本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；ＡｌＮ层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述ＡｌＮ层上外延生长，其中，所述ＡｌＮ层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比...

本发明公开一种电子器件及其制造方法，该电子器件包括：导电图案，形成在第一绝缘膜上；第二绝缘膜，形成在所述导电图案和所述第一绝缘膜上；孔，形成在所述导电图案上的所述第二绝缘膜中；多个碳纳米管，形成在所述孔中，从所述导电图案的表面延伸；以及...

一种将两个或更多个ＩＣ芯片安装到基底上的ＩＣ芯片安装方法，包括步骤：制备晶片，即将带子安装在该晶片的一面，其相反面为待连至基底的安装表面，然后切割该晶片但保留该带子，将该晶片分割成多个ＩＣ芯片；并且通过折叠来收缩待安装ＩＣ芯片的基底，使...

本发明提供一种半导体器件结构，其中，围绕半导体元件设置的多个引线之间的间隔可以变窄，从而增加引线的数量，并且防止或减小引线之间的电干扰，从而在引线之间不产生串音干扰。本发明的半导体器件包括：半导体元件以及围绕该半导体元件设置的多个引线。...

一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有：形成有有源元件的半导体衬底，以覆盖上述有源元件的方式形成在上述半导体衬底上的防氧化膜，形成在上述防氧化膜上，并具有依次层叠下部电极、铁电膜以及上部电极的结构的铁电电容器，以覆盖上述铁电电容器的...

根据实施例的方案的一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在多个硅衬底的后表面上形成第一绝缘膜；将所述多个硅衬底退火，以使所述第一绝缘膜中的氧化物脱气；以及将所述硅衬底退火之后，以成批处理的方式将所述多个硅衬底的表面氧化。

获得一种具有即使进行微细化处理，其漏电流小且工序劣化程度小的铁电电容器的半导体器件。所述半导体器件具有：半导体衬底，半导体元件，其形成在半导体衬底上，绝缘膜，其覆盖半导体元件，并形成在半导体衬底上方，下部绝缘性氢扩散防止膜，其形成在绝缘...

在电子部件（１６）上配置有固态的接合材料（２２）。使热传导部件（２１）与接合材料（２２）的表面重合。即使将流动性的热硬化性粘接剂（２７、２８）夹持在热传导部件（２１）与基板（１５）之间，也可以由固态的接合材料（２２）的表面支承热传导部件...

在半导体器件的制造方法中，在半导体衬底（１１）上形成元件分离用沟槽（１４）；在半导体衬底的整个面上，中间隔着绝缘薄膜（１２、７２）形成具有不能完全填埋所述沟槽的厚度的第一多晶硅膜（１５ａ、３５ａ）；以杂质不穿透衬底表面的能量，向所述第一...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括在绝缘衬底上形成ＧａＮ层和ｎ型ＡｌＧａＮ层，然后在这些层上形成栅电极、源电极和漏电极。接着在源电极、ＧａＮ层和ｎ型ＡｌＧａＮ层中形成开口至少到达绝缘衬底的表面。然后在开口中形成镍（Ｎｉ）层...

本发明的课题是提供一种具有元件分离区域的半导体器件，该元件分离区域用于控制Ｐ型ＭＯＳ晶体管或Ｎ型ＭＯＳ晶体管的有源区域的变形，使其成为规定状态。本发明的半导体器件的特征在于，具有形成有ＭＯＳ晶体管的有源区域、以包围有源区域周围的方式形成...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底（１）的上方，形成了铁电电容器之后，形成布线（２４ａ）。形成将布线（２４ａ）覆盖的阻挡膜（２５）。形成氧化硅膜（２６），该氧化硅膜（２６）填埋相邻布线（２４ａ）之间的间隙。通过ＣＭＰ法研...

本发明提供一种具有如下特征的半导体器件的制造方法，即，实现防止ＭＯＳ晶体管的袋状杂质区域内所包含的杂质的再扩散以及杂质活化的提高，同时抑制ＭＯＳ晶体管的特性降低。本发明的半导体器件的制造方法因为具有如下特征所以能够解决上述问题，即，包括...

在本发明中，分开制作低泄漏晶体管和高性能晶体管的栅极绝缘膜。通过第一膜形成处理，在硅基板上形成第一ＳｉＯＮ膜（步骤Ｓ１）。在低泄漏晶体管的形成区域保留该第一ＳｉＯＮ膜，在高性能晶体管的形成区域除去该第一ＳｉＯＮ膜（步骤Ｓ２）。而且，通过...

本发明公开了一种抛光装置、基板制造方法及电子装置的制造方法，其中的抛光装置设置成对工件的两个表面同时进行抛光，该抛光装置包括：载体，其具有设置成容放所述工件的孔；和固定构件，其接触并固定位于孔中的工件。

本发明公开了一种抛光装置、基板制造方法及电子装置的制造方法，其中的抛光装置设置成对工件的两个表面同时进行抛光，该抛光装置包括：恒星齿轮，其绕着一对抛光表面中的一个抛光表面的旋转轴设置；载体，其具有设置成容放所述工件的孔，所述载体包括齿以...

本发明公开了一种抛光装置、抛光方法、基板制造方法及电子装置的制造方法，该抛光装置设置为可对工件的两个表面同时进行抛光，所述抛光装置包括：一对座，其沿相反的方向旋转；一对检测单元，其设置为检测该对座中相应的一个座的转速；施压单元，其设置为...

本发明公开了一种抛光方法、基板制造方法及电子装置的制造方法，该抛光方法用于对工件的两个表面同时进行抛光，包括以下步骤：将工件插入到载体的孔中，并利用固定构件固定该工件；将该载体连接到抛光装置；同时抛光该工件的两个表面；以及在抛光步骤之后...

本发明涉及一种具有中继板的半导体器件的制造方法，该制造方法包括如下步骤：ａ）将膜状粘附剂粘附到该中继板上；ｂ）在第一部分处仅切割该中继板，而在第二部分处切割该中继板和粘附到该中继板上的粘附剂，从而形成多个分割的粘附在共用的单一膜状粘附剂...

本发明的光源装置包括放电管（２４）、反射从放电管（２４）发射的光的反射镜（２６）、用来将放电管（２４）支持在反射镜（２６）上的支持材料（２５）。防止放电管（２４）的电极附近的部分的温度低下那样地以隔热性的结构形成支持材料（２５）或放电管...