根据入射光选择光电流路径的图像传感器和图像感测方法技术

技术编号:3589036 阅读:219 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
例子实施例可以涉及CMOS图像传感器和图像感测方法,根据入射光的数量或入射光量,选择用于光电流的路径。该CMOS图像传感器可以包括由多个像素对构成的像素阵列。像素对可以包括第一像素,包括第一光电二极管、第一晶体管对以及具有第一电容量的第一浮置扩散节点。该像素对还可以包括第二像素,包括第二光电二极管、第二晶体管对以及具有第二电容量的第二浮置扩散节点。第一晶体管对的第一晶体管可以被连接在第一光电二极管和第一浮置扩散节点之间。第一晶体管对的第二晶体管可以被连接在第一光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第一晶体管可以被连接在第二光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第二晶体管可以被连接在第二光电二极管和下一个像素对的第一浮置扩散节点之间。第一浮置扩散节点的第一电容量可以大于第二浮置扩散节点的第二电容量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一像素对,包括:    第一像素,包括第一光电二极管、第一晶体管对以及具有第一电容量的第一浮置扩散节点;    第二像素,包括第二光电二极管、第二晶体管对以及具有第二电容量的第二浮置扩散节点;其中,    第一晶体管对的第一晶体管被连接在第一光电二极管和第一浮置扩散节点之间;    第一晶体管对的第二晶体管被连接在第一光电二极管和第二浮置扩散节点之间;    第二晶体管对的第一晶体管被连接在第二光电二极管和第二浮置扩散节点之间;以及    第二晶体管对的第二晶体管被连接在第二光电二极管和下一个像素对的第一浮置扩散节点之间;以及    第一电容量大于第二电容量。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴钟银李容济
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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