显示装置的制造方法以及蚀刻设备制造方法及图纸

在绝缘层的开口形成区域上与绝缘层接触地配置管子，并且经过该管子将处理剂（蚀刻气体或蚀刻液）喷出到绝缘层上。借助于喷出了的处理剂（蚀刻气体或蚀刻液）选择性地去除绝缘层，以在绝缘层中形成开口。因此，具有开口的绝缘层形成在第一导电层上，从而位于绝缘层下的第一导电层露出在开口的底面。在开口中与露出了的第一导电层接触地形成第二导电层，而在设置于绝缘层中的开口中使第一导电层和第二导电层电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对微小的区域选择性地进行蚀刻加工用的制造技术。特别涉及 形成有微细的开口的集成电路衬底的制造技术，该集成电路衬底被用于平面显 示器等的显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(下文中也称作TFT)及采用薄膜晶体管的电子电路，是采用如下方法来制造的在衬底上层叠半导体膜、绝缘膜、以及导电膜等的各种 薄膜，并且适当地利用光刻技术来形成预定的图形。光刻技术是通过利用光， 将被称作光掩模的透明平板表面上由不透光的材料形成的电路等的图形转印 到目标衬底上的技术，该技术已经广泛应用在半导体集成电路等的制造工序 中。在采用常规光刻技术的制造工序中，为了仅处理使用被称作光致抗蚀剂的 光敏有机树脂材料而形成的掩模图形，需要如曝光、显影、焙烧、以及剥离的 多级工序。因此，光刻工序的次数越多，制造成本越不可避免地增加。为了改善这种问题，已经设法减少光刻工序来制造TFT(例如，参照专利文献1)。在 专利文献1中，在一次使用通过光刻工序而形成的抗蚀剂掩模之后，通过膨胀 而使其体积增大，来再一次使用它作为具有不同形状的抗蚀剂掩模。[专利文献1]日本专利申请特开2000-133636号公报 这样，在半导体集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：　　　　形成第一导电层；　　　　在所述第一导电层上形成绝缘层；　　　　配置与所述绝缘层接触的管子；　　　　通过所述管子向所述绝缘层供应处理剂，以在所述绝缘层中形成到达所述第一导电层的开口；以及　　　　至少在所述开口中形成与所述第一导电层接触的第二导电层。

【技术特征摘要】
JP 2006-10-12 2006-2792061.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤形成第一导电层；在所述第一导电层上形成绝缘层；配置与所述绝缘层接触的管子；通过所述管子向所述绝缘层供应处理剂，以在所述绝缘层中形成到达所述第一导电层的开口；以及至少在所述开口中形成与所述第一导电层接触的第二导电层。2. 根据权利要求l所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过经 所述管子放出包含导电材料的组合物来形成所述第二导电层。3. 根据权利要求l所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处 理剂在从所述管子被放出之后，通过所述管子被吸附并被除去。4. 根据权利要求l所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述管 子为针状。5. 根据权利要求l所示的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处 理剂是蚀刻气体或蚀刻液。6. —种半导体器件的制造方法，包括以下步骤 形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层中戳入管子以形成第一开口；通过所述管子向所述第一绝缘层供应处理剂，以在所述第一绝缘层中形成到达所述第一导电层的第二开口；以及至少在所述第一开口及所述第二开口中形成与所述第一导电层接触的第 二导电层。7. 根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过经所述管子放出包含导电材料的组合物来形成所述第二导电层。8. 根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处 理剂在从所述管子被放出之后，通过所述管子被吸附并被除去。9. 根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述管 子为针状。10. 根据权利要求6所示的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处 理剂是蚀刻气体或蚀刻液。11. 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤 形成栅电极层；形成与所述栅电极层邻接的栅极绝缘层；形成与所述栅极绝缘层邻接的半导体层；形成与所述半导体层邻接的源电极层及漏电极层；在所述源电极层及所述漏电极层上形成绝缘层；配置与所述绝缘层接触的管子；通过经所述管子给所述绝缘层供应处理剂，以在所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中幸一郎，森末将文，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]