【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于再现磁记录介质或存储器件中的信息的磁阻器件，尤其涉及一种电流垂直于平面(CPP)的磁阻器件，其中感测电流在垂直通过多层平面的方向上流动。
技术介绍
近年以来， 一直将巨磁阻(GMR)器件用作磁存储设备中磁头的信息再 现器件，以再现磁记录介质中的信息。GMR器件利用巨磁阻效应，即外部 磁场引起电阻变化。当再现磁记录介质的信息时，通过GMR器件检测从磁 记录介质泄漏的磁场的方向变化并将其转换为电阻的变化。随着高密度记录 技术的发展，使用自旋阀膜结构的磁阻器件成为主流。自旋阀膜结构是一种 多层结构，包括磁化被钉扎层(magnetization pinned layer)，其磁化被钉 扎或固定在预定方向上；非磁层；以及磁化自由层，其磁化可响应从磁记录 介质泄漏的磁场的方向或强度而旋转。自旋阀膜结构的电阻根据磁化被钉扎 层与磁化自由层的磁化方向之间的角度而变化。通过向自旋阀膜结构提供感 测电流，检测电阻变化作为电压变化，再现出记录在磁记录介质中的位值(bit value) o传统上在磁阻器件中使用CIP (电流在平面内)结构，其中感测电流在 自旋阀的...
【技术保护点】
一种ＣＰＰ型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间；其中，所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层中的至少一个由ＣｏＦｅＧｅ形成，以及其中，所述ＣｏＦｅＧｅ的成分落入三元成分图表中由连接坐标点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ的线段所限定的范围内，其中点Ａ为（４２．５，３０，２７．５），点Ｂ为（３５，５２．５，１２．５），点Ｃ为（５７．５，３０．０，１２．５），点Ｄ为（４５．０，２７．５，２７．５），并且其中各坐标点由用原子百分比（ａｔ．％）表示的（Ｃｏ，Ｆｅ，Ｇｅ）的含量百分比来表示。
【技术特征摘要】
JP 2007-2-19 2007-0381981、一种CPP型磁阻器件，包括磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间；其中，所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层中的至少一个由CoFeGe形成，以及其中，所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、D的线段所限定的范围内，其中点A为(42.5，30，27.5)，点B为(35，52.5，12.5)，点C为(57.5，30.0，12.5)，点D为(45.0，27.5，27.5)，并且其中各坐标点由用原子百分比(at.％)表示的(Co，Fe，Ge)的含量百分比来表示。2、 如权利要求1所述的磁阻器件，其中，当所述磁化自由层和所述磁 化被钉扎层中的一个由CoFeGe形成时，另一个由CoFeGe或CoFeAl形成。3、 如权利要求1所述的磁阻器件，还包括界面磁层，插入在所述非磁层与用于所述磁化自由层和所述磁化被钉扎 层中的至少一个的CoFeGe层之间。4、 如权利要求1所述的磁阻器件，还包括对称设置的磁化被钉扎层，所述对称设置的磁化被钉扎层与所述磁化被 钉扎层关于所述磁化自由层对称；以及第二非磁层，插入在所述磁化自由层与所述对称设置的磁化被钉扎层之间；其中，所述磁化自由层、所述磁化被钉扎层以及所述对称设置的磁化被 钉扎层中的至少一个由具有所述成分的CoFeGe形成。5、 如权利要求4所述的磁阻器件，还包括 第一界面磁层和第二界面磁层；其中，所述磁化自由层位于所述非磁层与所述第二非磁层之间，以及 其中，所述第一界面磁层设置在所述磁化自由层与所述非磁层之间，而 所述第二界面磁层设置在所述磁化自由层与所述第二非磁层之间。6、 如权利要求3所述的磁阻器件，其中，所述界面磁层由包括CoxFe(K)o-x)(0《X《100at.%) 、 Ni8oFe或者CoFeAl的磁合金形成。7、 如权利要求5所述的磁阻器件，其中，所述第一界面磁层和第二界 面磁层由包括CoxFe(1()().x) (0《X《100 at.%) 、 Ni...
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