【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体涉及包括连接到镶嵌互连的电接触的。
技术介绍
由于半导体器件的规模越来越大和集成度越来越高，伴随着产品代的发展，互连的设计规则不断减小。通常，通过淀积导电材料并通过光刻构图淀积的导电材料以及干蚀刻形成互连。然而，随着产品代的不断进步，现已发现了该技术的局限。作为替代形成互连的常规工艺的形成互连的新工艺，称为镶嵌的工艺变得流行，在镶嵌工艺中槽图形和孔图形形成在层间绝缘膜中，导电材料埋置在槽和孔中。镶嵌工艺不仅可以应用于形成如铜等很难被干蚀刻的材料的金属互连，也可以用于形成如局部互连等连接到硅衬底或栅极互连的精细互连。在例如日本公开的待审查专利申请No.2002-217316公开的半导体器件中，镶嵌互连用做SRAM单元的局部互连。然而，当使上互连层接触到下镶嵌互连层时，经常发生接触故障，例如接触电阻增加、互连断开等。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是设置一种，能够防止电连接互连到镶嵌互连的接触缺陷。根据本专利技术的一个技术方案，设置一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜；互连，埋置在第一绝缘膜的至少表面侧中，并具有主互连部分和设置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜；互连，埋置在第一绝缘膜的至少表面侧中，并具有一主互连部分和设置在主互连部分的一个端部并向垂直于主互连部分的延伸方向延伸的延伸部分；以及第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并具有向下达到互连的主互连端部的接触孔。2.根据权利要求1的半导体器件，其中延伸部分从主互连部分的端部，向垂直于主互连部分的延伸方向的一个方向延伸出。3.根据权利要求1的半导体器件，其中延伸部分从主互连部分的端部，向垂直于主互连部分的延伸方向的两个方向延伸出。4.根据权利要求1的半导体器件，其中延伸部分的宽度小于主互连部分的宽度。5.根据权利要求1的半导体器件，其中接触孔的最小宽度大于互连的最小宽度。6.一种半导体器件，包括第一互连，形成在半导体衬底上，并向第一方向延伸；第一绝缘膜，在形成第一互连的半导体衬底上形成；第二互连，埋置在第一绝缘膜的至少表面侧，并具有在与第一方向交叉的第二方向中延伸并跨接第一方向的主互连部分，和设置在主互连部分的一个端部并在第一方向中延伸的延伸部分；以及第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上并具有向下达到第二互连的主互连端部的接触孔。7.根据权利要求6的半导体器件，其中第二互连电连接到第一互连。8.根据权利要求6的半导体器件，其中第二互连与第一互连绝缘。9.一种半导体器件...
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