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一种形成半导体器件的隔离膜的方法，包括步骤：　　　　在硅衬底上顺序形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜；　　　　在衬垫氮化膜上形成透过其开放隔离区域的光致抗蚀剂图案；　　　　使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻衬垫氮化膜和衬垫氧化膜，由此暴露隔离区域的...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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