半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

在形成有半导体集成电路的线路区域内，在半导体基板（１１）的表面上形成元件分离绝缘膜的同时，在监控区域（１）内，按照一定间距形成特定方向上延伸的５条元件分离绝缘膜（１２ｍ）。接着，在线路区域内，在半导体基板（１１）上形成栅极绝缘膜以及栅电极，同时在监控区域（１）内，按照与元件分离绝缘膜（１２ｍ）具有相同间距的方式，形成与元件分离绝缘膜（１２ｍ）在同一方向上延伸的５条栅极绝缘膜（１３ｍ）以及栅电极（１４ｍ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：　　　　线路区域，其形成半导体集成电路；　　　　监控区域，其具有２个以上的监控层，每个与构成上述半导体集成电路的２个以上的层同时被形成；　　　　上述监控层的每个具有彼此分离配置的２个以上同一形状的监控图形。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：永井孝一，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]