半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括一层间绝缘膜１８，其形成在衬底１０上；一熔丝２６，其埋置在层间绝缘膜１８中以及一覆盖膜３０，其形成在层间绝缘膜１８上并且其中形成有向下至熔丝２６的开口。形成的层间绝缘膜１８与开口中的熔丝２６的侧壁接触，由此熔丝２６由层间绝缘膜１８支撑，从而防止图形倒塌和图形散开。可以防止熔丝的大范围散开，并且可以小间距设置熔丝。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术涉及一种，特别涉及一种通过照射激光束而断开熔丝来重新构成电路的。半导体器件例如存储器件、逻辑器件等，如DRAM和SRAM等是由大量的元件构成的，并且经常由于制造工艺中产生的各种因素，部分电路及存储单元无法正常工作。在这种情况下，如果器件因为有缺陷的部分电路或存储单元而作为缺陷被处理，将降低制造产量并导致制造成本增加。作为解决这个问题的一个方案，在近年来的半导体器件中，有缺陷的电路和有缺陷的存储单元被改变成预先已经制备的冗余电路和冗余存储单元，以便使缺陷电路正常，由此补救有缺陷的器件。此外，各个制造有具有不同功能的多个电路，其作为整体以转换器件功能的半导体器件或制造有指定电路以具有可调整的器件特性的半导体器件为现有的。这种半导体器件的重新构成通常通过在半导体器件中装配设置有多个熔丝的熔丝电路并且在工作测试之后通过照射激光束而断开熔丝来实现的。一般情况下，熔丝由形成互连和焊盘的相同导电层构成，所述互连和焊盘形成半导体器件的内部电路，并为了保护半导体器件不受潮气影响，在熔丝上形成覆盖膜。在已经形成覆盖膜之后，熔丝通常断开。熔丝传统地通过下列方法来断开。在第一种方法中，将激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：一层间绝缘膜，形成在半导体衬底上；一熔丝，埋置在该层间绝缘膜中；及一覆盖膜，形成在该层间绝缘膜上并具有下至该熔丝的一开口，在该开口中，形成的该层间绝缘膜与该熔丝的侧壁接触。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-23 2004-0152591.一种半导体器件，包括一层间绝缘膜，形成在半导体衬底上；一熔丝，埋置在该层间绝缘膜中；及一覆盖膜，形成在该层间绝缘膜上并具有下至该熔丝的一开口，在该开口中，形成的该层间绝缘膜与该熔丝的侧壁接触。2.根据权利要求1的半导体器件，其中在该开口中，该熔丝的表面和该层间绝缘膜的表面基本上彼此齐平。3.根据权利要求1的半导体器件，还包括一熔丝保护膜，形成在该开口中的该熔丝上。4.根据权利要求1的半导体器件，其中该熔丝保护膜在该覆盖膜上延伸。5.根据权利要求3的半导体器件，其中该熔丝保护膜比该覆盖膜薄。6.根据权利要求3的半导体器件，其中该熔丝保护膜的膜厚不大于350nm。7.根据权利要求1的半导体器件，其中在该开口中形成多个熔丝。8.根据权利要求1的半导体器件，还包括一防护环，围绕形成所述熔丝的区域防护环。9.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤在一衬底上形成埋置在一层间绝缘膜中的一熔丝；在该层间绝缘膜上形成一覆盖膜；及在该...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤元伸，泽田丰治，大冢敏志，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]