本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括安装衬底；以及半导体芯片，经由金属块安装在该安装衬底上，其中该金属块包括与该半导体芯片接合的内部部件和覆盖该内部部件的外部部件，该外部部件具有比该内部部件高的硬度。

一种具有合成铁钉扎旋阀结构的ＣＰＰ型磁阻效应器件，该旋阀结构包括缓冲层、被钉扎铁磁层、非磁金属中间层和自由铁磁层，该自由铁磁层由具有特定成分的ＣｏＦｅＡｌ或ＣｏＭｎＡｌ制成，该缓冲层包括非晶金属底层和非磁金属顶层。该磁阻效应器件增大输出...

本发明公开了一种半导体器件，其包括：一端通过开关连接到电源的电熔丝；一端通过开关连接到地的电熔丝；连接在电熔丝的另一端和地之间并且当要切割电熔丝时被选择的开关；以及分别连接在电熔丝的一侧的端的第一焊盘和第二焊盘。根据要被记录的信息从第一...

本发明提供获得ＴＤＤＢ耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体...

在半导体基板上形成半导体元件后，在上述半导体元件的上方形成一个或两个以上的配线层。接着，在最上配线层的上方形成防止水分进入到其下层侧的水分进入防止膜。并且，在上述水分进入防止膜的上方，形成与上述半导体元件连接的焊盘按照这样的方法，可以更...

半导体器件包括：衬底；半导体元件，其装载在衬底上；散热部件，其覆盖半导体元件而安装在衬底上；封装树脂，其覆盖半导体元件。集成电容器与半导体元件相对置而安装在散热部件上，而且与半导体元件电连接。集成电容器的端子与半导体元件的端子以最短距离...

一种将光接收元件部分、ＣＭＯＳ元件以及具有双层多晶硅结构的双极晶体管元件形成在一个芯片上的半导体器件的制造方法，该半导体器件能够高速运行和宽带运行。通过进行相同导电类型的离子注入，相同导电类型的扩散层（其实例包括Ｎ型扩散层，作为Ｐ型扩散...

一种半导体器件的制造方法，包括：　　　　结合步骤，在该步骤中通过固相扩散将基板的电极端子与半导体芯片的电极端子倒装芯片结合；　　　　底部填料填充步骤，在该步骤中用包括热塑性树脂的底部填充材料填充该基板与该半导体芯片之间的间隙；以及　　　...

射频识别标签及其制造方法。本发明提供了一种射频识别ＲＦＩＤ标签包括：基片；设置在所述基片上的用于通信的天线；通过凸块连接到所述天线的电路芯片，所述电路芯片通过所述天线进行无线通信，其中所述天线由金属填料和树脂材料混合成的糊剂形成；并且在...

ＲＦＩＤ标签及其制造方法。本发明提供了一种射频识别（ＲＦＩＤ）标签，该ＲＦＩＤ标签包括：基片；设置在所述基片上的通信用天线；通过凸块连接到所述天线上的电路芯片，所述电路芯片通过所述天线执行无线通信，其中所述天线由金属填料与树脂材料混合而...

ＲＦＩＤ标签及其制造方法。本发明提供了一种射频识别（ＲＦＩＤ）标签，该ＲＦＩＤ标签包括：基片；设置在所述基片上的通信用天线；以及通过凸块连接到所述天线上的电路芯片，所述电路芯片通过所述天线执行无线通信，其中所述天线由金属填料与树脂材料混...

一种半导体器件，包括：　　　　多个器件图案，形成在衬底表面上，构成部分电子电路；以及　　　　符号图案，形成在与所述器件图案同一层中，将要用作识别标记；　　　　其中，所述器件图案的宽度位于设计规则的图案宽度范围内，所述符号图案由隔离的多个...

本发明提供了一种制作金属图案的方法。即使在基板上具有研磨速率不同的材料，如金属层和绝缘层，该制作金属图案的方法也可以研磨基板的表面以形成平坦表面，并且可以把金属层无波动地研磨至预定厚度。该方法包括以下步骤：在基板表面上形成绝缘膜以覆盖具...

本发明提供一种半导体器件的制造方法。所述制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成层间绝缘膜；平面化层间绝缘膜的表面；在层间绝缘膜上形成氧化铝膜；在氧化气氛中加热氧化铝膜；以及在氧化铝膜上形成铁电电容器。通过本发明的制造方法，可以防止过量...

本发明提供了一种对曝光位置标记的位移进行检测的方法。这些曝光位置标记由以内四边形图案和外四边形图案组成的第一图案和被形成为其内边缘和外边缘被形成为四边形图案的矩形框的第二图案构成。第一图案和第二图案被形成为使得第一图案和第二图案的中心位...

本发明公开一种ＲＦＩＤ标签制造方法及ＲＦＩＤ标签，ＲＦＩＤ标签制造方法用于制造具有平整表面并用作金属标签的ＲＦＩＤ标签。该方法包括：表面层形成步骤，在形成金属天线图案的基板上形成具有预定厚度的表面层；以及安装步骤，用于将电路芯片安装到基...

本发明提供了一种图案制造方法。该图案制造方法可高精度地控制将读取端子形成为预定图案的光刻胶掩模的形状，使得提高了读取端子的形成精度，并提高了磁头的成品率。该图案制造方法包括如下步骤：在基板上形成要构图的层；在所述要构图的层上形成第一掩模...

本发明涉及一种半导体装置，即使施加外力，也不会对外部连接端子和散热部件产生损伤。所述半导体装置具有：半导体元件；安装该半导体元件的基板；与该半导体元件热连接并固定在所述基板上的散热部件；以及在所述基板的与配设有所述散热部件的面相反侧的面...

本发明提供一种小且高性能的半导体器件及该半导体器件的有效制造方法，在该半导体器件中防止了相邻导线的接触，从而提高了设计线路配置图的灵活性。本发明的半导体器件包括：基板１０，其表面上设置有电极２１Ａ；以及第一半导体元件１１Ａ，包括设置在其...

本发明提供了一种非易失性半导体存储装置，能使存储单元面积小并且精度好地高速动作。使扩散层（２ａ）、（２ｂ）形成为蜂窝状，并且使它们错开四分之一间隔进行配置，在ＯＤＤ＿ＷＬ０、ＷＬ１横穿扩散层（２ａ）的位置与ＥＶＥＮ＿ＷＬ０、ＷＬ１横穿扩...