在信息存储装置的存储单元的读操作期间检测放大器对选择的位线施加一个操作电位，并对未选择的线的子组施加相等的电位。但是，在选择的存储单元的电阻状态被检测之前，检测放大器的输入被强迫到一个已知的一致的条件。借助于把检测放大器的输入上拉到阵列...

通过加热存储元件（１０）并把至少一种磁场（Ｈｘ，Ｈｙ）加到存储元件（１０）上，在磁存储元件（１０）上进行写操作。

本发明以一种新的存储器单元读出方案（系统和方法）为特征，其使一个存储器单元的状态以更高的精度被加以确定。在一个方面，本发明的特征在于一种存储器单元读出方案，其中一个存储器单元被寻址，在一数值范围内的一个输入信号施加到该被寻址的存储器单元...

一个用于记录、寻址和读取数据的电可寻址设备，包括一个具有多个数据存储介质层的存储器阵列单元，每一层被安置在一个基底上；和与存储介质的至少一层有关以提供一个显示指示预选信息的电标记设备。该电子标记设备包括至少一个显示层，所述显示层可以部分...

一种具有读－写导体的磁性存储器单元，读－写导体用在运行中固定的软铁磁体参考层的高导磁率软磁材料完全包封。磁性存储器单元包括铁磁体数据层、在铁磁体数据层上形成的中间层、在中间层上形成的具有非固定磁化定向的软铁磁体参考层。软铁磁体参考层包括...

存储装置（８）的输入／输出（Ｉ／Ｏ）电路（２４）执行Ｉ／Ｏ和存储用于回写的数据。回写数据可用于破坏性读操作。该Ｉ／Ｏ电路（２４）还可以被配置成执行数据平衡、写核验以及内部自检（ＢＩＳＴ）。

一种方法和装置，用于减少存储模块和接口电路之间的互连的数量，它包括具有多个存储器层和一个寻址电路的存储模块，其中，存储器层是作为存储元件阵列的层而形成的。此外，多个存储器层中的每一个均包括存储器阵列电路和调制电路。存储器阵列电路是交叉点...

根据本发明的原理，提供了一个用于寻址一个交叉点存储器阵列的寻址电路，其中该存储器阵列具有这样布置的第一和第二组电极，以便使在第一组中的每个电极和在第二组中的每个电极交叉，并且在第一和第二组电极的每个交叉点处形成一个相应的存储单元。寻址电...

一种方法（４００）和电路（３００）写一个存储单元（２１０）。该方法（４００）将一脉冲串（３７０）加到已连接到该存储单元（２１０）的写线上。不预定在脉冲串（３７０）中的脉冲的数目。该方法（４００）将在存储单元（２１０）的输入侧上的值与参考...

根据本发明的原理，提供了用于寻址一个交叉点存储器阵列，该阵列具有来自于第一和第二组地址线的第一和第二组电极。该寻址电路具有在所述第一组地址线和所述第一组存储器阵列电极之间的第一二极管连接，其中第一二极管连接把第一组中的每个存储器阵列电极...

存储设备包括存储单元的一个存储器阵列，和交叉的字线和位线。在阵列的一端，一组读／写选择开关有选择地耦合位线到列写入电流源和参考电势电压。一组读出放大器选择开关有选择地耦合位线到一个读出放大器，它也处于参考电势电压。可以闭合读出放大器选择...

固态存储器装置（４１０）的一级（４１２）包括主存储器（１０）和地址逻辑（１２，１４）。此地址逻辑（１２，１４）包括第一和第二组地址元件（２６ａ，２６ｂ）。第一组地址元件（２６ｂ）的载流能力大于第二组地址元件（２６ａ）的载流能力。在编程期...

一种方法（４００）和电路（３００）写一个存储单元（２１０）。该方法（４００）将一个脉冲（３７０、３８０）加到一条连接到该存储单元（２１０）的写线上。该脉冲（３７０、３８０）的持续时间不是预定的。该方法（４００）将在存储单元（２１０）的输...

一种一次性可编程（“ＯＴＰ”）存储器包含一个或多个相互紧接着堆积的存储阵列（７００）。ＯＴＰ存储阵列（７００）是一种交叉点阵列，其中单位存储单元（７９０）在交叉点形成。单位存储单元（７９０）可以包含相互串联的熔丝（２３０，３３０）和抗熔...

一种复用器（１０）包括多个级（１１０）。每一级（１１０）包括一存储器件（１１４）与一数据输出（Ｑ＃－［ｎ］）耦接；一第一二极管（１１６）耦接在数据输入（Ｄ＃－［ｎ］）和电源输入（Ｐ＃－［ｎ］）之间；以及一第二二极管（１１８）耦接在电源输...

一种存储器件（１０）包括其磁隧道结（１３４，２３４，３３４）与隧道结（１３６，２３６，３３６）串联的双隧道结存储单元（１３０，２３０，３３０）。磁隧道结（１３４，２３４，３３４）在写入操作时可以从第一电阻状态改变为第二电阻状态。磁隧道结...

这里描述了一种包括一个新颖的阻性交叉点存储单元阵列（１２）的数据存储设备（１０）以及制造数据存储设备（１０）的方法。阻性交叉点存储单元阵列（１２）利用具有实用的尺寸和电流密度特性的隔离二极管（２８），允许高密度制造和高速操作。另外，数据...

一种方法涉及使用一个覆盖Ｌ个存储器线和ｎ个地址线的地址配置序列。所述方法包括形成Ｌ块（９１０）。将每块的最高有效列以所述序列填充，使得每块的最高有效列包含相同的未移位序列（９１２）。将每块的最低有效列以所述序列填充，使得各块的最低有效列...

一种存储器件（５０），包括： 存储阵列（１００），包括： 一个基片； 一个阵列（１００）的存储单元（１３０），安置在该基片上； 许多连接到这些存储单元（１３０）的第一导线（１１０）和许多连接到这些存储单元（１３０...

一种数据存储器件（６１０），包括： 磁性存储单元（１０）的阵列（６１２），每个存储单元（１０）包括数据铁磁层（１２）和基准铁磁层（１４）； 在第一方向中延伸的多个第一导电条（６１４），每个第一导电条（６１４）接触一组数据层（...