【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用在由LSI所代表的半导体器件等中的布线结构,特 别是涉及一种应用线性结构的,其中该线性结构使用 具有微细结构、高导电特性和高额定电流密度的碳元素作为布线材料。
技术介绍
近年来,由多媒体领域所引领的LSI市场,特别是,例如游戏机、便携 式终端等正在稳步发展。关于应用在LSI中的布线,现有技术中广泛使用的 铜(Cu)布线的广泛应用被认为未来会在电阻或电力密度等方面达到极限。因此,作为铜(Cu)布线的选择性替代品,由具有低阻抗和耐高电流密 度性的碳元素制成的线性结构正在引起关注。对于该线性结构,可以列举的 有所谓的碳纳米管(carbon nano tube, CNT)、碳纳米纤维(carbon nano fiber, CNF)等,因为其多种诱人的物理特性而引人注目。传统上,已有一些建议将CNT应用于LSI布线,而且,例如,正在积 极组织将CNT束应用在垂直方向上的通路连接(via co皿ection)中的研究(参 阅非专利文献l)。然而,在LSI布线中,无疑会要求CNT不仅应用在垂直 方向上的通路连接中,而且还应用在横向方向上的布线中。作为形成 ...
【技术保护点】
一种布线结构,包括: 一对块状基底导体,其以预定间隔放置并彼此相对;以及 布线,其电连接所述基底导体, 其中所述布线由多个线性结构组成,所述线性结构均由自各所述基底导体的各相对面垂直形成的碳元素制成,且所述线性结构的一部分在所述相对面之间相交并接触,以实现彼此的电连接。
【技术特征摘要】
JP 2007-3-29 2007-0890111.一种布线结构,包括一对块状基底导体,其以预定间隔放置并彼此相对;以及布线,其电连接所述基底导体,其中所述布线由多个线性结构组成,所述线性结构均由自各所述基底导体的各相对面垂直形成的碳元素制成,且所述线性结构的一部分在所述相对面之间相交并接触,以实现彼此的电连接。2. 如权利要求1所述的布线结构,其中通过在所述基底导体之间填充金属材料以覆盖所述线性结构,所述 布线由包含所述线性结构和所述金属材料的复合材料形成。3. 如权利要求l所述的布线结构,其中所述各相对面配备有用于所述线性结构的催化剂材料,通过使用所述催 化剂材料作为晶核来生长待形成的所述线性结构。4. 如权利要求1所述的布线结构,其中 所述线性结构为碳纳米管或碳纳米纤维。5. 如权利要求1所述的布线结构,其中所述基底导体由选自包含钛Ti、氮化钛TiN、钨W、钼Mo和银Ag的 组中的至少一种元素制成,或者由包含选自该组中的至少一种元素的合金制 成。6. 如权利要求1所述的布线结构,其中组成所述复合材料的所述金属材料由选自包含铜Cu、钛Ti、氮化钛TiN、 鸭W、钼Mo和银Ag的组中的至少一种元素制成,或者由包含选自该组中 的至少一种元素的合金制成。7. 如权利要求l所述的布线结构,其中水平排列一对或多对所述基底导体,且在横向方向上形成所述布线,以 构成层结构。8. 如权利要求7所述的布线结构,其中以多个层堆叠所述层结构,且多个通路部分插置在所述多个层之间以电 连接上方和下方的所述基底导体,从而形成三维布线网结构。9. 如权利要求8所述的布线结构,其中 所述通路部分由所述线性结构制成。10. 如权利要求l所述的布线结构,其中 自所述各相对面形成一个或多个所述线性结构。11. 一种布线结构形成方法,包括如下步骤形成一对块状基底导体,使得所述块状基底导体以预定间...
【专利技术属性】
技术研发人员:二瓶瑞久,佐藤信太郎,近藤大雄,粟野祐二,
申请(专利权)人:富士通株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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