一种半导体元件具有一个电路形成表面，其中电极端在该表面的外围部分排列。该半导体元件被模制树脂封装在对应于半导体元件的电极的位置具有开孔的基片上。该半导体元件被安装到所述基片上，处于电路形成表面面对该基片和电极端位于该开孔处的状态，并且与...

本发明公开了一种具有多层铜线路层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括一个形成有多个半导体元件的半导体衬底；在该半导体衬底上形成的第一层间绝缘膜，其具有第一布线槽；嵌入该第一布线槽中的第一铜线路；有第二布线槽的第二层间绝缘膜，该第二...

第一绝缘膜形成在下层基片上，该第一绝缘膜由第一绝缘材料所制成。第二绝缘膜形成在第一绝缘膜上，该第二绝缘膜包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料。形成通过第二和第一绝缘膜的沟槽，该沟槽至少到达第一绝缘膜的中间深度。在第二绝缘膜上淀积由导电材...

本发明提供一种可以抑制在化学增强型光刻胶膜中的溶解障碍现象的半导体器件。更加具体来说，在一个半导体基片上形成接触图案之后，在该接触图案上形成一个布线图案。ＳｉＣ膜、第一ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣ膜、第二ＳｉＯＣ膜、作为防扩散膜的ＵＳＧ膜和作为防...

本发明公开了一种半导体器件及其测试方法。具体地说，是一种多总线半导体器件以及其探针测试方法，该方法能够对半导体器件的各个焊盘进行ＤＣ测试同时基于输入／输出焊盘数量压缩测试方案能够处理足够数量的器件以便同时进行测量。该半导体器件包括连接在...

一种半导体器件（１１）用于促进测试。叠加的第一和第二半导体芯片（１３、１４）分别包括多个内部端子（２３－２５、２７－３０）、外部端子（２２、２７）以及多个晶体管（３１－３４）。多条线路（１５）把第一和第二半导体芯片的内部端子、晶体管以及...

多个存储块被分配相同的地址空间，以在其中写入相同的数据，并且可相互独立地操作。响应一个刷新命令，一个存储块被选择为执行刷新操作的刷新块，而响应读取命令，另一个存储块被选择为执行读取操作的读取块。然后，多个存储块以不同的时序执行读取操作，...

一种半导体器件，包括： 半导体衬底；和 包括以下部分的布线结构：在所述半导体衬底上形成的第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中形成的第一导体图形；至少覆盖所述第一导体图形的侧面、在所述第一层间绝缘膜和所述第一导体图形之间形成...

微镜单元包含带有镜部分的运动件、框架以及连接运动件与框架的扭杆。运动件、框架和扭杆集成制作在材料衬底上。框架含有比运动件厚的部分。

一种半导体器件，包括： 半导体衬底； 栅极，形成在所述半导体衬底上，其间有栅极绝缘膜； 一对掺杂层，形成在所述半导体衬底的表面部分中，位于所述栅极的两侧； 各个所述的掺杂层包括： 浅的第一区域，其部分地与所...

一种半导体集成电路装置，其中包括： 基片； 形成在该基片上的第一元件区，该第一元件区具有第一导电型； 形成在该基片上的第二元件区，该第二元件区具有第二导电型； 形成在该基片上的第三元件区，该第三元件区具有第二导电...

多个微镜芯片集中制作在共用衬底上。每个微镜芯片由微镜单元构成，它包含框架、与框架有隔离部分的镜形成部分、以及连接镜形成部分与框架的扭杆。共用衬底受到腐蚀以提供隔离部分以及制作分割沟槽而将共用衬底分割成分立的微镜芯片。制作隔离部分和分割沟...

一种半导体器件，包括： 多个宏单元，每个宏单元包括多个通常块和一个冗余块，每个通常块包含分别具有预定功能的多个电路，该冗余块具有与通常块相同的功能，并在通常块之一不能正常工作的情况下可代替通常块；和 熔断器，用于保持指定信息...

一种集成电路，包括：处理器；算术逻辑电路组，该算术逻辑电路组包括多个操作单元和以可重构方式连接所述操作单元的连接通道；基于参数的专用硬件，能够通过参数设置来改变进程规范；模块间接口，用于把所述处理器、所述算术逻辑电路组、和所 ...

包含基础树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的化学放大刻蚀剂材料；其中，所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂。

一种操作控制电路把响应读请求、写请求或刷新请求而激活之读出放大器的非激活定时，设置为读出放大器为了响应刷新请求而输出之可能的最大信号量传送到存储器单元的定时。把读出放大器的活化周期调整为刷新操作，能够减少存取时间。一种刷新控制电路在延长...

一种半导体存储器件，在衬底上形成有存储单元，字线和位线。每个字线与一些存储单元相连接。将位线布置在字线上方的布线层中，该位线与一些存储单元相连接，并且一个从被字线选择的存储单元中读取的信号被施加给该位线。将信号布线线路布置在位线上方的布...

通过使用一个线图案以及一个带状图案，前者成为待测试的图案，后者成为一个光斑引起图案，它形成一个环绕着线图案的透光区域，并且令局部光斑出现在线图案之上，由于带状图案在线图案上生成的局部光斑的影响被测量为用于评估的线图案上的线宽。此外，这个...

本发明提供了一种制造半导体设备的方法，包括在基材上形成用于图案形成的层压膜的步骤，其中用于图案形成的层压膜包括最内层，内层和表面层，最内层的消光系数ｋ是０．３或更大，和内层的消光系数ｋ是０．１２或更大。本发明还提供了一种形成图案的方法，...

通过对由导电材料构成的接触电极照射激光束，成型具有具有预定形状的接触电极。在将接触端相对侧的、每个接触电极的端部接合到接触板上后，可以照射激光束，以使接触电极变形，从而使接触端位于预定位置。在加热或冷却激光束照射部分对面的接触电极部分时...