半导体器件及其制造方法技术

一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件，包括：　　　　应力膜，其形成为覆盖源极、漏极、侧壁绝缘层以及栅极，　　　　其中，在所述应力膜中形成从所述应力膜的表面朝向所述侧壁绝缘层延伸的缝隙。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法。更具体地，本专利技术涉及一种具有金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管的半导体器件。 本专利技术还涉及该半导体器件的制造方法。
技术介绍
作为一种加快MOS场效应晶体管(以下称为MOSFET)的运行速度的 技术，目前已经采用向沟道施加预定应力以使沟道晶体发生应变从而增大载 流子的沟道迁移率的应变技术。向沟道部分施加应力的技术的例子包括改变作为元件隔离区的浅沟槽 隔离(STI)内填充的材料，从而改变施加给沟道的应力的技术；在源极区 或漏极区中嵌入晶格常数不同于硅衬底晶格常数的材料从而给沟道施加应 力的技术；以及在源极区或漏极区上形成硅化物从而通过所述硅化物和硅衬 底之间的热膨胀差异而给沟道施加应力的技术。此外，向沟道部分施加应力的技术的例子还包括采用接触蚀刻停止衬膜 (以下称为CESL膜)覆盖MOSFET从而利用CESL膜的内应力而给沟道施 加应力的技术。根据该技术，可以低耗费地将应力施加给沟道。作为利用这种应力膜的例子，例如日本未审査专利公开号No.2005-5633 公开了一种半导体器件，其中在源极区以及漏极区上形成应力膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件，包括：应力膜，其形成为覆盖源极、漏极、侧壁绝缘层以及栅极，其中，在所述应力膜中形成从所述应力膜的表面朝向所述侧壁绝缘层延伸的缝隙。

【技术特征摘要】
1、一种具有金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件，包括应力膜，其形成为覆盖源极、漏极、侧壁绝缘层以及栅极，其中，在所述应力膜中形成从所述应力膜的表面朝向所述侧壁绝缘层延伸的缝隙。2、 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁绝缘层由多个 绝缘膜形成，且各所述绝缘膜具有不同的组分。3、 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述缝隙形成为延伸至 所述侧壁绝缘层的、位于所述源极侧的端部和位于所述漏极侧的端部。4、 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁绝缘层形成为L形。5、 根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述缝隙形成为靠近所 述L形侧壁绝缘层的弯折部延伸。6、 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，用于使沟道产生压应变 的所述应力膜形成在p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、漏极和 栅极上。7、 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，用于使沟道产生拉应变 的所述应力膜形成在n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、漏极和 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：田村直义，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP