本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上方形成第一绝缘膜；通过将杂质离子注入所述第一绝缘膜的预定深度，在所述第一绝缘膜中形成杂质层；以及在形成所述杂质层后，通过对所述第一绝缘膜进行退火，将所述杂质层改造...

一种ＣＰＰ型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由ＣｏＦｅＧｅ形成，所述ＣｏＦｅＧｅ的成分落入三元成分图表中由连接坐标点Ａ、Ｂ、...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：形成设置有浮栅、中间绝缘膜、及控制栅的闪存单元；形成第一杂质扩散区和第二杂质扩散区；将硅衬底和浮栅的表面热氧化；经由光致抗蚀剂图案的窗口蚀刻部分区域中的隧道绝缘膜；在部分区域...

本发明公开一种半导体器件的制造方法。在Ｓｉ衬底上形成元素隔离绝缘膜、ｎ阱和ｐ阱之后，作为预处理，对该Ｓｉ衬底进行清洗（步骤Ｓ１）。通过快速热氧化（ＲＴＯ）来热氧化该Ｓｉ衬底的表面，以形成氧化硅膜（步骤Ｓ２）作为下层氧化膜。对该氧化硅膜进...

本发明提供一种ＲＦＩＤ标签和ＲＦＩＤ标签制造方法。其中，第一焊盘具有第一和第二子焊盘，它们通过以与被安装的安装焊盘重叠的方式延伸的连接部分而彼此连接，并且它们分别连接到在所述电路芯片的下表面的一条对角线上的两个位置形成的端子中的两个。第...

本发明提供了一种安装电子组件的方法和安装设备。在将电子组件安装在基板上的方法中，所述基板和所述电子组件中的至少一个上的电极端子由焊点组成。将所述基板的电极端子和所述电子组件的电极端子相接触地放置，并且对所述基板和所述电子组件中的至少一个...

本发明的标线的主图案（１１）和监控图案（１２）中的遮光膜（４）的厚度不同，与主图案（１１）相比，监控图案（１２）形成得更厚。由此，在ＣＤ－焦距曲线中，焦距值成为最佳值的焦距中心从极值偏移，然后利用该偏移的焦距中心监视偏移量，由此指定焦距...

一种半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，半导体元件的外侧连接端子与布线板的电极通过导电粘合剂互相连接，所述导电粘合剂包括：第一导电粘合剂；以及第二导电粘合剂，覆盖所述第一导电粘合剂；其中，所述第一导电粘合剂包含导电填充物，所述导电...

一种可移动微器件，包括可移动部件、框架及连接部件。可移动部件具有主要部分、第一电容器电极及第一驱动器电极。电容器电极和驱动器电极具有从主要部分延伸的电极齿。框架包括第二电容器电极和第二驱动器电极，其中第二电容器电极具有朝向第一电容器电极...

本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性（例如抗蚀性和液体试剂抗性）优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层互连结构的方法，以及一种有效制造高速和可靠性高的半导体器件的方法。所...

本发明涉及一种在透射和反射模式下均能显示的透反射式液晶显示器制造方法，并提供一种在透射和反射模式下均能实现高显示特性的透反射式液晶显示器制造方法。该方法包括如下步骤：在形成薄膜晶体管的栅极同时，在该对基板的另一基板上形成用于形成不规则变...

本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：硅衬底，在单元区中设置有多个单元有源区；元件隔离槽，形成在所述硅衬底中多个单元有源区的任何两个单元有源区之间的部分中；电容器电介质膜，形成在所述元件隔离槽中；电容器上电...

本发明提供一种布线板、电子部件的安装结构以及半导体器件。其中该布线板包括：主表面，在所述主表面上以面朝下方式安装有电子部件，以使所述电子部件的具有多个外部连接端子的一个表面面向所述布线板的主表面，所述电子部件通过粘合剂被固定到所述布线板...

本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Ｓｉ衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Ｓｉ衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Ｓｉ衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；...

本发明公开一种树脂密封方法、树脂密封模和树脂密封设备，该树脂密封方法包括步骤：在上模与下模之间设置中间模，所述中间模具有容置树脂密封部分的型腔形成部分；以及经由横浇口将密封树脂引入所述中间模的所述型腔形成部分以及所述中间模的另一主表面，...

本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由ＮｉＦｅＮ制成的底层（２）设置于衬底的主表面之上。由包含Ｉｒ和Ｍｎ的反铁磁材料制成的钉扎层（３）设置于底层上。由铁磁材料制成的基准层（４ｃ）设置于钉扎层之上，其中...

本发明公开了一种布线结构及其形成方法。根据本发明一个实施例，通过自接触块的相对面朝彼此的相对面生长多个ＣＮＴ来形成ＣＮＴ束；以及，通过接触所述多个ＣＮＴ使它们相交，以实现彼此的电连接。随后，以金属材料填充电连接后的ＣＮＴ束的间隙，因此形...

本发明提供半导体可变电容器及其制造方法。该半导体可变电容器包括电容器和第二导电类型的ｐ阱（１４）。该电容器包括：形成在半导体衬底（１０）的第一区域中的ｎ阱（１６）；形成在半导体衬底（１０）上方的绝缘膜（１８）；以及形成在ｎ阱（１６）上方...

本发明提供了一种驱动控制微机械装置的设备和方法。在所述驱动控制微机械装置的方法中，所述微机械装置包括两个相对的电极和夹在电极之间的电介质层，在两个所述电极之间提供控制电压，所述控制电压为正极性和负极性交替反转的矩形波形。关于正侧和负侧检...

本发明提供一种微移动器件、晶片及其制造方法。该微移动器件通过加工多层结构的材料基板而获得，该多层结构包括：第一层；第二层，在其位于该第一层一侧的表面上具有微细粗糙区；以及中间层，其设置在该第一层与该第二层之间，该微移动器件包括在该第一层...