。钉扎层有一个固定的磁化向量，可以在关注范围内的外加磁场存在时防止发生旋转。传感层有一个磁化向量，可以有以下两个取向与钉扎层磁化向量相同，或与钉扎层磁化向量相反。如果钉扎层与感应层磁化向量方向相同，SDT结的取向就称做“平行”；如果钉扎层与感应层磁化向量方向相反，SDT结的取向就称做“反向平行”。这两种稳定的取向，平行和反向平行，代表逻辑值“0”和“1”。该磁化取向又影响SDT结的电阻。SDT结的电阻在磁化取向为平行时为第一值，在磁化取向为反向平行时为第二值。因此，通过检测SDT结的电阻状态，可读出SDT结的磁化取向以及逻辑值。通过将磁性存储单元层堆积成堆栈，然后将堆栈组合成存储部件，来制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法包括：形成一种包含钉扎层和传感层（２０６和２１０）的磁性隧道结；和重新设置至少一层的磁化向量（２２０）。

【技术特征摘要】
US 2001-10-4 09/9713471.一种方法包括形成一种包含钉扎层和传感层(206和210)的磁性隧道结；和重新设置至少一层的磁化向量(220)。2.如权利要求1的方法，其中通过在对结进行退火时，在一个关注的方向加一个磁场，来重新设置磁化向量。3.如权利要求1的方法，其中通过在高于钉扎层的阻塞温度进行退火时，同时在钉扎层关注方向外加磁场，来重新设置钉扎层的磁化向量。4.如权利要求1的方法，其中通过将结加热高于使传感层易轴旋转的阈值温度，同时在传感层关注方向外加磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：T安东尼，L特兰，M沙马，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]