在半导体衬底（１０）的上方形成了铁电电容器（４２）之后，形成直接覆盖铁电电容器（４２）的阻挡膜（４６）。其后，形成层间绝缘膜（４８）并将其平坦化。接着，在层间绝缘膜（４８）形成倾斜的沟槽。接着，在整个面上形成阻挡膜（５０）。

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：配线板；安装在配线板上的第一半导体元件；安装在第一半导体元件上的第二半导体元件，并使得第二半导体元件的位置相对于第一半导体元件的位置移位；其中第二半导体元件的主表面的一部分面对第一...

一种磁阻器件、薄膜磁头和磁盘驱动设备，该磁阻器件包括：反铁磁层；第一被钉扎层，其磁化方向被该反铁磁层固定；参考被钉扎层，与该第一被钉扎层反铁磁耦合，并且反平行于该第一被钉扎层；以及自由层，其磁化方向在施加外部磁场下相对于该参考被钉扎层而...

以覆盖焊盘电极（５４ａ）周围且与该焊盘电极电绝缘的状态，形成具有水分以及氢阻挡功能的保护膜（５６）。保护膜材料选择采用比绝缘材料更显著地表现出水分以及氢阻挡功能的具有耐湿性的导电材料，在本发明中采用钯（Ｐｄ）或含有钯的材料、或者铱（Ｉｒ...

一种氮化物半导体器件及其制造方法，该氮化物半导体器件包括：衬底，能够在其上外延生长氮化物半导体层；半导体叠层，在衬底上形成并包括氮化物半导体的沟道层；源极和漏极，在半导体叠层上形成并与所述沟道层欧姆接触；绝缘层，在半导体叠层上形成具有开...

一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜...

一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜...

一种半导体器件及其设计方法，所述半导体器件包括第一布线和第二布线以及多个通孔，所述设计方法包括：确定与通孔列数目的变化相对应的所述半导体器件的第一寿命变化率；确定与通孔行数目的变化相对应的所述半导体器件的第二寿命变化率；根据基于所述第一...

本发明的目的是提供一种形成抗蚀图案的方法，其中ＡｒＦ准分子激光可用作图案化的曝光光源，抗蚀图案可不依赖于抗蚀图案尺寸稳定地增厚到预定厚度，且微小空间图案的精细度可超过曝光设备的曝光或分辨率的极限。本发明的形成抗蚀图案的方法至少包括：形成...

一种对位方法，在形成有多个形成在一次照射曝光区域内且具有多个基本区域的第一图案的基板上，通过对应于各个基本区域的多次照射曝光形成第二图案时，针对形成于基板上的多个第一图案，计测调整标记的位置而作为第一位置信息，基于第一位置信息，计算多个...

为了使用半导体器件的图形微细化，本发明提供一种为了取得光掩模的电路形成用图形的成像的聚焦深度、而使光掩模上的不可分辨辅助结构体（次分辨率辅助特征）最佳化的光掩模的制造方法及使用此光掩模的半导体器件的制造方法。为了解决上述问题，本发明提供...

本发明涉及一种具有多层布线结构的半导体器件及其制造方法，其目的在于，提供一种可靠性及制造成品率高、且在设计上的限制少的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：布线２０、４０、６０、８０，其形成在衬底１０上；低介电常数膜１２、３２...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中上述半导体器件不阻碍电容器下部电极的取向，并在电容器正下方具有在氧气环境中不易氧化的接触塞。半导体器件具有：硅衬底（１）；形成在硅衬底的表层上的第一源极／漏极区域（８ａ）；在第一源极／漏极区域上...

本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜，具有可工作的负ＭＲ比率的特性，可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括：隧道势垒层；和夹着所述隧道势垒层的磁性层。磁性层之一由ＦｅＮ构成。

本发明公开了一种标签制造系统，包括：天线形成设备，其在长度足以布置多个所述基体的长基体片上以如下方式形成多个天线，所述方式使得所述天线被形成为包括多个天线定向的点对称布置，并且所述天线形成设备将所述基体片卷绕成卷体；ＩＣ芯片安装设备，其...

本发明公开了一种观察设备，其用于在倒装芯片安装期间通过底部填充树脂将待安装的本体安装在基板上时观察所述底部填充树脂中产生的空隙，该观察设备包括：安装单元，其将待安装的本体安装在基板上；以及观察单元，其再待安装的本体安装在基板上时观察底部...

一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件中铜布线的抗电迁移性提高。铜布线形成为使得在它的中心部分铜颗粒较大，在它的上部和下部铜颗粒较小。通过镶嵌方法形成具有这种结构的铜布线。可通过控制电镀时的电流密度来形成这种结构。对于具有这种结构的铜...

本发明提供一种半导体器件，其具有：含铁电膜的铁电电容器，具有形成在所述铁电电容器上的第一层的层间绝缘膜，连接到所述铁电电容器的插塞和布线，以及在所述铁电电容器邻近处的虚置插塞。本发明还提供上述半导体器件的制造方法。利用本发明的半导体器件...

本发明提供磁性薄膜和磁阻效应元件。在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。

本发明提供电子元件和电子装置的制造方法。电子元件配置有电极凸起，所述电极凸起使得可以在无需使用焊料来覆盖电路板的连接焊盘的情况下安装电子元件，并且可以在防止安装过程中连接电极发生电短路的同时以窄间距设置电路板的连接焊盘。配置有其中用焊料...