一种光刻胶图案增厚材料，包含： 树脂； 交联剂；和 含氮化合物。

一种探针板包括：探针；具有多层互连结构的叠加互连层，在其上表面上携带该探针，与所述多层互连结构电连接；以及位于该叠加互连层上通过多层互连结构与该探针板之一电连接的电容器，其中该多层互连结构包括在该探针附近的一个内部通孔接头，并且该电容器...

一种半导体器件，包括： 衬底； 形成在所述衬底上的栅极； 在所述栅极的第一侧上，在所述衬底中形成的第一导电类型的第一扩散区； 在所述栅极的第二侧上，在所述衬底中形成的所述第一导电类型的第二扩散区；和 形成在...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中该半导体器件包括形成在半导体衬底上方的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上、并具有将除接触区外的区域分为两侧的缝隙的单元板线路，形成在位于缝隙两侧的单元板线路上、并具有在缝隙上方的空隙的电容器介电层...

在自由磁层的表面上形成上电极的较小电极层。与自由磁层表面上的较小电极层相邻形成绝缘材料的磁畴控制膜。根据磁畴控制膜与自由磁层之间的磁交换耦合在单一方向上定向自由磁层的磁化。仅通过较小电极层在自由磁层与上电极之间建立电连接。自由和被钉扎磁...

脉冲发生器响应读出命令产生多个列脉冲。地址计数器连续地输出与读出命令一起提供的外部地址之后的地址作为内部地址。列解码器与列脉冲同步地连续选择列选择线。响应单个读出命令ＲＤ从存储单元读出的数据的多个位通过列开关连续地传送到公共数据总线。这...

本申请公开了一种半导体存储器件的制造方法。该器件的半导体衬底上提供有电容器，电容器具有以下叠层结构：第一导电膜制成的下电极、电介质膜制成的电容器电介质膜以及第二导电膜制成的上电极。该方法包括以下步骤：形成绝缘膜，在绝缘膜上形成电容器，在...

一种半导体集成电路，包括： 内部电源电压产生电路，其通过降低外部电源电压而产生内部电源电压；以及 内部电路，其利用所提供的内部电源电压进行操作， 其中，内部电源电压产生电路根据内部电路的工作速度而改变所要产生的内部电源...

一种半导体集成电路装置，该半导体集成电路装置包括： 保护电路，其包括： 多个保护元件，其在信号线和电源线之间并联连接，各保护元件包括： 多个金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管；以及 多个电阻器，其中，在各保护元件中...

一种半导体集成电路包括具有第一尺寸的多个第一焊盘；具有比第一尺寸更小的第二尺寸的多个第二焊盘；开关电路，在第一开关状态中把第一焊盘连接到各个第一核心电路，以及在第二开关状态中把第一焊盘连接到各个第二核心电路，该第二核心电路被连接到第二焊...

一种半导体装置，其特征在于，包括： 形成在基板上、至少在表面侧埋入有第一配线层的第一绝缘膜； 在埋入有前述第一配线层的前述第一绝缘膜上所形成的第二绝缘膜； 形成在前述第一配线层上的第二绝缘膜上、具有向直角方向弯曲的槽状...

一种半导体存储器，包括： 多个存储单元，其分别具有传输晶体管和驱动晶体管； 多个字线，其分别连接到所述传输晶体管的栅极上； 第一驱动电路，其具有多个用于分别产生向所述字线提供的电压的第一缓存器； 多个第一衬底线，...

在此提供一种半导体器件，其能够防止其上面的电感器元件的性能下降。一个高电阻区域被提供在形成于该半导体基片上的电感器元件的下方。该高电阻区域被形成为比ｐ沟道和ｎ沟道ＭＯＳ晶体管更深，因此防止由于在电感器元件所产生的磁通量而导致涡电流的感应。

一种半导体器件，其中包括：　　　　形成在半导体基片的部分表面上的栅极，一个栅绝缘膜被插入在它们之间；　　　　由半导体材料所制成并且形成在栅极的两侧上的半导体基片的表面上的第一半导体膜，每个第一半导体膜与栅极隔开一定的距离；　　　　形成在...

一种半导体器件，包括：　　　　半导体基片；　　　　栅电极，其在半导体基片上形成；　　　　低浓度杂质层，其通过将杂质以低浓度引入到半导体基片中而在栅电极的每一侧上形成；　　　　第一绝缘膜，其至少在低浓度杂质层上形成；　　　　开口，其设置在...

一种半导体器件，包括：　　　　在半导体衬底的第一区域中形成的多个第一元件；　　　　在所述第一区域的所述第一元件之间形成的第一沟槽；　　　　包括填充所述第一沟槽的绝缘材料的第一元件隔离膜；　　　　在所述半导体衬底的第二区域中形成的多个第二...

一种集成电路，包括：　　　　休眠开关，位于第一电源线和第二电源线之间，其由具有第一阈值电压的晶体管构成且在休眠模式时变为非导通；　　　　锁存电路，连接到所述的第二电源线上，其由具有比所述第一阈值电压低的第二阈值电压的晶体管构成；　　　　...

一种半导体器件的制造方法，包括：　　　　第一步骤，在具有预先形成在其中的元件隔离结构的半导体衬底上方对栅极进行构图；　　　　第二步骤，形成只覆盖所述栅极的两侧面的侧壁；　　　　第三步骤，除去所述侧壁的上部由此露出所述栅极两侧面的一部分；...

具有第１连接器（２）和第２连接器（４）的连接器装置对于形成在半导体晶片（６）上的多个半导体器件取得电导通，第１连接器（２）具有直接接触半导体器件的电源端子（６ａ）的接点（２ｂ），第２连接器（４）对于第１连接器（２）能够移动，具有与半导体...

一种光刻胶图案增厚材料，包括：　　　　树脂；　　　　交联剂；和　　　　阳离子表面活性剂、两性表面活性剂、以及非离子型表面活性剂中的至少一种，其中非离子表面活性剂选自烷氧基化合物表面活性剂、脂肪酸酯表面活性剂、酰胺表面活性剂、醇类表面活性...