本发明的漏极（７）包括：与控制栅极（５）相匹配而形成的、低浓度的浅的低浓度杂质区域（７ａ）；与侧壁膜（８）相匹配而形成且比低浓度杂质区域（７ａ）高浓度的深的高浓度杂质区域（７ｂ），由此，利用低浓度杂质区域（７ａ）来改善短沟道效果并提高编...

本发明目的在于提供一种半导体集成电路装置及其控制方法，使得可抑制封装的总端子数的增加并可在封装状态下读出安装芯片的芯片固有信息，并且使芯片固有信息读出所必需的电路的面积与以往相比得到削减。在本发明中，输入脉冲信号外部端子与输出芯片固有信...

本发明提供一种电介质膜的形成方法，其在由使用胺类有机金属原料的ＭＯＣＶＤ法进行的ｈｉｇｈ－Ｋ电介质膜的形成时，能够使在膜中残留的碳的量最小化。在露出被处理衬底表面的工艺空间中，供给包含所述胺类有机金属分子的原料气体，在所述被处理衬底表面...

一种半导体装置，在基板上具有多层布线结构，其特征在于，包括：　　　　第１导电区域；　　　　在相对所述基板位于比所述第１导电区域高的位置上具有上面的第２导电区域；　　　　覆盖所述第１和第２导电区域的绝缘膜；　　　　在所述绝缘膜中形成为使所...

一种薄膜叠层体，其特征在于，由单晶基板、中间层和导电层构成；　　　　所述单晶基板由硅或镓－砷构成；　　　　所述中间层由在所述单晶基板上通过外延生长形成的铝酸镁尖晶石构成；　　　　所述导电层由在所述中间层上通过外延生长形成的铂族元素构成；...

一种半导体装置，其特征在于，包括：　　　　与半导体基板上形成的晶体管一侧的杂质扩散区电连接的多个下部电极；　　　　覆盖上述多个下部电极的表面及侧壁面的强电介质膜；　　　　在上述强电介质膜上与下部电极对向配置的上部电极。

一种半导体器件包括：第一导电图案；第二导电图案，邻近第一导电图案形成；分别形成于第一导电图案指定区域下面和之上的第一导体塞和第二导体塞；第三导体塞，形成于邻近第一导电图案指定区域的第二导电图案指定区域下；第四导体塞，形成于第二导电图案指...

针对光元件与外部的传送光装置不能高效率的光耦合，和用于此目的位置对中困难，以及不容易装卸外部的传送光装置的问题，提供一种进行与外部的光传送路径和光信号的发送或接收的光传送模块，包括：具有确定与外部的光传送路径的位置的结构的框体、搭载光元...

一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在绝缘膜（１）上形成多个焊盘（２）；在其整个表面上形成钝化膜（３）；在钝化膜（３）上形成露出所有焊盘（２）的开口部（３ａ）；在其整个表面上形成其他钝化膜，在该钝化膜上为每个焊盘（２）形成露出焊盘（...

本发明提供具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法和设计方法，在该互连结构中，通路塞密度在上层部分中比在下层部分中要大，其中通过将上层通路塞的密度限制为６０％或更小，在形成上方通路塞时能够避免下方通路塞的剥离，该密度是对于具有每个边为５...

一种铁电体电容器，其特征在于，具有下部电极、形成在所述下部电极上的铁电体膜、以及形成在所述铁电体膜上并由导电性化合物构成的上部电极；　　　　构成所述导电性化合物的正离子也存在于所述铁电体膜中。

本发明提供半导体器件及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体芯片；形成在半导体芯片上的布线层；在第一端处连接到布线层的柱状电极和形成在半导体芯片上的封装树脂。在该半导体器件中，柱状电极具有与第一端相对、从封装树脂突出的第二端，...

本发明提供一种合格率高、能够切割划线区的半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括：（ａ）准备半导体晶片的工序，该半导体晶片包括形成半导体元件的多个芯片区、以及分离上述多个芯片区且内含切断用切割区的划线区，并且在上述划线区内的比切...

一种ＬＳＩ插件，包括ＬＳＩ元件和配线基板。ＬＳＩ元件的多个端子包括第１导电层、和重叠形成在第１导电层上的第２导电层，配线基板的多个端子包括接合在第２导电层的第３导电层和外部连接端子。第１、第２和第３导电层由第２导电层与第３导电层的金属间...

本发明目的在于提供一种固化耐腐蚀性差的抗蚀剂图形的表面以提高其耐腐蚀性且适合于微细、高精细的图形形成的表面固化抗蚀剂图形及其有效的制造方法。本发明的表面固化抗蚀剂图形的制造方法是一种表面具有耐腐蚀性的表面固化抗蚀剂图形的制造方法，其特征...

一种半导体器件，包括：　　　　栅极，形成于半导体衬底上；　　　　源／漏极扩散层，形成于该栅极两侧上的半导体衬底中；以及　　　　硅化物膜，形成于该源／漏极扩散层上，　　　　该硅化物膜由单硅化镍形成，以及　　　　该硅化物膜的膜厚度为２０ｎｍ...

本发明的目的是在半导体集成电流中削减待机时升压电压生成电路中的电流消耗。根据本发明的半导体集成电路的特征是包括：泵电路，通过对外部电源电压进行升压来生成升压电压；检测电路，检测由泵电路生成的升压电压，从而控制泵电路的驱动、非驱动；其中检...

一种垂直平面电流结构的磁阻元件，包括：　　　　限定出与介质相对表面相交的基准面的下电极；　　　　与所述基准面相对隔开预定距离的上电极；　　　　位于所述上电极和下电极之间的空间中的磁阻膜，所述磁阻膜沿所述基准面与所述下电极接触着延伸；和　...

形貌仿真系统、形貌仿真方法以及计算机产品。矩阵计算单元对受一元件的多个面积元之间的位置关系影响的可视性进行评测，以将遮挡效应和再淀积效应反映到仿真结果中。束条件计算单元根据元件在晶片上的位置来计算束条件，以将由所述晶片上的位置差所造成的...

一种半导体器件，包括一半导体芯片，其中在该半导体芯片中心处设置的电路部分与电源线和电源电极连接，以从外部电源向该电路部分供电。衬底被设置为用于在其上承载该半导体芯片，并且被设置为使得在围绕该半导体芯片的区域中设置的第一端子电连接至电源电...