一种包含硅酮聚合物的二氧化硅膜形成材料，该硅酮聚合物包括作为聚合物部分结构的ＣＨｘ，Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ键，Ｓｉ－ＣＨ↓［３］键和Ｓｉ－ＣＨｘ－键，其中ｘ代表０－２的整数。

一种将两个或更多个ＩＣ芯片安装到基底上的ＩＣ芯片安装方法，包括步骤：制备晶片，即将带子安装在该晶片的一面，其相反面为待连至基底的安装表面，然后切割该晶片但保留该带子，将该晶片分割成多个ＩＣ芯片；将该晶片面对该基底放置，其方向为该待连至基...

本发明提供一种ＩＣ芯片安装方法，用于将两个或更多个ＩＣ芯片安装到基底上，包括：制备晶片，即将带子安装在该晶片的一面，其相反面为待连接至基底的安装表面，然后切割该晶片但保留该带子，将该晶片分割成多个ＩＣ芯片；将该晶片上的多个ＩＣ芯片依次抵...

本发明提供半导体器件及其制造方法，其能实现微型化且高度集成的ＦｅＲＡＭ超薄半导体芯片，其中尽管为薄型封装结构，但铁电电容器的特性退化能够得到抑制。利用其填充剂含量值设定在重量百分比９０％－９３％的范围内的密封树脂，将该半导体芯片塑封起来...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其能够提高其中导电塞位于电容器正下方的孔的形成精度，并且该方法包括如下步骤：在第一绝缘膜（１１）中的第一和第二孔（１１ａ，１１ｂ）内形成第一和第二导电塞（３２ａ、３２ｂ）；在防氧化绝缘膜（１４）内形...

基板处理装置由下述部分构成：处理容器，其通过排气系统排气，并具备保持被处理基板的基板保持台，并在内部区划出处理空间，由遮蔽板将上述处理空间分割为包括上述被处理基板的表面的第一处理空间部分和由上述处理空间的剩余区域构成的第二处理空间部分，...

在半导体基板（１）的上方形成有具备了下部电极（９ａ）、铁电膜（１０ａ）和上部电极（１１ａ）的铁电电容器，铁电膜（１０ａ）由添加了０．１摩尔％至５摩尔％的Ｌａ作为受主元素、添加了０．１摩尔％至５摩尔％的Ｎｂ作为施主元素的ＣＳＰＺＴ构成。

本发明提供一种半导体器件，其具有由多个功能宏共用的公共电源线这样的节约空间型设计。ＬＳＩ芯片具有多层布线层、防潮环以及多个功能宏（例如Ｉ／Ｏ宏以及Ｉ／Ｏ宏组）。每个功能宏具有电连接到防潮环的ＶＳＳ电源接线端。这种连接使防潮环能够用作多个...

本发明涉及磁阻效应元件、磁头、磁存储装置及磁内存装置。本发明公开一种ＣＰＰ型磁阻效应元件，包括：固定磁化层；非磁性层；以及由ＣｏＦｅＡｌ形成的自由磁化层。ＣｏＦｅＡｌ的成分落入由在三元成分图中依次连接点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ和Ａ的多条直...

本发明提供一种半导体器件制造方法，该方法包括以下步骤：在电子束电流不小于１μＡ但小于３ｍＡ的情况下，通过将砷离子注入到硅衬底的电容器形成区，形成ｎ型杂质扩散区；在硅衬底的电容器形成区中形成电容器介电膜；在电容器介电膜上形成电容器上电极。

一种半导体器件的制造方法，其中当制造具有内置光接收单元的半导体器件时，用于分隔光接收单元的分隔区域受到保护而免于例如由蚀刻引起的破坏。抗反射涂层不仅形成于分隔的光电二极管区域中的光接收区域上，而且形成于分隔的区域上，其中该分隔的区域包括...

半导体器件。提供了一种半导体器件，其包括半导体基板、半导体基板上的第一电阻元件、所述第一电阻元件上方的电容元件、以及所述第一电阻元件与所述电容元件之间的绝缘层。

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：　　　　（ａ）准备在形成了半导体元件的半导体基板上方形成了氧化物电介质电容器的基板的工序；　　　　（ｂ）覆盖上述氧化物电介质电容器而以第一条件的高密度等离子体（ＨＤＰ）ＣＶＤ来堆积氧化硅膜的工...

本发明公开一种回流装置，在该回流装置中使用蚁酸清洗处理物上的焊料电极的表面。该回流装置包括：处理室；蚁酸导入装置，用于将包含蚁酸的氛围气体提供给处理室；以及防护构件，其由对蚁酸具有耐蚀性的材料制成。该防护构件设置在处理室的回流处理部分与...

本发明公开一种电容器及其制造方法和包含该电容器的半导体器件。其中，所述电容器包括：介电膜；形成在所述介电膜的第一主表面上的第一电极膜；形成在所述介电膜的第二主表面上的第二电极膜；从所述第一电极膜延伸到由所述介电膜和所述第一和第二电极膜所...

本发明提供一种能使用ＡｒＦ受激准分子激光的抗蚀图增厚材料；当将其涂覆在具有线图形或其它图形的抗蚀图诸如ＡｒＦ抗蚀图上时，能够增厚抗蚀图而不管抗蚀图尺寸大小如何；其具有优秀的抗蚀性，并且适用于形成超出曝光极限的精细的空间图形或其它图形。本...

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件由包括垂直接线截面的接线结构组成。所述方法包括在接线层上形成由低介电常数材料制成的层间绝缘膜的步骤，通过利用ＳｉＨ↓［４］气体和ＣＯ↓［２］气体的ＣＶＤ在层间绝缘膜上形成氧化硅膜的步骤，...

本发明公开磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置。ＣＰＰ型磁阻元件包括防扩散层以及叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层。该自由磁化层包含ＣｏＭｎＡｌ。该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Ｍ...

本发明提供一种半导体器件的制造方法和晶片及其制造方法，其能够准确地掌握晶片上的芯片位置。该半导体器件的制造方法包括如下步骤：形成最上层布线、钝化膜以及抗蚀层；使用上面形成有焊盘图案的标线片，对抗蚀层的所有曝光投影区域中除了一个曝光投影区...

本发明涉及存储器单元、锁存器等半导体存储装置，其目的在于提供对软错误具有高免疫性的存储器单元等。在本发明中，构成反相器的Ｐ型和Ｎ型晶体管被二倍化，被二倍化的Ｐ型晶体管和Ｎ型晶体管各有一个配置在不同的势阱上。另外，在本发明中，包括：四对连...