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在绝缘层的开口形成区域上与绝缘层接触地配置管子，并且经过该管子将处理剂（蚀刻气体或蚀刻液）喷出到绝缘层上。借助于喷出了的处理剂（蚀刻气体或蚀刻液）选择性地去除绝缘层，以在绝缘层中形成开口。因此，具有开口的绝缘层形成在第一导电层上，从而位于绝...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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