【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及一种磁阻元件、磁头及磁存储装置，特别涉及一种具有CPP(电流方向垂直于平面，Current-Perpendicular-To Plane)结构的磁阻元件、磁头及其磁存储器，该CPP结构允许检测电流以垂直于旋阀(spin valve)膜的方向流动。
技术介绍
近年来，磁阻元件被用于磁记录装置的磁头中，作为用于再现记录于磁记录介质中的信息的再现(reproduction)元件。磁阻元件主要配备了具有高磁场灵敏度的旋阀膜，以提高记录密度。旋阀膜由多层组成，包括固定磁化层，其中磁化方向被固定在预定方向上；非磁层；以及自由磁化层，其中磁化方向随着磁记录介质的漏磁场的方向或强度而变化。旋阀膜的电阻值随着由固定磁化层的磁化和自由磁化层的磁化形成的角度而变化。磁阻元件通过在旋阀膜上应用具有预定值的检测电流并检测电阻的变化(电压的变化)，而再现记录于磁记录介质的位。通常，CIP(电流方向在平面内，Current-In-Plane)结构被用于磁阻元件，该CIP结构允许检测电流在旋阀膜平面内的方向上流动。然而，为了以更高的记录密度进行记录，需要增加磁记录介质的线性...
【技术保护点】
一种具有ＣＰＰ型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层，该磁阻元件包括：第一界面层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间；其中，该第一界面 层和该第二界面层均包括主要为ＣｏＮｉＦｅ的材料。
【技术特征摘要】
JP 2005-3-17 2005-0780071.一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层，该磁阻元件包括第一界面层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间；其中，该第一界面层和该第二界面层均包括主要为CoNiFe的材料。2.一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁性分层体和第二非磁层，该磁阻元件包括非磁耦合层，位于该自由磁性分层体中的两个铁磁分层体之间；其中，所述两个铁磁分层体彼此铁磁交换耦合；其中，每个铁磁分层体包括第一界面磁层、自由磁化层和第二界面磁层；其中，该第一界面层和该第二界面层均包括主要为CoNiFe的材料。3.一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁性分层体和第二非磁层，该磁阻元件包括第一界面层，位于该自由磁性分层体与该第一非磁层之间；第二界面层，位于该自由磁性分层体与该第二非磁层之间；其中，该自由磁性分层体包括位于一对自由磁化层之间的铁磁层；其中，该第一界面层和该第二界面层均包括主要为CoNiFe的材料。4.如权利要求3所述的磁阻元件，其中该铁磁层包括铁磁材料，所述铁磁材料为Co、Ni、Fe以及包含Co、Ni、Fe至少其中之一的合金的至少其中之一。5.如权利要求4所述的磁阻元件，其中该铁磁层包括主要为CoNiFe的材料。6.如权利要求1所述的磁阻元件，其中该固定磁化层包括第一固定磁化层、非磁耦合层和第二固定磁化层，其中该第一固定磁化层和该第二固定磁化层彼此铁磁交换耦合。7.如权利要求1所述的磁阻元件，还包括位于该第二非磁层上的另一固定磁化层。8.如权利要求7所述的磁阻元件，其中该另一固定磁化层包括另一第一固定磁化层、另一非磁耦合层和另一第二固定磁化层，其中该另一第一固定磁化层和该另一第二固定磁化层彼此铁磁交换耦合。9.如权利要求1所述的磁阻元件，其中该第一界面磁层和该第二界面磁层的膜厚均不小于0.5nm且不大于2.0nm。10.如权利要求1所述的磁阻元件，其中该第一界面磁层和该第二界面磁层均实质上只包含CoNiFe，其中CoNiFe的各个成分在以(Co含量，Ni含量，Fe含量)为坐标的三维状态图中表示时，CoNiFe的构成落入区域ABCDA中，其中用直线连接点A(10，55，35)、点B(10，5，85)、...
【专利技术属性】
技术研发人员：大岛弘敬，长坂惠一，城后新，清水丰，田中厚志，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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