公开了一种制造半导体器件的方法，该方法能够提高器件隔离膜的器件隔离能力，并能够有效地形成具有不同膜厚的栅绝缘膜。该方法可以用于制造具有嵌入逻辑元件的非易失性存储器的半导体器件。作为一个实施例，在硅衬底上形成衬底保护膜，然后在闪存单元区域...

本发明提供一种适合形成有涂层的导电膜如铂的半导体器件及其制造方法。在一半导体衬底上设置一紧密接触层，该紧密接触层由选自难熔金属、难熔金属合金、难熔金属氮化物和难熔金属的硅氮化物构成的集合中的一种材料制成。在该紧密接触层表面上设置一氧化物...

一种旋转阀式磁头，其包括：　　　　第一插入磁层；　　　　形成于所述第一插入磁层上的非磁性层；和　　　　形成于所述非磁性性上的第二插入磁层，　　　　其特征在于，　　　　一绝缘反射层，其设置于所述第一插入磁层和第二插入磁层之间。

本发明提供了一种半导体集成电路，其包括：第一单元组，其中沿着该半导体集成电路的外周边的方向设置了多个用于外部输入和／或输出的Ｉ／Ｏ单元和／或电源单元；以及设置在所述第一单元组内侧的第二单元组，其中沿着该半导体集成电路的外周边的方向设置了...

用于测试具有许多半导体芯片的晶片的探针卡，包括配置在与芯片之一上的电极相对的位置上的接触电极；基板；在基板上配置的内部端子；具有与接触电极连接的第一部分和采用至少焊接线和焊料球其中之一与内部端连接的第二部分的第一布线；在基板的周边上配置...

本发明批露了一种基于静电电容原理实现指纹识别的半导体装置。手指掠过半导体芯片的指纹识别区提供具有改善可靠性的真正指纹识别的操作。该半导体装置包括半导体芯片和基板，半导体芯片具有实现指纹识别的传感单元，基板在与传感单元相对应的位置处形成开...

一种通过超声焊接将半导体芯片安装其上的基板，该基板包括焊盘，每个所述焊盘具有沿施加到半导体芯片上的超声振荡的方向拉长的形状。

一种半导体芯片安装装置，包括：焊接工具，所述焊接工具在绝缘粘合剂置于提供有突点的半导体芯片和提供有焊盘的基板之间的同时按压半导体芯片，并且将突点超声焊接到焊盘上，其中该焊接工具为方杆形，其侧面相对于焊接工具的相邻拐角之间假想的平坦表面向...

本发明披露了一种磁检测器，它包括：（１）一支撑基片，（２）一铁磁隧道结元件，其具有在该支撑基片上的第一磁层，在所述第一磁层上的隧道绝缘层，所述隧道绝缘层包括氧化铝，所述氧化铝是由氧化在第一磁层上形成的铝膜获得的，所述铝膜是使用９９．９９...

一种元件，它包含以下部分：芯片（１１１）；封装芯片的树脂封壳（１１２，１５１，３１４），该树脂封壳的安装面上设有树脂凸部（１１７，１５４，３１８），树脂凸部上设有相应的金属膜（１１３，１５５，３１５）。芯片的电极焊盘与金属膜由连接部分（...

本发明涉及具有电容器的半导体器件。该器件的结构包括：通过要成为电容器下电极的板线（１２ａ）上的介质膜（１３）形成的电容器上电极（１４ａ、１４ｂ）；连接到板线（１２ａ）的一端并具有接触区的导电连接部分（１２ｂ）；在导电连接部分（１２ｂ）上...

通过在半导体基片上进行外延生长并且保持整合性，提供了一种极化作用增强的多层膜结构。这种多层膜结构包括以氧化锆为主要成分的薄层、具有简单钙钛矿结构的薄层和中间层，所述以氧化锆为主要成分的薄层使外延生长得以进行，所述具有简单钙钛矿结构的薄层...

一种堆栈型半导体装置，包括：一第一接线基底，其上安装一半导体元器件；一第二接线基底，通过电连接于第一接线基底的多个电极接线端，堆叠于第一接线基底上；以及一导体支撑部，设置于半导体元器件周围，并且连接于第一和第二接线基底中设置的地线层。

本申请公开了具有对角方向线路的半导体集成电路器件及其布置方法。具有多个电路元件和多个连接这些电路元件的线路的半导体集成电路器件包括：具有第一最小线路宽度的正交线路，它形成在第一布线层中并且水平或垂直延伸；具有第二最小线路宽度的对角线路，...

半导体器件，包含：在一面上具有第１端子（７）的第１半导体芯片（５）；比第１半导体芯片（５）大，重叠第１半导体芯片（５）并且在一面上具有第２端子（３）的第２半导体芯片（１ａ）；被形成在第２半导体芯片（１ａ）上覆盖第１半导体芯片（５）的绝缘...

提供半导体器件及其制造方法，半导体器件包括栅极互连２４ａ，形成在半导体衬底１４上，并包括栅极，栅极互连与半导体衬底间形成栅极绝缘膜２２；靠近栅极互连２４ａ端部形成的第一源极／漏极扩散层２８；远离栅极互连２４ａ及第一源极／漏极扩散层２８形...

具有少量处理操作的用于切割导线（１９）的方法和装置。该方法包括通过采用一聚焦离子束（Ｂ１）扫描半导体衬底（１８）形成一切割部分（３１）以切割该导线。该方法还包括通过采用该聚焦离子束扫描该半导体衬底形成从该切割部分（３１）连续的一清洁区域...

一种半导体装置组及其制造方法，能优先开发不混装非易失性存储器工艺技术，同时在不混装非易失性存储器的半导体装置和混装非易失性存储器的半导体装置间可使用公共设计宏。半导体装置组包括：包含第一设计宏和非易失性存储器的第一半导体装置；包含与第一...

本发明提供一种半导体存储器，该半导体存储器不通过控制寄存器设置可以从同步模式中的功率下降状态转换到异步模式，并且其不需要额外电路。通过根据预先输入的状态选择信号而选择其电平在功率下降状态改变的内部信号或其电平在功率下降状态不变的内部信号...

在本发明中，温度检测电路检测到芯片温度高于第一边界温度，则将温度检测信号的电平设置为指示高温度状态的电平。温度检测电路检测到芯片温度低于第二边界温度，则将其电平设置为指示低温度状态的电平。控制电路根据所述温度检测信号的电平而改变其操作状...