一种半导体器件，包括：　　　　以矩阵形设置在半导体衬底上的多个像素；　　　　其中：　　　　每个像素包括光电二极管、复位晶体管、源跟随器晶体管以及选择晶体管；　　　　光电二极管包括在厚度方向中叠置的第一导电类型的杂质扩散区和第二导电类型的...

一种半导体器件，该半导体器件包括：　　　　半导体衬底，具有形成在其上的集电区；　　　　绝缘膜，形成在所述半导体衬底上，所述绝缘膜具有在对应于集电区的部分上形成的开口；　　　　导电膜，形成在所述绝缘膜上；　　　　半导体膜，形成在该开口的内...

一种半导体器件，包括：　　　　形成在半导体衬底上的栅极，且其间形成有绝缘膜；　　　　形成在栅极一侧的源区，并具有轻掺杂源区和载流子浓度比轻掺杂源区高的重掺杂源区；　　　　形成在栅极另一侧的漏区，并具有轻掺杂漏区和载流子浓度比轻掺漏区高的...

一种半导体器件，包括：　　　　半导体元件；　　　　封装半导体元件的模制树脂；　　　　在模制树脂的安装表面上通过模制树脂突起形成的突起部件；和　　　　在模制树脂的安装表面上形成图形布线的金属膜，该金属膜还形成在所述突起部件上，以便与所述突...

一种半导体器件的制造方法，具有以下步骤：　　　　（ａ）在半导体衬底的表面上多个区域中形成具有第一厚度的第一栅极绝缘膜；　　　　（ｂ）在所述多个区中的第一区中除去第一栅极绝缘膜并允许形成自然氧化膜；　　　　（ｃ）在还原气氛中加热半导体衬底...

一种包含配线的结构体，其包括：　　　　基体；　　　　在所述基体上方提供的绝缘膜，其中在所述绝缘膜内形成配线形状的沟道；和　　　　使用具有容易向所述绝缘膜扩散特性的导电材料填充沟道而形成的配线，　　　　其中提供防扩散膜，覆盖所述配线的上表...

一种半导体器件，包括：　　　　半导体衬底；　　　　由氮氧化硅膜制成的并淀积在半导体衬底的部分表面区域上的栅极绝缘膜；　　　　淀积在栅极绝缘膜上的栅极；和　　　　淀积在栅极两侧的源区和漏区，　　　　其中栅极绝缘膜中存在的主要氮原子与氮原子...

一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：　　　　（ａ）在硅衬底中限定的多个有源区中的每个有源区上形成栅极，所述栅极横穿一个相应的有源区，并在所述栅极两侧的有源区中形成源／漏的延伸区；　　　　（ｂ）在硅衬底上淀积具有不同刻蚀特性的第一和第二...

本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料能将待增厚的光刻胶图案增厚，形成精细的中空图案，超过在图案化期间使用的曝光设备光源的曝光极限。该光刻胶图案增厚材料包括：树脂和表面活性剂。在本发明的光刻胶图案的形成工艺中，在形成了...

一种用于将数据作为互补信息存储在一对存储单元中的双单元型半导体存储器件，其中，存储单元按照位线被设置的间隔布置在各个字线上。

一种半导体装置包括：　　　　第一绝缘薄膜，形成于一半导体基底上；　　　　第一互联结构，埋于该第一绝缘薄膜中，并具有埋于凹槽状导通孔的导通部分和形成于该导通部分上并且具有水平延伸的屋檐状部分的互联部分，该互联部分的屋檐状部分的长度是该导通...

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：　　　　在半导体衬底之上形成半导体膜；　　　　将掺杂物注入所述半导体膜的预定区域中；以及　　　　图案化所述半导体膜以由被注入所述掺杂物的半导体膜形成电阻元件，并且由未被注入所述掺杂物的半导体膜形成...

一种半导体器件，包括：　　　　在半导体衬底上面形成的第一绝缘膜；　　　　在所述第一绝缘膜上面形成的第二绝缘膜；　　　　埋在所述第一绝缘膜中和所述第二绝缘膜中的互连结构；　　　　由第一导电层形成的第一虚拟图案，埋在至少所述第一绝缘膜的表面...

一种半导体器件，包括：　　　　半导体衬底；　　　　形成在所述半导体衬底的表面层中并界定出多个有源区的隔离区；　　　　在各个有源区中在衬底表面上方形成的至少一个栅电极，所述栅电极在所述有源区中构成半导体元件；　　　　形成在所述半导体衬底上...

一种半导体器件，包括：　　　　具有主表面的半导体衬底；　　　　在所述主表面上方形成的熔丝电路，所述熔丝电路具有熔丝元件，所述的每个熔丝元件具有预定断裂点；　　　　第一槽隔离区，其在所述半导体衬底的表面层中在所述熔丝电路下方形成；以及　　...

一种形成抗蚀剂图案的工艺，该工艺包括：　　　　在底层对象上形成待增厚的抗蚀剂图案；　　　　在待增厚的抗蚀剂图案上应用至少包含第一表面活性剂的表面活性剂合成物；以及　　　　在待增厚的抗蚀剂图案上应用至少包含树脂和第二表面活性剂的抗蚀剂图案...

一种半导体器件，其中包括：　　　　形成在一个半导体基片中的第一导电型的第一阱；　　　　形成在第一阱中的第二导电型的第二阱；以及　　　　一个晶体管，其中包括由形成在第二阱中的第一导电型的杂质区所形成的控制栅极，在该第一阱之外形成的第一杂质...

一种多层互连结构，它包括：　　　　包括有铜互连图案的第一互连层；　　　　形成在所述第一互连层上的层间绝缘膜；　　　　形成在所述层间绝缘膜上的第二互连层；　　　　一通孔，它形成在所述层间绝缘膜中从而暴露出所述铜互连图案；以及　　　　一钨栓...

一种半导体器件，包括：　　　　形成在半导体衬底上的第一绝缘膜；　　　　互连，埋置在第一绝缘膜的至少表面侧中，并具有一主互连部分和设置在主互连部分的一个端部并向垂直于主互连部分的延伸方向延伸的延伸部分；以及　　　　第二绝缘膜，形成在第一绝...

一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：　　　　（ａ）在半导体衬底的表面上形成图案，所述图案包括第一氮化硅膜并具有用于形成隔离沟槽的窗口；　　　　（ｂ）用所述图案作为掩模蚀刻所述半导体衬底，以形成隔离沟槽；　　　　（ｃ）沉积覆盖所述隔离...