包含阻塞寄生路径电流的共享设备的交叉点存储器阵列制造技术

一种信息存储设备（８），包括一个存储器元件（１２）的电阻交叉点阵列（１０）和很多用于在读操作期间阻塞阵列（１０）中的寄生路径电流的设备（２２，２２２）。每个阻塞设备（２２，２２２）连接到阵列中的一组存储器元件（１０）并为其共享。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及信息存储设备。本专利技术更特别涉及包括电阻交叉点存储器单元阵列的数据存储设备。
技术介绍
看一个磁性随机访问存储器(MRAM)设备的例子，它包括一个自旋相关隧道(SDT)连接的电阻交叉点阵列，沿着SDT连接行方向延伸的字线和沿着SDT连接列方向延伸的位线。每个SDT连接位于一条字线和一条位线的交叉点上。每个SDT连接的磁化方向在任意给定时刻为两个稳定方向中的一个。同向和反向这两个稳定方向代表逻辑值“0”和“1”。磁化方向又影响SDT连接的阻抗。如果磁化方向是同向的，SDT连接的阻抗是第一个值(R)，如果磁化方向是反向的，SDT连接的阻抗是第二个值(R+ΔR)。因此，SDT连接的磁化方向及其逻辑值可以通过检测其阻抗状态来读取。对电阻交叉点阵列中单个SDT连接的阻抗状态进行检测是不可靠的。阵列中的所有SDT连接通过很多并联路径连接在一起。在一个交叉点测到的阻抗等于与其它行和列中SDT连接的阻抗并联的交叉点处的SDT连接的阻抗。此外，如果检测到的SDT连接由于已存储的磁化方向而有不同的阻抗状态，那么会形成一个小的差分电压。这个小差分电压会引起寄生或“寄生路径”电流。寄生电流会干扰对阻抗状态的检测。图1中举例说明了寄生电流。选定的SDT连接由第一个电阻12a表示，未选定的SDT连接由第二、三、四个电阻12b、12c、12d表示。选定的SDT连接落在选定的字线14和位线16的交叉点上。第二个电阻12b表示沿着选定位线16的未选定SDT连接，第三个电阻12c表示沿着未选定字线14的未选定SDT连接，第四个电阻12d表示其余的SDT连接。如果，比如说，所有的SDT连接12有一个大约为R的额定电阻，阵列有n行，m列，那么第二个电阻12b的电阻大约为R/(n-1)，第三个电阻12c的电阻大约为R/(m-1)，第四个电阻12d的电阻大约为R/[(n-1)(m-1)]。在读操作期间，通过将选定的位线16加上运行电压Vs，将选定的字线14加上地电压，可以选择第一个电阻12a。因此，检测电流Is流经第一个电阻12a。但是，第二、三、四个电阻12b、12c、12d也连接在运行电压Vs和地电压之间；因此，第二、三、四个电阻12b、12c、12d会流过寄生路径电流S1、S2、S3。此外，第二、三、四个电阻12b、12c、12d的阻抗远远小于选定(第一个)电阻12a的阻抗；因此，寄生路径电流S1、S2、S3远远大于检测电流Is。这样的寄生路径电流S1、S2、S3会在对选定SDT连接进行读操作期间使检测电流Is变得不确切。我们需要可靠的检测到MRAM设备中存储器元件的阻抗状态，更一般的是需要可靠的检测到电阻交叉点存储器单元阵列中的存储器元件的阻抗状态。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，随机访问存储器设备包括一个存储器元件的电阻交叉点阵列和一个连接到存储器元件上的寄生路径阻塞设备。阻塞设备由一组存储器元件组共享。通过下面的详细描述会清楚的说明本专利技术的其它方面和优点，详述将结合附图，以举例的方式来说明本专利技术的原理。附图说明图1举例说明了根据现有技术的电阻交叉点阵列中的“寄生路径”电流。图2简要说明了一个共享二极管交叉点存储器阵列。图3说明了阵列中存储器元件的磁化方向。图4说明了为第一类读操作配置的存储器阵列。图5说明了为第二类读操作配置的存储器阵列。图6是第一共享二极管配置的横断面视图。图7是第二共享二极管配置的横断面视图。图8说明了包层使用磁性材料的导线，用于增强由写电流引起的磁场。图9说明了包括多个共享二极管交叉点存储器阵列平面的芯片。图10简要说明了共享晶体管交叉点存储器阵列。具体实施例方式如附图中为说明而给出的，本专利技术概括在一个MRAM设备中，包括一个存储器元件的电阻交叉点阵列和很多能够在读操作中阻塞阵列中寄生路径电流的设备(例如二极管、晶体管)。这些阻塞设备由多个存储器元件共享。对于存储器元件来说，共享阻塞设备比单独阻塞设备提供了更为有效的电路板设计。共享阻塞设备还提供了更高的电流容量。请参看图2，MRAM设备8包括一个存储器元件12的电阻交叉点阵列10。存储器元件12以行或列的方式排列，行沿着y方向伸展，列沿着x方向伸展。为了简要描述设备8，只给出了相对少量的存储器元件12。实际上可以使用任意大小的阵列。作用为字线14的迹线沿着x方向伸展，位于阵列10一侧的平面上。作用为位线16的迹线沿着y方向伸展，位于阵列10另一侧的平面上。阵列10的每行会有一个字线14，阵列10的每列会有一个位线16。每个存储器元件12位于字线14和位线16的交叉点处。存储器元件12可以是SDT连接或其它类型的磁性隧道连接。如果每个SDT连接的磁化方向是同向的，那么其阻抗是第一个值(R)，如果其磁化方向是反向的，那么其阻抗是第二个值(R+ΔR)。请参看图3，磁性隧道连接包括固定层12a和自由层12b，两层由隔离隧道层12c分开。固定层12a被磁化，磁化方向在固定层12a平面内，但却是固定的，不会因在感兴趣范围内存在外加的磁场而改变。自由层12b的磁化方向为自由层12b平面中两个方向中的任意一个。如果固定层12a和自由层12b的磁化方向相同，那么方向是同向的。如果固定层12a和自由层12b的磁化方向不同，那么方向是反向的。隔离隧道层12c使得在固定层12a和自由层12b之间产生量子力学隧道。这种隧道现象是电子自旋相关的，使得磁性隧道连接的阻抗是固定层12a和自由层12b磁化方向的函数。现在回到图2，MRAM设备8还包括一个行解码器18，用于在读取和写入操作期间选择字线14。MRAM设备8还包括一个列解码器19和相连的读/写电路20。读/写电路20在读操作期间检测所选存储器元件12的阻抗，在写操作期间确定所选存储器元件10的磁化方向。MRAM设备8还包括很多连接到存储器元件的二极管22。每个二极管22由一组存储器元件12共享。图2恰巧显示了每个二极管22由一组三个的存储器元件12共享。但是，每组存储器元件12的数目却不限于此每组可以有多于或少于三个的存储器元件12。读/写电路20包括多组检测放大器24。每组检测放大器24的数量对应于每组存储器元件12的数量。例如，三个检测放大器24对应于三个存储器元件12的组，在读操作期间，列解码器19将三个检测放大器24连接到选定的三个存储器元件12的组。现在再参看图4，它说明了为第一类读操作配置的阵列10。在读操作期间，行解码器18将选定的字线14加上运行电压(V)，检测放大器24将选定的位线16加上参考电压，由此，检测电流流经共享二极管22和选定的存储器元件12。检测放大器24检测电流以确定选定存储器元件12的阻抗状态，并因此检测到存储的逻辑值。二极管22防止有任何寄生路径电流干扰读操作。通过将多组检测放大器24连接到多个位线16可以同时检测多组存储器元件12。现在请参看图5，它说明了为第二类读操作配置的存储器阵列50。在读操作期间，将选定位线16加上运行电压(V)，检测放大器24连接到字线14。连接到选定位线16的二极管22的正极处于同一电压；因此，只有连接到选定位线16的存储器元件12会传导电流。这些电流流经相连的二极管22，并彼此不相干扰的流到相连的检测放大器24。检测放大器24检测电流值，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信息存储设备（８），包括 一个存储器元件（１２）的电阻交叉点阵列（１０）；以及 一个寄生路径电流阻塞设备（２２，２２２），连接到一组存储器元件（１２）并为其共享。

【技术特征摘要】
US 2001-1-29 09/7718571.一种信息存储设备(8)，包括一个存储器元件(12)的电阻交叉点阵列(10)；以及一个寄生路径电流阻塞设备(22，222)，连接到一组存储器元件(12)并为其共享。2.按照权利要求1的设备，其中阻塞设备包括一个二极管(22)。3.按照权利要求2的设备，其中二极管(22)包括极性相反的第一和第二半导体层(22a，22b)，每个层跨越组中的所有存储器元件(12)。4.按照权利要求1的设备，其中阻塞设备包括一个晶体管(22)。5.按照权利要求1的设备，其中存储器元件(12)是磁性隧道连接(12a，12b，12c)。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：LT特兰，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]