ＭＩＳ电容器以及ＭＩＳ电容器的制造方法。在一侧的预定区域内形成有扩散区的硅晶片构成了电容器的下电极。第一金属层连接至第一电源配线ＶＤＤ并构成电容器的上电极。第二金属层连接至第二电源配线ＧＮＤ，并形成在硅晶片的形成有扩散区的一侧上。氧化膜...

在作为发热元件的硅芯片连接表面上，用隔热树脂形成图案，在作为散热部件的散热器连接表面上，用隔热树脂形成图案，并使该图案与该硅芯片上形成的隔热树脂图案对准。然后通过传热板将硅芯片和散热器连接在一起。该硅芯片和散热片由金属连接在一起，从而在...

本发明公开一种用于制造其中电子部件和热散发构件通过热传导构件连接的电子部件器件的方法。该用于制造半导体器件的方法特征在于包括以下步骤：在电子部件上通过气相沉积处理或电镀处理形成板形状金属构件和凹槽金属构件中的一个，在热散发构件上通过气相...

本发明公开了一种半导体器件。具体地说，是一种能够压缩测试时的输入／输出焊盘数量的半导体器件，该半导体器件包括：开关元件，它们由一个在测试时变为有效的开关控制信号导通；以及与输入／输出焊盘连接的公共测试线，其中相邻输入／输出焊盘通过开关元...

本发明提供了一种半导体器件。电容器具有ＭＯＳ栅极结构，其中在栅极接线端和接地端之间具有栅极绝缘膜作为电介质。开关单元连接在栅极接线端和电源之间。接地端连接到地。配备有开关控制电路，其将开关单元的状态在导通态和非导通态之间切换。预定电压和...

本发明的半导体测试系统包括：测试设备（１０），用于测试包括冗余电路的半导体器件以获得半导体器件的有缺陷部件的故障信息；冗余补救判断设备（１４），其包括用于存储故障信息的故障存储器（３６ａ－３６ｄ），和冗余补救判断单元（４０），用于基于存...

半导体器件及其制造方法。公开了一种半导体器件，其能够提高操作过程中的漏击穿电压。该半导体器件包括：第一漏区，被设置为从栅极的位于漏极侧的端部附近沿朝向漏极的方向延伸；漏接触区，形成在第一漏区内，并与漏极相接触；以及第二漏区，形成在漏接触...

一种制造半导体器件的方法，其包括步骤：去除第一导体的接触区域上的第二绝缘膜；在第二绝缘膜上形成第二导电膜；去除第一导体的接触区域上的第二导电膜，以将第二导电膜制成第二导体；形成覆盖第二导体的层间绝缘膜（第三绝缘膜）；在接触区域上的层间绝...

一种磁阻效应元件，包括：晶体材料的电极层（１２）；导电非晶材料的基层（１４），形成在该电极层（１２）之上；晶体材料的反铁磁层（１８），形成在该基层（１４）之上；铁磁层（２０），形成在该反铁磁层（１８）之上，并且具有由该反铁磁层（１８）所...

一种抑制铜迁移的半导体器件，具有：半导体衬底；多个电路区域，形成于半导体衬底上，该电路区域包括在多个供应电压下驱动的电路；一个或多个层间绝缘膜，形成于半导体衬底之上；铜布线，掩埋于一个或多个层间绝缘膜中，同一层的相邻布线之间的最小布线间...

用于制造具有薄壁部（Ｔ１～Ｔ３）的微型结构体的方法，包含如下工序：通过对包含由第一导体层（１１）以及具有与薄壁部（Ｔ１～Ｔ３）的厚度相当的厚度的第二导体层（１２）构成的层叠结构的材料基板，从第一导体层（１１）侧进行第一蚀刻处理，从而在第...

本发明的目的在于在具有多层配线结构的半导体装置中实现一种防止半导体装置的层间绝缘膜的破损或剥离等、运转速度为高速且结构稳定的半导体装置。根据本发明，在具有多层配线结构的半导体装置中，通过在多层配线结构中形成使用了断裂韧性值大的绝缘膜的配...

一种具有由形成在硅基板（１０）上的多晶硅膜所构成的电阻元件（２６）的半导体装置，电阻元件（２６）具有：电阻部（２６ａ），其电阻值被设定为规定的值；接触部（２６ｂ），其形成在电阻部（２６ａ）的两端部，并与施加固定电位的配线相连接；散热部（...

一种超声波安装方法，其通过使用高频超声波提高安装效率，并还能安装大的半导体芯片。该方法使用超声波安装设备将半导体芯片（５２）超声地接合到基板（５０）；该超声波安装设备包括传播超声波振动器的超声波振动的喇叭管（１５），该喇叭管（１５）由具...

一种倒装式安装半导体芯片的方法，其能够在常温下进行接合，并能提高接合的位置精确度。该倒装式安装半导体芯片（５２）的方法包括：在该半导体芯片（５２）安装在基板（５０）上之前或在接合过程中，提供不对绝缘粘合剂（５１）加热的硬化触发的步骤；以...

本发明公开一种制造半导体器件的方法，该半导体器件设置有侧壁层，该侧壁层具有高质量和非常好的形状。使用含碳氮氧化硅膜形成栅极电极侧壁上的侧壁层。这种膜可以使用ＢＴＢＡＳ和氧气作为原材料通过ＣＶＤ法来形成，其中适当设定ＢＴＢＡＳ流速／氧气流...

本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；以及形成在半导体器件的表面上、密封住除了突出电极的顶端部分的上述突出电极的树脂层；上述突出电极具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的导电膜。

接触件支撑在支撑杆上。力传感器连接至该支撑杆。可动件连接至力传感器。压力装置允许该可动件致使该支撑杆的轴向移动。第一导向件用以引导该支撑杆的轴向移动。该第一导向件支撑在该支撑件上。在该可动件移动期间，该支撑件保持静止状态。因此，该可动件...

射频识别标签及其制造方法。本发明提供了一种以非接触方式与外部设备交换信息的射频识别（ＲＦＩＤ）标签，其中将糊剂用作天线材料，并且该ＲＦＩＤ标签被设计为可以避免由于来自ＩＣ芯片的压力引起糊剂隆起而带来的问题。设置有糊剂排出凹部，其中当把具...

ＲＦＩＤ标签及其制造方法。本发明提供了一种射频识别（ＲＦＩＤ）标签，该ＲＦＩＤ标签以非接触方式与外部装置交换信息，其中使用糊剂作为天线材料，并该ＲＦＩＤ标签被设计为限制凸块的下陷。在电路芯片或基片上与凸块邻接的位置处设置阻挡物，用于限制...