高频器件制造技术

高频器件，具有：半导体基板；高频电路层，形成在所述基板上，并包括电路元件和多层布线层；多个导电焊盘；连接到所述多个导电焊盘的重新布线层；电绝缘密封层，形成在所述第一电绝缘层和所述重新布线层上，并且厚度大于所述多层布线层的厚度；多个安装连接端子；导电接线柱，设置在所述电绝缘密封层内并在所述重新布线层与所述多个安装连接端子之间。与电源对应的第一导电接线柱具有第一直径；与输入放大器的输入对应的第二导电接线柱具有比第一直径小的第二直径；与功率输出放大器的输出对应的第三导电接线柱具有比第二直径大的第三直径。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及其中在半导体芯片上集成有高频电路的高频器件，更具体地，涉及通过使用芯片尺寸封装(chip sized package)减小其尺寸并改进其高频特性的高频器件。
技术介绍
便携式通信设备的广泛普及产生了对安装于其上的低成本、紧凑且高功能的器件的需求。存在使用硅基板以降低成本的高频器件。已提出在硅基板上而非在更昂贵的传统型镓砷基板上形成高频电路。另外，使用芯片尺寸封装或芯片级封装(chip scale package)(CSP)以减小尺寸。芯片尺寸封装具有以下结构，其中通过模具模制法在半导体芯片基板上形成由诸如聚酰亚胺的树脂构成的密封电绝缘层，由此密封该半导体芯片。在这种结构中，封装尺寸与芯片尺寸相同并且可实现高密度安装。通过在同一半导体芯片上形成接收电路和发送电路获得高功能器件，并且可以在单个芯片内执行高频信号的发送和接收、信号的调制和解调以及基带信号的处理。因此，各种高频信号将通过单个芯片的输入和输出端子，从而必须考虑输入和输出端子上的高频特性。已经提出了倒装芯片接合(flip chip bonding)(FCB)法作为用于使半导体器件小型化的方法。倒装芯片接合法代表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频器件，包括：半导体基板；高频电路层，其形成在所述半导体基板的表面处，并且包括电路元件和多层布线层；多个导电焊盘，其形成在所述高频电路层上，并连接到高频电路的输入和输出以及连接到电源；多个重新布线层，其 隔过第一电绝缘层形成在所述高频电路层上，并分别连接到所述多个导电焊盘；电绝缘密封层，其形成在所述第一电绝缘层和所述重新布线层上，并且具有比所述多层布线层的厚度大的厚度；多个安装连接端子，其设置在所述电绝缘密封层上，并与所述多 个导电焊盘相对应；以及多个导电接线柱，其设置在所述电绝缘密封层内，并设置...

【技术特征摘要】
JP 2003-12-24 JP2003-4262041.一种高频器件，包括半导体基板；高频电路层，其形成在所述半导体基板的表面处，并且包括电路元件和多层布线层；多个导电焊盘，其形成在所述高频电路层上，并连接到高频电路的输入和输出以及连接到电源；多个重新布线层，其隔过第一电绝缘层形成在所述高频电路层上，并分别连接到所述多个导电焊盘；电绝缘密封层，其形成在所述第一电绝缘层和所述重新布线层上，并且具有比所述多层布线层的厚度大的厚度；多个安装连接端子，其设置在所述电绝缘密封层上，并与所述多个导电焊盘相对应；以及多个导电接线柱，其设置在所述电绝缘密封层内，并设置在所述重新布线层与所述多个安装连接端子之间，其中，所述高频电路层的高频电路包括输入放大器，用于对从对应于所述输入的导电接线柱输入的高频接收信号进行放大；以及功率输出放大器，用于对高频发送信号进行放大并将其从对应于所述输出的导电接线柱输出；并且其中与所述电源对应的第一导电接线柱具有第一直径；与所述输入放大器的输入对应的第二导电接线柱具有小于所述第一直径的第二直径；以及与所述功率输出放大器的输出对应的第三导电接线柱具有大于所述第二直径的第三直径。2.根据权利要求1所述的高频器件，进一步包括第一屏蔽层，该第一屏蔽层设置在所述高频电路层的上方、在所述第二或第三导电接线柱的下方，并连接到固定电位。3.根据权利要求2所述的高频器件，进一步包括第二屏蔽层，该第二屏蔽层设置在所述多层布线层的内部、在连接到所述第二或第三导电接线柱的导电焊盘的下方，并连接到固定电位。4.根据权利要求1所述的高频器件，其中所述第二或第三导电接线柱和与其对应的导电焊盘被形成为彼此靠近或交叠，所述高频器件进一步包括第三屏蔽层，该第三屏蔽层设置在所述多层布线层的内部、在所述第二或第三导电接线柱和与其相连接的导电焊盘的下方，并连接到固定电位。5.根据权利要求1所述的高频器件，包括第一接线柱结构，其中所述第二或第三导电接线柱和与其对应的导电焊盘彼此分开指定的距离；以及第二接线柱结构，其中所述第二或第三导电接线柱和与其对应的导电焊盘被形成为彼此靠近或交叠，其中，所述第一接线柱结构包括第一屏蔽层，其设置在所述高频电路层的上方、在所述第二或第三导电接线柱的下方，并连接到固定电位；以及第二屏蔽层，其设置在所述多层布线层的内部、在连接到所述第二或第三导电接线柱的导电焊盘的下方，并连接到固定电位，并且所述第二接线柱结构包括第三屏蔽层，其设置在所述多层布线层的内部、在所述第二或第三导电接线柱和与其相连的导电焊盘的下方，并连接到固定电位。6.根据权利要求1所述的高频器件，其中与同一电源对应的多个所述第一导电接线柱按高密度排列，并且所述第二或第三导电接线柱按比所述第一导电接线柱的密度低的密度排列。7.一种高频器件模块，包括第一高频器件，用于处理第一高频带的信号；以及第二高频器件，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林一彦，近藤史隆，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]