【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，更加特别地涉及在半导体器件中形成隔离膜的方法，用其在要绝缘的部分使用电化学蚀刻形成多孔硅，然后使用热氧化工艺氧化多孔硅，从而形成隔离膜。
技术介绍
半导体存储器件通常使用浅沟槽隔离(以下称作“STI”)工艺作为隔离工艺。由于半导体存储器件的更高集成度，单元的尺寸减小，有源区和隔离区域使用浅沟槽隔离膜界定。现在将说明形成浅沟槽隔离膜的工艺。在半导体衬底上形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜。然后形成界定隔离区域的光致抗蚀剂图案。接着，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻衬垫氮化膜、衬垫氧化膜和半导体衬底，由此在半导体衬底内形成沟槽。沉积高密度等离子体(HDP)氧化膜以掩埋沟槽。此时，HDP氧化膜的沉积厚度足以在掩埋沟槽的同时沉积衬垫氮化膜的顶部表面。此后，通过化学机械抛光(CMP)工艺抛光HDP氧化膜。实施CMP工艺直到暴露衬垫氮化膜。然后移除衬垫氮化膜。接着，实施离子注入工艺以形成良好结并控制阈值电压。然后移除衬垫氧化膜。但是，上述方法的缺点在于，由于沟槽距离的收缩，使得使用等离子体形成该沟槽的蚀刻工艺较难，当HDP氧化膜填满间隙时...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的隔离膜的方法，包括步骤在硅衬底上顺序形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜；在衬垫氮化膜上形成透过其开放隔离区域的光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻衬垫氮化膜和衬垫氧化膜，由此暴露隔离区域的硅衬底；实施电化学蚀刻工艺以在暴露的隔离区域的硅衬底中形成多孔硅；移除光致抗蚀剂图案；以及实施热氧化工艺以氧化多孔硅，藉此在隔离区域形成氧化膜。2.如权利要求1所述的方法，其中电化学蚀刻工艺在工作单元中利用硅解离反应实施，其设计为向作为工作电极的硅衬底的背面施加电压，其中设计配对电极和参考电极，使其浸入电解...
【专利技术属性】
技术研发人员：李圣勋，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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