具有：铁电电容器４２，其形成在半导体基板１０上，且具有下部电极３６、形成在下部电极３６上的铁电膜３８、形成在铁电膜３８上的上部电极４０；氧化硅膜６０，其形成在半导体基板１０上及上述铁电电容器４２上，且表面被平坦化；平坦的阻挡膜６２，其中...

本发明提供的方法包括步骤：在层间绝缘膜（３４）中形成互连沟槽（３８）；在互连沟槽（３８）形成以Ｃｕ作为主要材料的互连层（４４）；以及在埋置于互连沟槽（３８）中的互连层（４４）的表面上，进行同时喷射溶解有氨和氢的纯水及氮气的氮二流体处理。

当不同的字线被顺次访问时，字译码器为了并行执行访问操作而使字线的激活期间的一部分相互重叠。即，非易失性半导体存储器可进行并行执行访问操作的管线处理。与非易失性存储单元的漏极以及源极连接的位线以及源极线的组合均不相同。因此，即使在为了并行...

本发明提供一种微结构的制造方法及微结构。其中适于避免粘附现象的微结构包括基板、与基板结合的第一结构部、以及具有固定在第一结构部上的固定端且与基板相对的第二结构部。通过对具有叠层结构的材料衬底进行处理的方法制造这样的微结构，其中该叠层结构...

本发明涉及一种微开关器件及其制造方法。所述微开关器件包括：基部；固定部，与所述基部接合；可移动部，沿所述基部延伸，并具有固定至所述固定部的固定端；可移动接触电极膜，设置在所述可移动部的与所述基部相反的一侧；一对固定接触电极，与所述固定部...

本发明公开了一种电极（１０），所述电极（１０）被设置为焊接到电子元件（１２），并且当电子元件（１２）被安装在基板（１３）上时，焊接到基板（１３）。电极（１０）包括柱状电极体（１１），所述柱状电极体（１１）被焊接到电子元件（１２）并且被焊...

提供一种高性能、高可靠性半导体器件及其低成本、高效的制造方法，在该半导体器件中，在用于将半导体芯片安装（例如倒装芯片安装）在衬底上的粘合剂中具有较少气泡。本发明的半导体器件（１０）包括：半导体芯片（１１），具有多个电极焊盘（１２）；和衬...

一种半导体器件，包括：半导体衬底，其主表面上形成光接收元件区；突起部，其设置在该半导体衬底的主表面上的光接收元件区的周围；粘合材料层，其设置在该半导体衬底的主表面上的突起部的外围；以及透明板，其由所述突起部支撑，并通过该粘合材料层固定在...

本发明提供一种用于形成曝光光线阻挡膜的材料，其包含由以下结构式（１）表示的硅化合物和由以下结构式（２）表示的硅化合物中的至少一种，其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］中至少之一由能够吸收曝光光线的取代基代替（在结构式（１）中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］...

本发明提供一种抗蚀覆盖膜形成材料，其可适用于液浸曝光用的抗蚀覆盖膜，并可以透射ＡｒＦ受激准分子激光，并且提供使用抗蚀覆盖膜形成材料来形成抗蚀图的方法。该抗蚀覆盖膜形成材料包含在任一主链和侧链上具有脂环骨架的树脂；它是非光敏的，并且用于形...

本发明公开了一种半导体器件及器件的一种制造方法。半导体器件包括安装了半导体元件、第一加强件、加固树脂构件及用于加固加固树脂构件的第二加强件的衬底。

本发明提供了一种具有接触结构的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：导电区；第一膜和第二膜，其形成在所述导电区上方以实现为一层；以及接触电极，其穿过所述层延伸至所述导电区，并形成为用一部分接触电极代替一部分所述层，其中要被代替的这部...

抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率（ｎｍ／ｓ）之比（要增厚的抗蚀图／表面层）为１．１或更大，或包括在要增厚的抗...

一种半导体装置，其包括：半导体元件，其具有形成有成像区的上表面；透明构件，其与该半导体元件隔开指定的距离并且面向该半导体元件；以及密封构件，其构造为密封该半导体元件的边缘部分和该透明构件的边缘表面；其中，该透明构件中形成有凹槽形成部，所...

一种抗蚀剂组合物，包含：　　　　脂环化合物；以及　　　　树脂，　　　　其中，该脂环化合物的熔点为９０℃－１５０℃。

一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在层间绝缘膜３４中形成互连沟槽３８；在互连沟槽３８中形成以Ｃｕ作为主要材料的互连层４４；以及进行布摩擦处理，在互连沟槽３８中埋置的互连层４４表面上摩擦包含纯水的布２，其中该纯水中溶解有氨和氢。

一种提高ＦｅＲＡＭ抗湿性的半导体器件及其制造方法。在使用焊盘进行探针测试之后，形成金属膜以覆盖保护膜开口中的焊盘以及从该焊盘到该保护膜的开口外围的区域。在该金属膜上形成金属凸点。该金属膜形成为具有第一和第二金属膜的双层结构。主要考虑与该...

一种磁存储装置，其包括磁阻效应元件（５４）和写电流施加电路。其中该磁阻效应元件（５４）包括：磁性层（４２），其具有沿第一方向钉扎的磁化；非磁性层（５０），其形成在该磁性层（４２）上；以及磁性层（５２），其形成在该非磁性层（５０）上，并具...

一种用于形成绝缘膜的组合物，包括：　　　　含３０－９０％的Ｓｉ－ＣＨ↓［３］结合物的硅化合物；和　　　　用于溶解硅化合物的有机溶剂。

本发明的目的是提供一种具有高性能和高可靠性的半导体器件及其有效的制造方法，在该半导体器件中，由于封装半导体衬底期间所形成的热应力而引起的互连层或导电层的脱落受到抑制，因此可防止电击穿。本发明的半导体器件的特征在于包括半导体衬底、互连层（...