半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在绝缘膜（１）上形成多个焊盘（２）；在其整个表面上形成钝化膜（３）；在钝化膜（３）上形成露出所有焊盘（２）的开口部（３ａ）；在其整个表面上形成其他钝化膜，在该钝化膜上为每个焊盘（２）形成露出焊盘（２）的中央部的开口部。从而能够在钝化膜（３）上形成有开口部（３ａ）的状态下进行探测检查。当在该状态下进行探测检查时，由于焊盘（２）的整个面都露出，因此探针与焊盘（２）接触的概率升高，能够进行精确的检查。因此，可以进一步减小焊盘，或者使间距变窄，而不需要高精度的探针。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适用于焊盘被减小了的。
技术介绍
专利文献1特开2003-068736号公报以往，设置在半导体装置中的焊盘(Al电极)的尺寸随着其间隔(间距)变窄而被缩小。通常，在半导体装置中，形成有用以覆盖焊盘钝化膜，在该钝化膜上形成有露出各焊盘的一部分的开口部。但是，在焊盘上形成凸起之前进行探测检查的半导体装置中，探测检查的条件(探针的精度等)依赖于形成有开口部以便露出焊盘的钝化膜的所述开口部的大小。例如，当焊盘的间距小于等于30μm时，在钝化膜上形成的开口部为边长为15μm左右的正方形形状。在此情况下，必须将在探测检查中使用的探针的尖端直径总是保持为小于等于10μm，但这种探针的成本极高，不适合批量生产。并且，在保持高的定位精度的状态下，为了使探针的数量达到100～1000个左右，不得不降低探针的强度。这是因为，为了保持高的定位精度(在三个相互正交的方向上的精度)，要求小于等于亚微米(submicron)的精度。由于这些情况，现状为，在焊盘被减小时，探测检查变得困难，探测检查的成本升高，在有多个焊盘在一个方向上并列排列的半导体装置中，尤其如此。另一方面，即使在焊盘上形成了凸起后再进行探测检查的半导体装置中，为了进行探测检查，也要将正方形形状的焊盘的边长限制在20μm～30μm左右，将间距限制在30μm～40μm左右。另外，在这样的半导体装置中，在形成凸起之后的检查中即使发现了缺陷，也难以判断该缺陷是在凸起形成之前就存在的缺陷，还是在凸起形成时产生的缺陷。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题而提出的，其目的在于提供一种即使减小了焊盘也能够在形成凸起之前很容易地进行探测检查的。本专利技术的专利技术者为解决上述问题，进行了认真细致的研究，结果设想了以下所示的本专利技术的各种实施方式。本专利技术的半导体装置具有形成在半导体基板上的半导体元件、和与所述半导体元件连接的焊盘，并且用第1钝化膜覆盖形成有所述半导体元件的区域，露出所述焊盘的整个表面。另外，在本专利技术的半导体装置的制造方法中，在半导体基板上形成半导体元件之后，形成与所述半导体元件连接的焊盘。然后，形成覆盖形成有所述半导体元件的区域的第1钝化膜，露出所述焊盘的整个表面。根据本专利技术，由于焊盘的整个表面从第1钝化膜中露出，因此即使不使用精度极高的探针也能够在形成凸起之前进行探测检查。并且，在进行了探测检查之后，可以形成(例如)覆盖焊盘的一部分的第2钝化膜。附图说明图1A和图1B～图4A和图4B是按工序顺序来示出本专利技术的第1实施方式的半导体装置的制造方法的图。图5A和图5B～图7A和图7B是按工序顺序来示出本专利技术的第2实施方式的半导体装置的制造方法的图。图8是示出本专利技术的第3实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。图9A～图9F是按工序顺序示出形成凸起的方法的截面图。具体实施例方式(第1实施方式)首先对本专利技术的第1实施方式进行说明。其中，为了方便起见，这里对将半导体装置的结构和其制造方法一起进行说明。图1A和图1B～图4A和图4B是按照工序顺序示出本专利技术的第1实施方式的半导体装置的制造方法的图，图1A～图4A是俯视图，图1B～图4B是沿着图1A～图4A中的I-I线的截面图。在第1实施方式中，如图1A和图1B所示，首先在半导体基板的上面形成晶体管等半导体元件(图中未示出)，然后形成覆盖该半导体元件的绝缘膜1。而且，在图1A和图1B～图4A和图4B中仅示出相当于一个LSI(Large Scale Integration，大规模集成电路)芯片的区域，但一个半导体基板(晶片)上可设置多个芯片形成预定区域，在各芯片形成预定区域内，划分出形成有所述半导体元件的内部元件区域11和输入输出区域12，输入输出区域12中设有用于在所述半导体元件和外部电源及电路等之间进行信号的输入输出的输入输出端子(凸起)。输入输出区域12例如被设置成将内部元件区域11夹在中间地在2个部位相互并行地延伸。接着，在绝缘膜1上形成用于连接其后形成的输入输出端子和内部元件区域11内的半导体元件的触点插头(图中未示出)。然后，如图1A和图1B所示，在输入输出区域12内，在绝缘膜1的上面形成多个焊盘2、电源线(图中未示出)和引出布线(图中未示出)。焊盘2例如由Al制成。同时，焊盘2例如通过引出布线和电源线等与在绝缘膜1上形成的触点插头相连接。之后，如图2A和图2B所示，在整个表面上形成钝化膜3，在钝化膜3上形成露出所有焊盘2的开口部3a。例如可以使用SiN膜作为钝化膜3，例如可以使用高密度等离子法作为形成该钝化膜的方法。开口部3a的平面形状例如是带状。这种状态下的半导体装置也可以进行转让、租赁等。接着，如图3A和图3B所示，在整个表面上形成钝化膜4。例如可以使用SiN膜作为钝化膜4，可以使用(例如)高密度等离子法作为形成该钝化膜4方法。然后，在钝化膜4上为每个焊盘2都形成露出焊盘2的中央部的开口部4a。开口部4a的平面形状例如是正方形形状。接着，如图4A和图4B所示，在每个焊盘2上形成凸起5。这样就完成了半导体装置。在该第1实施方式中，在钝化膜3上形成有开口部3a的状态下，可以进行探测检查。当在该状态下进行探测检查时，因为焊盘2的整个表面都露出，所以探针与焊盘2接触的概率升高，可以进行精确的检查。因此，不需要探针的高精度，就可以进一步减小焊盘，或者使间隔变窄。并且，通过在形成凸起5之前进行检查，可以确定在凸起5形成之前已经产生的缺陷。因此，还可以保证形成凸起5之前的半导体装置的可靠性为何种程度。即，即使在形成了凸起5后所进行的检查中发现了缺陷的情况下，也能够判别该缺陷是在凸起5形成前就存在的缺陷还是在凸起5形成时产生的缺陷。并且，如上所述完成后的半导体装置，例如通过TAB(Tape AutomatedBonding带自动化键合)接合到带载(tape carrier)上，或者应用到COF中(Chip On Film，薄膜上芯片)。(第2实施方式)接着说明本专利技术的第2实施方式。其中，为了方便起见，这里对半导体装置的结构和其制造方法一起进行说明。图5A和图5B～图7A和图7B是按照工序顺序示出本专利技术的第2实施方式的半导体装置的制造方法的图，图5A～图7A是俯视图，图5B～图7B是沿着5A～图7A中的II-II线的截面图。并且，图5A和图5B～图7A和图7B中仅示出输入输出区域12。如图5A和图5B所示，第2实施方式中，和第1实施方式一样地进行直到在绝缘膜1上形成触点插头(图中未示出)为止的处理。接着，在输入输出区域12内，在绝缘膜1上形成多个焊盘8、电源线6和引出布线7。在本实施方式中，使焊盘8的平面形状为长方形形状，配置成其短边和焊盘8的排列方向平行。并且电源线6配置成向焊盘8的排列方向延伸，焊盘8和第1实施方式中一样，例如经由引出布线7和电源线6等与在绝缘膜1上形成的触点插头相连接。接着，在整个表面上形成钝化膜3，在钝化膜3上形成露出所有焊盘2的开口部3a。该开口部3a的平面形状例如是带状。和第1实施方式一样，该状态下的半导体装置也可以进行转让、租赁等。并且，在形成了开口部3a后，也可以进行探测检查。在进行探测检查时，例如，将探针按压在从焊盘8的中心起靠近电源线6侧的位置上。然后，进行探测检查。其结果，如图6A和图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：形成在半导体基板上的半导体元件；与所述半导体元件连接的焊盘；第１钝化膜，其覆盖形成有所述半导体元件的区域，露出所述焊盘的整个表面。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有形成在半导体基板上的半导体元件；与所述半导体元件连接的焊盘；第1钝化膜，其覆盖形成有所述半导体元件的区域，露出所述焊盘的整个表面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有第2钝化膜，所述第2钝化膜形成在所述第1钝化膜的上面，覆盖形成有所述半导体元件的区域和所述焊盘的缘部，露出所述焊盘的一部分。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述焊盘上形成有探针的痕迹；所述第2钝化膜覆盖所述痕迹。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在一个方向上设置有多个所述焊盘；所述焊盘的从所述第2钝化膜中露出的部分和所述痕迹排列在与所述焊盘的排列方向平行的方向上。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述焊盘在一个方向上设置有多个；所述焊盘的从所述第2钝化膜中露出的部分和所述痕迹排列在与所述焊盘的排列方向正交的方向上。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述焊盘的平面形状为向与所述焊盘的排列方向正交的方向延伸的长方形。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1钝化膜是SiN膜。8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第2钝化膜是SiN膜。9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下列工序在半导体基板上形成半导体元件的工序；形成与所述半导体元件连接的焊盘的工序；形成覆盖形成有所述半导体元件的区域的第1钝化膜，露出所述焊盘的整个表面的工序。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述第1钝化膜的工序包括形成覆盖形...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐竹信夫，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]