具有下部电极（１５）、强电介质膜（１６）以及上部电极（１７）的强电介质电容器由层间绝缘膜（１８）覆盖。下部电极（１５）一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜（１８）上形成有多个接触孔（２１）。即，在多个接触孔（２１）中的至...

一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底１０上方形成第一多孔绝缘膜３８的步骤；形成第二绝缘膜４０的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜３８的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜４０将电子束、ＵＶ射线或者等离子体施加至该第一多孔绝...

本发明提供了一种用超声振动将半导体芯片上的导体凸起连接到基片上相应的垫子上的连接设备，它具有：一接收平台，它的接收表面用于接收与带有垫子的基片第二表面相对的基片的第一表面，以及一连接装置，它的端面用于保持与带有导体凸起的半导体芯片的第二...

一种半导体零件，它具有：一主芯片体；以及一蒸发成型的和包覆主芯片体的保护层。还提供了制造集成电路芯片的方法。

本发明提供了一种利用真空紫外光的光蚀刻法实施构图的技术来形成显微图形的方法，抗蚀图形膨胀用材料是由混合包含树脂、交联剂和任何一种非离子表面活性剂及有机溶剂的水溶性或碱溶性组合物所构成的，其中有机溶剂选自醇、直链酯或环酯、酮、直链醚或环醚。

一种半导体器件，具有：半导体衬底；多个半导体元件，形成在该半导体衬底中；金属布线，由第一金属层制成并且形成在该半导体衬底上方；下电极，由该第一金属层制成并且形成在该半导体衬底上方；介电膜，以从该下电极的外围缩回的形状形成于该下电极上；以...

本发明的谐振器１包括：振动构件１３，其夹持电子元件１２并对该电子元件１２施加振动；以及下压构件１５，其通过振动构件１３对电子元件１２施加向基板１１侧的压力。下压构件１５包括：支腿部分１５ｂ，其设置为在该支腿部分和振动构件１３的平行于振动...

本发明提供半导体器件的制造方法。紧接在除去抗蚀图案之后，通过例如热ＣＶＤ方法，聚集作为绝缘膜的二氧化硅膜以覆盖包括电阻元件的表面的硅衬底的整个表面。该二氧化硅膜被处理，以同时形成在该电阻元件上的硅化物块、以及各个晶体管的栅极等的两侧面处...

一种半导体器件（１１）用于促进测试。叠加的第一和第二半导体芯片（１３、１４）分别包括多个内部端子（２３－２５、２７－３０）、外部端子（２２、２７）以及多个晶体管（３１－３４）。多条线路（１５）把第一和第二半导体芯片的内部端子、晶体管以及...

一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：（ａ）在半导体器件上形成焊盘电极；（ｂ）将有机电介质膜涂于该半导体器件的表面，以露出该焊盘电极的中心部分；（ｃ）通过干蚀刻处理该焊盘电极的露出表面；以及（ｄ）使用无氧干处理去除因用于表面处理的干蚀刻...

本发明提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ＡｒＦ准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突破曝光极限。本发明还提供一...

一种微摆动元件包括框体、可移动功能部分以及用于连接框体与可移动功能部分的扭转连接部分。微摆动元件还包括第一和第二梳齿电极，用于产生使可移动功能部分绕扭转连接部分摆动运动的驱动力。第一梳齿电极包括多个第一电极齿，每个第一电极齿具有在摆动运...

在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。

本发明批露了一种基于静电电容原理实现指纹识别的半导体装置。手指掠过半导体芯片的指纹识别区提供具有改善可靠性的真正指纹识别的操作。该半导体装置包括半导体芯片和基板，半导体芯片具有实现指纹识别的传感单元，基板在与传感单元相对应的位置处形成开...

本发明提出一种半导体器件及其评估方法和处理条件评估方法。本发明的半导体器件的特性的评估方法包括以下步骤：在半导体衬底的表面上形成氮氧化硅膜；测量氮氧化硅膜中的主要氮原子与氮原子总数的存在比例，其中每个主要氮原子的三个键都耦合到硅原子上，...

本发明提供梳齿电极对的制造方法。该方法由材料衬底制造一对梳齿电极，该材料衬底包括第一导电层、第二导电层以及位于第一导电层与第二导电层之间的绝缘层。该对梳齿电极包括第一梳齿电极和第二梳齿电极。第一梳齿电极包括由第一导电层得到的第一导体、由...

一种微移动器件，包括：基础衬底；固定部，其与基础衬底接合；可移动部，其具有连接至固定部的固定端，并沿着基础衬底延伸；以及压电驱动部，其设置在可移动部和固定部与基础衬底相反的一侧上。压电驱动部具有由第一电极膜、第二电极膜以及位于第一和第二...

本发明公开了一种具有ＣＰＰ型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层...

一种半导体装置，包括：　　　　半导体基底；　　　　形成在所述半导体基底上的第一栅氧化物膜；　　　　形成在所述第一栅氧化物膜上的第一栅极；　　　　第一源／漏区，形成在所述半导体基底中所述第一栅极的两侧；以及　　　　第一层叠侧壁间隔体，其具...

一种半导体制造方法，其包含如下步骤：（ａ）在半导体晶片中，分别形成芯片内半导体器件结构和多个对准标记；（ｂ）在该半导体晶片上形成工件层；（ｃ）暴露所述对准标记；（ｄ）在该工件层上涂覆电子束抗蚀膜；（ｅ）利用电子束扫描对准标记，从而获得关...