在一种半导体器件中，在减少接合线长度的同时，当将高密度半导体元件安装于低成本的衬底上时，接合线能够彼此平行地应用于高速信号线路的电极。在衬底（２）上安装阻抗匹配衬底（６），其具有与半导体元件（４）的电路阻抗匹配的布线。多条第一金属线（１...

一种布线衬底的形成方法，在被处理衬底的一个主面上形成布线，其特征在于，包含如下工序：　　　　　第一工序：以应形成所述布线的所述衬底的一个主面为基准，对所述衬底的另一个主面实施第一机械加工，将所述衬底的另一个主面平坦化；　　　　第二工序：...

本磁阻效应元件可以通过传统的工艺制造，并且能够限制噪音或泄漏的磁信号的影响，从而可以大大提高磁记录密度。该磁阻效应元件包括：包含自由层的磁阻薄膜；和在磁道宽度方向上分别在自由层的两侧提供的屏蔽部件，该屏蔽部件是软磁薄膜。

本发明提供了一种能够被实际应用的磁性装置的磁性膜，该磁性膜具有大于２．４５Ｔ的饱和磁化强度。该磁性膜是一种由铁、钴和钯组成的合金膜。钯的摩尔含量为１－７％，而且该合金膜通过溅射法形成。本发明还提供了另一种磁性膜，该磁性膜含有交替层叠的铁...

一种制造半导体器件的方法，该半导体器件具有包含铁电薄膜的电容结构，该方法包括：　　　　在具有适合于生长具有平面（１１１）的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底上，形成：包含Ｐｂ且具有与该衬底的表面平行的平面（１１１）的铁电单晶薄膜、或包含Ｐｂ...

在形成强电介质电容器（２３）后，通过高密度等离子ＣＶＤ法或常压ＣＶＤ法形成表面的倾斜度小的绝缘膜（２４）。然后在绝缘膜（２４）上形成氧化铝膜（２５）。按照这样的方法，不会发生氧化膜（２５）的覆盖范围低的问题，并且可以确实保护强电介质电容...

本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法在制造具有用强电介质电容器的存储器的半导体器件的场合，既能通过控制强电介质膜的取向性维持该强电介质膜的良好的强电介质特性，又能使该强电介质膜的膜中杂质和膜中的结晶缺陷减少的半导体器件。因此由...

一种把电介质膜形成在基板表面上的电介质膜形成方法，包含在所述基板表面上分多次形成高Ｋ电介质膜的工序，在所述分多次进行的高Ｋ电介质膜形成工序的各个工序中，在以氮气为主的气氛中对所形成的高Ｋ电介质膜进行改质的处理工序。

公开一种具有微小变形的图像拾取装置，该变形是由用于密封图像拾取元件的透明树脂的热膨胀所引起的。该图像拾取装置包括：具有光接收表面的图像拾取元件；微透镜，用于将入射光聚集到该图像拾取元件；第一透明板，设置于图像拾取元件的光接收表面上，其间...

一种半导体器件，包括：　　　　内部晶体管，其构成内部电路；以及　　　　保护晶体管，其保护所述内部晶体管免受电源接脚之间产生的静电所造成的破损，所述保护晶体管的沟道导电类型对应于所述内部晶体管的导电类型，所述保护晶体管的漏结比所述内部晶体...

本发明公开一种半导体制造方法和曝光掩模。该方法包括具有曝光步骤的光刻工艺，用于利用曝光光线，将掩模的掩模图案的图像投影到光阻层上。该掩模图案包括：第一图案，其具有光透射性，并对应于电路图案；第二图案，其具有相反的光透射性，排列于该第一图...

本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：形成在半导体衬底１０上的第一绝缘膜２６、掩埋在形成的下至源／漏扩散层２２的第一接触孔２８ａ内的第一导电塞３２、形成在第一绝缘膜２６上的电容器４４、形成在第一绝缘膜２６上并覆盖电容器４４的第一...

一种半导体装置的制造方法，首先形成钨插头（２４），在其上形成钨氧化防止屏蔽金属膜（２５）。然后，形成比钨氧化防止屏蔽金属膜（２５）薄的ＳｉＯＮ膜（２７），对ＳｉＯＮ膜（２７）进行氩气溅射蚀刻。结果，ＳｉＯＮ膜（２７）的表面形状变平缓，深...

本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：在硅衬底的表面上形成非易失性存储单元、ｎＭＯＳ晶体管、以及ｐＭＯＳ晶体管；之后形成覆盖该非易失性存储单元、该ｎＭＯＳ晶体管以及该ｐＭＯＳ晶体管的中间层绝缘膜。接下来，在该中间层绝缘膜中，形成分别...

一种半导体器件包括在半导体衬底上形成的应力积聚绝缘膜，以覆盖栅电极和侧壁绝缘膜，该应力积聚绝缘膜在其中积聚应力，其中该应力积聚绝缘膜包括：覆盖栅电极和侧壁绝缘膜的沟道部分；以及在沟道部分之外延伸的外部分，该应力积聚绝缘膜在沟道部分中与在...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括框架，该框架设置于衬底上，以在该衬底上形成半导体芯片容纳部分。半导体芯片设置于该半导体芯片容纳部分中。有机绝缘层设置为覆盖该半导体芯片和该框架。布线层设置于该有机绝缘层上。在该半导体...

本发明提供一种具有铜布线的半导体器件及其制造方法。在基础衬底上方形成由绝缘材料制成的第一层间绝缘膜。贯穿该第一层间绝缘膜形成通孔。在该通孔中填充由铜或主要含有铜的合金制成的导电塞。在该第一层间绝缘膜上方形成由绝缘材料制成的第二层间绝缘膜...

本发明提供一种液晶显示器及其防止影像残留的方法。其中，直接连接至薄膜晶体管的子像素电极，位于电容性耦接至控制电极的浮置子像素电极与栅极总线之间，以防止电荷从栅极总线注入到该浮置子像素电极。此外，电连接至辅助电容总线的屏蔽图案形成在辅助子...

一种半导体器件，其中包括：半导体元件，其具有设置在电路形成表面的外围部分上的第一电极、设置在该电路形成表面上形成第一电极的区域内侧的第二电极、以及连接在所述第一电极和所述第二电极之间的金属线；以及电连接到所述第一电极的外部连接端。

提供一种可以抑制铜布线中的空隙的生长的半导体装置。该半导体装置具有：半导体基板；形成于所述半导体基板上方的绝缘层；第１大马士革布线，其被嵌入所述绝缘层中，包括限定底面和侧面并在内侧限定第１中空部的阻挡金属层、配置在该第１中空部内并在内侧...