本发明提供形成布线结构的方法和半导体器件。通过优化作为分别适用于通孔和布线沟槽的阻挡金属膜的成膜模式，获得微型化布线结构，其中在此采用溅射工艺，其具体为用于在通孔上形成阻挡金属膜的多步骤溅射工艺，以及用于在布线沟槽上形成阻挡金属膜的单步...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：通过在半导体基板的上方形成的有机层间绝缘膜（２２）的上面形成金属膜（２４），在有机层间绝缘膜（２２）和金属膜（２４）的界面上得到防止金属扩散用的碳化金属膜（２３）的工序；通过对于碳化金属膜（２...

本发明生成比由正常的写／擦除操作所生成的更多的热空穴，从而使得可以针对热空穴来评估非易失性存储器的操作。本发明在比正常使用时的正常温度更低的温度下，或／和在比正常使用时的正常操作电压更低的操作电压下，对非易失性存储器进行写操作，以在该存...

本发明目的是提供一种以廉价高生产率地制造微Ｔ型电极的方法。本发明的微Ｔ型电极的制造方法包括：叠层保护膜形成工序，其在Ｔ型栅电极形成面上，在最上层形成叠层保护膜，该叠层保护膜含有感光的光保护膜层；最上层开口形成工序，其对叠层保护膜照射紫外...

本发明使用有机类清洗液，来清洗在表面上露出绝缘区域和金属区域的基板的该表面。对清洗后的基板表面照射紫外线。由此，能够抑制基板表面上残留残留物的情况。

本发明的目的在于，提供一种增厚通过通常的电子束曝光形成的开口并缩小开口尺寸，由此可高效率地制造微细栅电极的方法。本发明的栅电极的制造方法包括：在栅电极形成面上，形成在最下层包含电子束保护层的叠层保护膜的叠层保护膜形成工序；在最下层以外的...

在按照预定的周期通过ＴＦＴ向铁电液晶施加对应于预期图像数据的电压从而改写所显示的图像之后，停止向铁电液晶施加电压，并保持恰好在停止施加电压之前显示的图像。在该存储显示期间，施加截止电压以截止ＴＦＴ。在该存储显示期间，与正常显示期间相比降...

一种半导体器件，具有形成在衬底上的天线焊盘和测试焊盘。包含填料的绝缘树脂层覆盖测试焊盘，在天线焊盘上设置凸起。通过设置包含填料的绝缘树脂层从而抑制该半导体器件中的特定数据被读出或者改写。

本发明提供可形成Ｈｆ↓［１－ｘ］Ａｌ↓［ｘ］（０＜ｘ＜０．３）氧化膜的半导体装置的制造方法，该氧化膜具有作为栅绝缘膜所期望的特性。所述半导体装置的制造方法包括如下步骤：（ａ）在反应室内加热硅基板的步骤；和（ｂ）向上述硅基板的表面供给含有...

本发明提供了一种微型开关器件和制造微型开关器件的方法，该微型开关器件包括基板和经隔板或锚定部分固定到该基板上的悬臂。该悬臂具有面对该基板的内表面和与该内表面相对的外表面。在该悬臂的该外表面上形成导电条。该开关器件还包括固定到该基板上的一...

在支撑衬底的表面上设定第一区、围绕第一区的环形第二区和围绕第二区的第三区。第一布线层位于支撑衬底上。在第三区中形成布线，在第二区中形成空置图案，并且不在第一区中形成导电图案。在第一布线层上且在第一区中设置功能元件。

本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形...

在用于将元件形成区域和外部进行电连接，附随元件形成区域来形成低介电常数绝缘膜的焊盘形成区域中，形成于焊盘形成区域的低介电常数绝缘膜中的作为通路的Ｃｕ膜，与元件形成区域的作为通路的Ｃｕ膜相比以高密度地配置，由此，防止内部应力发生时该应力偏...

一种半导体装置具有多层配线结构，该多层配线结构具有：第１层间绝缘膜；形成在上述第１层间绝缘膜上、具有比上述第１层间绝缘膜大的硬度以及弹性率的第２层间绝缘膜，其通过如下工序制造：在上述第２层间绝缘膜上通过反射防止膜形成抗蚀膜的工序；对上述...

通过简单的结构同时测试半导体器件。锁存电路（１３ａ）～（１３ｄ）锁存从输入了同一测试信号ｔｅｓｔ的ＤＵＴ（１２ａ）～（１２ｄ）输出的输出信号。Ｐ－Ｓ转换电路（１５）在锁存周期内顺序地输出期望值信号ｅｘｐ和锁存信号Ｄｏｕｔ１～Ｄｏｕｔ４，...

本发明的半导体器件，其由基板、在上述基板上形成的布线图形、和在上述基板上附加于上述布线图形而形成的多个虚设图形构成，在上述多个虚设布线图形的排列中包含不规则分布的、可相对于其它虚设图形进行识别的多个标记虚设图形。

本发明涉及一种包含非易失性存储元件和外围电路的半导体器件及其制造方法，该外围电路包含具有绝缘栅极的场效应晶体管。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括高保持能力的存储元件和具有高驱动电流的绝缘栅极的场效应晶体管。半导体器...

在制造阵列状排列存储单元阵列的强电介质存储器时，在层间绝缘膜上形成Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜、Ｐｔ膜（３）、ＰＺＴ膜（４）及ＩｒＯ↓［２］膜（５）。另外，在形成上部电极时，在用具有向行方向延伸的部分的抗蚀剂掩模进行了ＩｒＯ↓［２］膜（５）...

本发明提供一种半导体装置的制造装置和制造方法。在成膜室（１１）的前级通过挡板等连接着装载闭锁室（１２）。在装载闭锁室（１２）上连接着供给Ｎ↓［２］气体和气体状或雾状的Ｈ↓［２］Ｏ的配管。该配管从汽化器（１３）连接过来。在装载闭锁室（１２...

一种ＣＰＰ结构的磁阻效应设备（３５），其中沿着磁阻薄膜（４４）前部边缘横过磁阻薄膜（４４）的第一区域（４５ａ）在磁区控制薄膜（４５）上形成，具有第一磁场强度的第一偏磁场在第一区域（４５ａ）建立，沿着磁阻薄膜（４４）后部边缘横过磁阻薄膜（...