一种半导体器件包括半导体衬底和以节距Ｘ１排列的凸电极阵列。每个凸电极具有高度Ｘ３，并且形成于直径为Ｘ２的阻挡金属基底上，该阻挡金属基底连接到该半导体衬底上所排列的电极，以满足关系（Ｘ１／２）≤Ｘ２≤（３×Ｘ１／４）和（Ｘ１／２）≤Ｘ３≤...

半导体装置包括基板、形成在前述基板上的衬垫电极和形成在前述衬垫电极上的凸块电极，前述衬垫电极具有凹凸状的压痕，在前述衬垫电极和前述凸块电极之间设置有覆盖前述凹凸压痕的图案。

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之上和上方的电路部分；覆盖所述电路部分的钝化膜；电极焊盘，所述电极焊盘以电极焊盘从所述钝化膜暴露出来的方式被提供在所述电路部分的外部；以及护圈图...

本发明涉及一种在透射和反射模式下均能显示的透反射式液晶显示器及其制造方法，并提供一种在透射和反射模式下均能实现高显示特性的透反射式液晶显示器。采用这样的结构，该结构包括：液晶显示器面板，具有一对基板和密封于该对基板之间的液晶层；像素区域...

一种半导体器件，其中包括：在半导体基片（１）上形成的绝缘膜（１４）；在该绝缘膜（１４）中形成的沟槽（１４ｂ）和通孔（１４ａ）；在至少一个沟槽（１４ｂ）和通孔（１４ａ）中形成并且由导电材料所制成以防止铜扩散的第一底层（１６）；在第一底层（...

半导体芯片（１０）通过表面形成的涂层材料（１１）变形为大致圆筒形后固定。变形的半导体芯片（１０）与内插板（１２）倒装芯片连接。半导体芯片（１０）在内插板（１２）上用封装树脂（１３）封装。内插板（１２）的背面配置有作为外部连接端子的焊锡球...

高频器件，具有：半导体基板；高频电路层，形成在所述基板上，并包括电路元件和多层布线层；多个导电焊盘；连接到所述多个导电焊盘的重新布线层；电绝缘密封层，形成在所述第一电绝缘层和所述重新布线层上，并且厚度大于所述多层布线层的厚度；多个安装连...

本发明提供一种抗蚀剂图案增厚材料，其能够增厚抗蚀剂图案并形成微细的间隔图案，并超越构图期间使用的曝光的曝光限度。抗蚀剂图案增厚材料包括树脂和相转移催化剂。本发明也提供了形成抗蚀剂图案的工艺和制造半导体器件的工艺，其中适合地利用了本发明的...

本发明涉及摄像元件测试方法及装置，其目的是在将被测元件安装在测试台的状态下，在一个阶段自动进行各种测试。本发明是用于进行摄像元件的电气测试，图像测试，透镜的聚焦、固定的摄像元件测试装置，其包括：自动调焦机构（２０），自动进行被测元件（２...

本发明的目的在于提供可以应用于信息通信领域中演算装置、显示器、存储器等各种机器的微细化、精密化的金属络合物聚集结构物、可以成为该金属络合物聚集结构物优选原料物质的多齿配位体等。本发明涉及多齿配位体，其含有４个亚胺、酰胺和氨基的至少任一种...

一种半导体器件包括一层间绝缘膜１８，其形成在衬底１０上；一熔丝２６，其埋置在层间绝缘膜１８中以及一覆盖膜３０，其形成在层间绝缘膜１８上并且其中形成有向下至熔丝２６的开口。形成的层间绝缘膜１８与开口中的熔丝２６的侧壁接触，由此熔丝２６由层...

形成第一层间绝缘膜，然后在其上形成ＳｉＯ↓［２］覆盖膜，并通过进行热处理去除第一层间绝缘膜和ＳｉＯ↓［２］覆盖膜中的湿气。然后，在ＳｉＯ↓［２］覆盖膜上形成Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜。随后，在氧化气氛中在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜上进行热处...

一种半导体装置的制造方法，具有：在半导体基板１的上方形成第１绝缘膜（９）、（１０）的工序；在上述第１绝缘膜（９）、（１０）上形成具有下部电极（１１ａ）和电介质膜（１３ａ）以及上部电极（１４ｃ）的电容Ｑ的工序；形成覆盖上述电容Ｑ的第２绝缘...

一种多层配线结构，其特征在于：由第１层间绝缘膜、形成在上述第１层间绝缘膜上的第２层间绝缘膜、形成在上述第１层间绝缘膜中的用第１阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的配线槽、形成在上述第２层间绝缘膜中的用第２阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的通孔、填...

本发明利用下述半导体装置来形成叠层型半导体装置，该半导体装置的特征在于：包括在一个主表面上配置有多个电极的半导体元件、以及在绝缘基板上配置有多个导电层的布线基板上述布线基板沿着上述半导体元件的外边缘部配置成大致コ字状；该布线基板中的上述...

本发明提供半导体器件及其制造方法。在形成底部电极之后，在其上形成第一铁电膜。然后，使第一铁电膜结晶。随后，在第一铁电膜上形成第二铁电膜。接着，在第二铁电膜上形成顶部电极膜，并且使第二铁电膜结晶，使得能够在保持反向极化电荷在较高水平下的同...

该液晶显示器包括：第一基底２，包括栅极总线１２ａ、数据总线２８、形成于栅极总线１２ａ和数据总线２８之间交点附近的薄膜晶体管１８、以及像素电极５２，包括电连接于薄膜晶体管１８的透射电极３２ａ和电连接于透射电极３２ａ的反射电极４８ｂ；第二基...

一种用于制造微开关元件的方法。该开关包括一衬底、两个固定到衬底的支撑构件、以及一桥接在支撑构件之间的活动梁。该梁包括一隔膜，一活动接触电极以及一活动驱动电极，活动接触电极和活动驱动电极都设置在隔膜上。该开关元件也包括一对面向活动接触电极...

一种光电集成电路装置，包括：光开关（１８），设置在衬底（１０）上的第一输入／输出端口（３６ａ）的输入端口（１２ａ）中，转换从输入端口（１２ａ）输入的光信号的光路径，并且通过多个输出端（２４ａ－２４ｄ）之一输出光信号；光电转换元件（２６ａ...

一种半导体器件的制造方法，包括步骤：（ａ）在半导体衬底的表面上形成用于化学机械抛光的停止层；（ｂ）在停止层和半导体衬底中形成元件隔离沟槽；（ｃ）淀积氮化物膜，覆盖沟槽的内表面；（ｄ）通过高密度等离子体ＣＶＤ淀积第一氧化物膜，该第一氧化物...