本发明提供一种抗蚀图案形成工艺，其在图案化步骤中甚至能采用ＡｒＦ准分子激光作曝光光源，能够增厚抗蚀图案（例如孔图案）而与其尺寸无关，并能高度精确地减小抗蚀空间图案的尺寸，同时避免改变抗蚀图案的形状，由此使这种工艺简单、廉价和有效，同时突...

本发明提供了一种设备、数据处理设备以及散热件。该设备包括：第一发热部件；第二发热部件，该第二发热部件设置在所述第一发热部件的一侧附近；散热件，该散热件吸收来自所述第一发热部件和所述第二发热部件的热并散热。所述散热件包括：基部，该基部水平...

一种半导体元件的安装方法及半导体器件的制造方法，该安装方法用以经由不含铅（Ｐｂ）的外部连接凸电极将半导体元件安装在布线板上。该安装方法包括如下步骤：应用回流热处理以使半导体元件的外部连接凸电极与布线板相连接，然后以小于等于０．５℃／ｓ的...

该液晶显示器包括：第一基底２，包括栅极总线１２ａ、数据总线２８、形成于栅极总线１２ａ和数据总线２８之间交点附近的薄膜晶体管１８、以及像素电极５２，包括电连接于薄膜晶体管１８的透射电极３２ａ和电连接于透射电极３２ａ的反射电极４８ｂ；第二基...

一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，该绝缘膜包含具有Ｓｉ－ＣＨ↓［３］和Ｓｉ－ＯＨ键的材料；以及用紫外线照射该绝缘膜，其中：在紫外线照射后，通过Ｘ射线电光子分光光谱确定的Ｃ浓度降低率不大于３０％，并且绝缘膜中从Ｃ－Ｈ键、Ｏ－Ｈ键...

本发明公开了一种电子部件模块及其制造方法。该电子部件模块包含：布线衬底；形成于布线衬底上的多个无源器件的无源器件组；以及安装于布线衬底上的器件芯片。上述电子部件模块以如下方式制造：首先，制造包含多个电子部件模块形成区域的布线衬底晶片；随...

本发明提供了一种材料，其包括：由通式（１）表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物；和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂，（ＳｉＯ↓［４／２］）↓［ａ］（Ｒ↓［ｔ］↑［１］ＳｉＯ↓［（４－ｔ）／２］）↓［ｂ］（Ｏ↓［１／２］Ｒ↑［２］）↓...

在形成有半导体集成电路的线路区域内，在半导体基板（１１）的表面上形成元件分离绝缘膜的同时，在监控区域（１）内，按照一定间距形成特定方向上延伸的５条元件分离绝缘膜（１２ｍ）。接着，在线路区域内，在半导体基板（１１）上形成栅极绝缘膜以及栅电...

本发明提供一种易于实现较高Ｑ值的电感元件和集成电子组件。该电感元件，包括：衬底；线圈单元，与所述衬底分隔；和多个导电柱。所述线圈单元包括多个螺旋线圈，其中每个螺旋线圈包括螺旋形线圈引线。配置所述多个螺旋线圈，以使其缠绕方向相同，并且每一...

一种半导体器件及其制造方法，其中在切割出半导体芯片之后，将Ｉｎ－１０原子％Ａｇ球置于金属膜上。接下来，将加强件上的环氧板粘贴到陶瓷衬底上。此时，Ｉｎ合金球夹在中央突出部分与金属膜之间。随后，通过加热、熔化、并随后冷却Ｉｎ合金球，Ｉｎ合金...

一种半导体装置，具有形成在半导体基板１０上的层间绝缘膜３０和铁电电容器４６，该铁电电容器４６具有下部电极３８、形成在下部电极３８上的铁电薄膜４２、形成在铁电薄膜４２上的上部电极４４，该下部电极３８形成在层间绝缘膜３０上，并具有由贵金属或...

本发明涉及磁阻效应元件及其制造方法。所述磁阻效应元件包含：磁化固定层；形成在所述磁化固定层上的阻挡层；和形成在所述阻挡层上的自由层。所述磁阻效应元件的制造方法包括以下步骤：在基板上形成所述磁化固定层；形成金属膜作为所述阻挡层，其中，所述...

本发明提供一种具有大ＭＲ比的隧道磁阻（ＴＭＲ）元件。这种ＴＭＲ元件在磁化固定层与磁化自由层之间形成有隧道阻挡层，在磁化自由层上设置有覆盖层。隧道阻挡层由ＭｇＯ膜形成。磁化自由层由ＣｏＦｅＢ膜形成。覆盖层通过紧接在ＣｏＦｅＢ膜上面形成Ｔｉ...

提供了一种半导体集成电路和测试方法。半导体集成电路包括：输入／输出单元，其被包括于在传播延迟测试期间捕获的路径中，并且具有在输出总线上的输出级缓冲器；终端，其连接到输入／输出单元的输出总线和输入总线。外部负载或者测试设备能够连接到终端。...

一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件，包括：　　　　应力膜，其形成为覆盖源极、漏极、侧壁绝缘层以及栅极，　　　　其中，在所述应力膜中形成从所述应力膜的表面朝向所述侧壁绝缘层延伸的缝隙。

本发明提供一种ＩＣ标签的安装结构及安装用ＩＣ芯片。本发明涉及与天线图案（４４ａ、４４ｂ）电连接而安装有安装用ＩＣ芯片（１０）的ＩＣ标签的安装结构，在所述天线图案（４４ａ、４４ｂ）上安装安装用ＩＣ芯片（１０）的组装作业变得容易，可降低ＩＣ...

一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方...

在半导体衬底（１０）的上方形成铁电电容器（４２）后，形成直接覆盖铁电电容器（４２）的阻挡膜（４６）。然后，形成与铁电电容器（４２）连接的布线（５６ａ等）。进一步，在布线（４２）的上方形成阻挡膜（５８）。而且，在形成阻挡膜（４６）时形成层...

具有：多个实际工作电容器３６ａ，所述多个实际工作电容器３６ａ排列形成在半导体衬底１０上的实际工作电容器部２６上，并具有下部电极３０、铁电膜３２以及上部电极３４；多个虚设电容器３６ｂ，所述多个虚设电容器３６ｂ排列形成在虚设电容器部２８上，...

在铁电电容器结构（３０）采用堆叠型电容器结构时，为了除去导电插塞（２２）的表面的取向性及高度差对铁电膜（４０）的影响，在下部电极（３９）（或者阻挡导电膜）与导电插塞（２２）之间形成层间绝缘膜（２７）。层间绝缘膜（２７）是，通过平坦化其表...