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一种半导体器件，包括：　　　　形成在半导体衬底上的第一绝缘膜；　　　　互连，埋置在第一绝缘膜的至少表面侧中，并具有一主互连部分和设置在主互连部分的一个端部并向垂直于主互连部分的延伸方向延伸的延伸部分；以及　　　　第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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