用于改进响应的具有离轴基准层取向的磁存储器单元制造技术

一种磁存储器单元，包括具有易轴的数据存储层和具有固定于相对易轴的离轴方向的磁化取向的基准层。尽管有在数据存储层的边缘区域的磁化效应，但是这种结构在磁存储器单元的读取操作中增强了信号可获性。此外，采用这种结构，就可以通过使用方形存储器单元结构获得高磁随机存取存储器密度。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于磁存储器领域。更具体地说，本专利技术涉及带有具有离轴取向的基准层的磁存储器单元。磁存贮器，例如磁随机存取存储器(MRAM)一般包括一簇磁存储器单元。每一磁存储器单元通常包括数据存储层和基准层。典型地，磁存贮器单元的逻辑状态依赖于数据存储层和基准层中的磁化相对取向。磁存储器单元的数据存储层通常是存储可变磁化状态的磁性材料层或薄膜。这些可变磁化状态一般包括与通常被称为数据存储层易轴平行的方向上形成的磁化。数据存储层通常在其边缘附近形成磁化，该边缘也包括垂直易轴的边缘。在垂直边缘附近形成的磁化通常被称为边缘区域。在数据存储层中最后所得到的磁化取向是在边缘区域沿其易轴磁化的效应和垂直磁化的效应造成的结果。磁存贮器单元的基准层通常是其磁化是在特定方向固定或钉住的磁性材料层。在典型的已有技术的磁存贮器单元内，基准层的形成使得其磁化固定在平行于数据存储层易轴的方向上。结果，在已有技术磁存储器单元的基准层中的磁化取向一般平行于数据存储层的易轴。如果其数据存储层的磁化取向平行于其基准层中的磁化取向，那么磁存贮器单元一般处于低阻状态。作为对照，如果其数据存储层的磁化取向反向平行于其基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁存储器单元，包括：具有一个易轴的数据存储层；具有一固定在相对易轴的离轴方向上的磁化取向的基准层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1998-8-27 09/1409921.一种磁存储器单元，包括具有一个易轴的数据存储层；具有一固定在相对易轴的离轴方向上的磁化取向的基准层。2.根据权利要求1的磁存储器单元，其中的方向是基本平行于在数据存储层中沿易轴磁化的矢量和数据存储层中垂直于易轴的一组磁化产生的矢量的。3.根据权利要求2的磁存储器单元，其中磁存储器单元的逻辑状态的写入是通过施加一系列沿着易轴转动磁化方向的和垂直于易轴转动磁化方向的外磁场来实现的。4.根据权利要求2的磁存储器单元，其中第一逻辑状态的写入是通过施加一系列外磁场实现的，该外加磁场沿易轴转动磁化方向直至基本上平行于基准层的磁化取向的x轴，并且垂直于易轴转动磁化方向直至基本上平行于基准层的磁化取向的Y轴。5.根据权利要求2的磁存储器单元，其中第二逻辑状态的写入是通过施加一系列外磁场实现的，该外磁场沿易轴转动磁化方向直至基本上反向平行于基准层的磁化取向的x轴，并且垂直于易轴转动磁化方向直至基本上反向平行于基准层的磁化取向的Y轴。6.根据权利要求1的磁存储器单元，其中它的方向的预选是根据数据存储层的厚度进行的。7.根据权利要求1的磁存储器单元，其中它的方向的预选是根据数据存储层晶状体的各向异性进行的。8.一种磁存储器，包括一系列磁存储器单元，每个具有带易轴的数据存储层和带有固定在相对于易轴的离轴的方向上的基准层；一组能使读取和写入到磁存储器单元上的导体。9.根据权利要求8的磁存储器，其中它的方向基本上平行于由数据存储层中沿易轴的磁化和数据存储层中垂直于易轴的一套磁化产生的矢量。10.根据权利要求9的磁存储器，其中磁存储器单元的一个特定逻辑状态的写入是通过施加一系列使用导体的外磁场来实现的，以转动沿易轴的磁存储器单元的数据存储层的一个特定磁化方向，并且转动垂直于易轴磁存储器单元的一个特定数据存储层的磁化方向。11.根据权利要求9的磁存储器，其中特定一个磁存储器单元的第一逻辑状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：MK巴塔查赖亚，JA布鲁格，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]