磁随机存取存储器件制造技术

磁随机存取存储器（“ＭＲＡＭ”）器件（１００）包括存储器单元（１０４）的阵列（１０２）。尽管由于制造公差和诸如阵列中的温度梯度、电磁干扰和老化之类的其他因素造成电阻的变化，但器件（１００）仍然产生能够用来判断阵列中每个存储器单元的电阻态的参考信号。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到数据存储的随机存取存储器。更具体地说，本专利技术涉及到磁随机存取存储器件，它包含存储器单元阵列和用来读出存储器单元电阻态的电路。磁随机存取存储器(“MRAM”)是一种非易失存储器，它正在被考虑用于长时间数据存储。在磁随机存取存储器件中执行读和写操作，比在诸如硬盘驱动器之类的常规长时间存储器件中进行读和写操作，要快几个数量级。此外，MRAM器件比硬盘驱动器和其他常规的长时间存储器件更加紧凑，且消耗的功率更少。典型的MRAM器件包含存储器单元阵列。字线沿着存储器单元的行延伸，而位线沿着存储器单元的列延伸。每个存储器单元被放置在字线和位线的交叉点上。存储器单元以磁化方向存储一位信息。在任何给定的时间，每个存储器单元的磁化表现为两个稳定方向即状态之一。这两个稳定方向，平行和反平行，可以代表逻辑值‘0’和‘1’。磁化方向影响存储器单元的电阻。例如，如果磁化方向是平行的，则存储器单元的电阻值是第一数值R，而若磁化方向是反平行的，则存储器单元的电阻值是第二数值R＋ΔR。因此，选定的存储器单元的磁化方向和逻辑态，可以借助于读取存储器单元的电阻态而被读出。借助于对与选定的存储器单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件（１００），包含：存储器单元（１０４）组成的块（１０２）；用来存储逻辑‘１’的第一存储器件（１１０）；用来存储逻辑‘０’的第二存储器件（１１２）；读出放大器（１２０）；以及用来产生读出放大器的参考信号（Ｖｒｅ ｆ）的电路（１２６），此电路借助于组合第一和第二存储器件的输出而产生参考信号。

【技术特征摘要】
US 2000-6-20 09/5986711.一种存储器件(100)，包含存储器单元(104)组成的块(102)；用来存储逻辑‘1’的第一存储器件(110)；用来存储逻辑‘0’的第二存储器件(112)；读出放大器(120)；以及用来产生读出放大器的参考信号(Vref)的电路(126)，此电路借助于组合第一和第二存储器件的输出而产生参考信号。2.权利要求1的器件，其特征在于，其中第一存储器件包括块中存储器单元的第一组(110)参考单元；其中第二存储器件包括存储器单元块的第二组(112)参考单元；且其中的电路借助于组合第一和第二参考单元组的输出而产生参考信号；第一和第二组局限于存储器单元块。3.权利要求2的器件，其特征在于，其中第一组包括第一参考单元的第一列(110)，而第二组包括第二参考单元的第二列(112)；其中阵列中每个存储器单元与字线(106)交叉，每条字线还与第一参考单元组中的第一参考单元和第二参考单元列中的第二参考单元交叉；从而字线的选定导致相应的成对第一和第二参考单元被选定，被选参考单元对的输出被电路组合，从而产生参考信号。4.权利要求3的器件，其特征在于，其中第一位线(128)与第一列中的第一参考单元交叉；其中第二位线(130)与第二列中的第二参考单元交叉；且其中的电路包括具有耦合到第一和第二位线的输入的半增益放大器(126)。5.权利要求2的器件(200)，其特征在于，其中第一组包括用来存储逻辑‘1’的第一参考单元(252)，而第二组包括用来存储逻辑‘0’的第二参考单元(251)；其中第一和第二参考单元与轨线交叉；且其中的电路包括具有耦合到轨线的输入的放大器(256)。6.权利要求5的器件，其特征在于，还包含用来存储逻辑‘1’的额外的第一参考单元(254)、用来存储逻辑‘0’的额外的第二参考单元(253)、以及与额外的参考单元交叉的额外的...

【专利技术属性】
技术研发人员：LT特兰，KJ埃尔德雷奇，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]