本发明涉及半导体衬底的制造方法以及用于这种方法中的半导体衬底夹具，所述制造方法包含晶片的背研磨步骤、划片步骤、拾取步骤和芯片键合步骤；本发明的目的是减轻影响，防止由于减薄的半导体衬底缺乏强度而导致的损害。提供一种夹具，具有外框２１、橡胶...

一种电子器件的制备方法，包括下述步骤：（ａ）制备（００１）取向的ＲｅＯ＃－［３］层；以及（ｂ）在ＲｅＯ＃－［３］层上形成具有钙钛矿结构的（００１）取向的氧化物铁电层。优选地，步骤（ａ）包括下述步骤：（ａ－１）制备（００１）取向的ＭｇＯ层...

在半导体制造工艺中，半导体晶片被切割成许多半导体芯片，然后用剥离装置将这些芯片从切割带上剥离下来。该剥离装置包括许多从外到里前后配置的环形接触部件，该环形接触部件可以被操作，使得半导体芯片可以连续地剥离切割带，从其外周部分向其中心部分剥...

多孔绝缘膜２８、４０、５０由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含Ｃ－Ｃ键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。

本发明涉及一种铁电电容器和半导体器件，所述铁电电容器（３０）包括：下电极（３３）；在下电极（３３）上形成并具有钙钛矿型结构的铁电膜（３４）；以及在铁电膜（３４）上形成的上电极（３５）。铁电膜（３４）包括：具有第一晶系的第一铁电膜部分（３...

冗余存储器电路保存指出有缺陷的存储单元行的缺陷地址。冗余控制电路禁用对应于冗余存储器电路中保存的缺陷地址的有缺陷的存储单元行，启用包含有缺陷的存储单元行的存储块中的冗余存储单元行。此外，在其它存储块中，冗余控制电路禁用对应于有缺陷的存储...

提供一种相联存储器的存储单元，其中包括寄存器、传输电路和匹配电路。当其自身存储单元不处于无关状态时，该寄存器存储数据，并且当处于无关状态时，在相邻存储单元中存储无关数据。当来自一个相邻存储单元的无关数据和存储在其自身存储单元中的无关数据...

半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有电极部分１１的半导体衬底１０上、形成树脂膜以便覆盖使得把电极部分１１的树脂膜形成工序；在树脂膜上与电极部分１１对应的位置上形成开口部分的开口部分形成工序；向开口部分上供给突点形成材料的供给工序；...

具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极１２的多个半导体器件１１的衬底１６装设到模具２０的空腔２８内，接着向突出电极１２的配设位置供给树脂３５密封突出电极１２，形成树脂层１３；突出电极露出工序，用于使已被树脂层１３覆盖的...

具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极１２的多个半导体器件１１的衬底１６装设到模具２０的空腔２８内，接着向突出电极１２的配设位置供给树脂３５密封突出电极１２，形成树脂层１３；突出电极露出工序，用于使已被树脂层１３覆盖的...

一种半导体器件用的接触器，此接触器包括置放工作台、下侧接触器、上侧接触器和压力部。半导体器件放在置放工作台上。当半导体器件放在置放工作台上时，下侧接触器从下侧与半导体器件的端子接触。上侧接触器具有头部，该头部可以相对于放在置放工作台上的...

当ｎ次接收一个测试命令时，其中多种测试中的任何一种测试。在启动第一测试之后，每当接收小于ｎ次的预定次数的测试命令时，启动或结束任何一种测试。被提供以启动或结束第二和后续测试的测试命令的次数可以小于启动第一测试的测试命令的次数。相应地，可...

第一和第二电压发生器，分别产生施加于第一内部电源线路上的第一内部电源电压和施加于第二内部电源线路上的第二内部电源电压。当第一和第二电压发生器暂停工作时，一短路使第一内部电源电压线和第二内部电源电压线被短接。第一和第二内部电源线路变得浮动...

一种抗蚀图增厚材料，其特征在于该抗蚀图增厚材料包含： 树脂； 交联剂；以及 具有环状结构的化合物。

一种电源电路，包括：一个第一ＮＭＯＳ型电流镜像电路，它将第一电位跟第二电位进行比较；一个第二ＮＭＯＳ型电流镜像电路，它将第一电位跟第三电位进行比较；以及一个电压设置电路，它响应于第一和第二ＮＭＯＳ型电流镜像电路的输出，调节第一电位，使得...

抗蚀剂图形增厚材料含有树脂、交联剂和水溶性芳香化合物。抗蚀剂图形包括在下层抗蚀剂图形上的上层，下层抗蚀剂图形与上层的腐蚀率（／ｓ）的比（下层抗蚀剂图形／上层）为１．１或更高，或包括在下层抗蚀剂图形上的含有芳香化合物的上层。形成抗蚀剂图...

一种存储电路，它具有： 实际单元阵列，用于存储数据； 奇偶校验或纠错码（以下称作ＥＣＣ）产生电路，用于从所述实际单元阵列的数据中产生奇偶校验位或ＥＣＣ； 奇偶校验或ＥＣＣ单元阵列，用于存储所述奇偶校验位或ＥＣＣ； ...

通过在正常操作模式与测试模式之间切换电源电路，而可靠地以低功率测试半导体集成电路的操作容限，其中在正常操作模式中，第一升压电源对存储芯和降压电源供电，以及在测试模式中，该存储芯由提供用于测试的波动电压的外部测试电源所供电，并且该降压电源...

一种具有多个存储单元对并包括一个用于存储普通数据和辅助数据的存储单元对的半导体存储器件，在该半导体存储器件中可检查一个存储单元对中的一个存储单元的操作。在正常操作时期，可通过同时激励两条字线，从想要的存储单元读出数据和写入数据。另一方面...

多个重复单元中的每一个包括多个存储单元。第二导电型阱形成在半导体基片的表面层上，该表面层在多个重复单元上延伸。在第二导电型阱中，提供多个重复单元的第一导电型沟道ＭＯＳ晶体管。第二导电型阱抽头区被形成在每个重复单元中的一个存储单元中，并且...