富士通株式会社专利技术

富士通株式会社共有10017项专利

  • 一种半导体集成电路器件,包括衬底(11),形成在衬底(11)的存储单元区域中的非易失性存储器件,和形成在衬底(11)的器件区域中的半导体器件。非易失性存储器件具有多层栅电极结构(16F),包括隧道隔离膜(12A)和形成在其上的浮栅电极(...
  • 一种提供快速半导体运行的多层互连结构通过采用铜布线而实现,其中铜的电迁移由所提供的通孔塞所阻止,该通孔塞包括一层高熔点金属例如钨。
  • 形成用于再生第一存储器块的数据的多个第一存储器块和一个第二存储器块。当读命令与刷新命令彼此冲突时,读控制电路根据刷新命令访问第一存储器块并利用第二存储器块再生读数据。当写命令与刷新命令彼此冲突时,写控制电路根据命令接收的次序操作存储器块...
  • 以层叠方式安置在一个衬底上的半导体芯片和应用此半导体芯片的半导体集成电路装置。一个预定的半导体芯片被来自外部单元的芯片选择信号选中,尽管芯片有相同布线图形且数目很多地彼此层叠。半导体集成电路装置通过应用该半导体芯片构成。半导体芯片包括排...
  • 在半导体衬底上形成一层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成一内层绝缘膜。穿过层内膜形成一凹槽。凹槽具有一个焊盘部分和一个连着焊盘部分的布线部分。焊盘部分的宽度宽于布线部分的宽度。焊盘部分留有许多凸出区域。凸出区域以这样一种方式分布,即邻近布线区...
  • 首先,条纹布线A与B相互虚交叉。每一条纹布线A和B中线束的宽度设置为等于或小于在制造过程限制的最大线宽度。然后,将交叉部分条纹布线A和B的线束宽度相互比较,其中较长的线束设置为待移动位置的线束。但是,只有交叉部分的线束需要移动位置。然后...
  • 首先,第一线路和第三线路之间的电流流量被估算出来,用于连接第一线路和第三线路的堆叠通孔数量被确定。下一步,根据堆叠通孔数量,用于确定堆叠通孔位置的虚拟线路的数量被确定。此后,虚拟线路排列在第一线路上面的第三线路形成区域中,例如以相等的间...
  • 本发明提供了包括新型存储器核心部分的非挥发性半导体存储器件,其中存储器单元信息读通路上的寄生元件影响在读操作时被排除,以及伴随这种存储器核心结构,用来实现快速检测的新型检测方法。在存储器核心部分中,被选择的存储器单元被全局位线通过局部位...
  • 逻辑芯片和被此逻辑芯片存取的存储芯片安装在同一封装中。在第一测试模式下逻辑芯片的模式发生器运行以便为存储芯片产生内部测试模式。模式选择器在第一测试模式下选择从模式发生器输出的内部测试模式,在第二测试模式下选择通过测试终端提供的外部测试模...
  • 本发明是一种将含规定功能的逻辑芯片和储存数据的存储器芯片安装在共同封装内的半导件器件,其中该逻辑芯片和存储器芯片通过控制信号终端,地址终端和数据终端等这类存储器存取终端相连接,该逻辑芯片具有规定功能的逻辑电路和对该存储器芯片进行操作测试...
  • 电容器元件的下电极和布线形成在作为比最上布线层更低的一个层面的布线层中。然后,在形成电容绝缘膜之后,在其整个表面上形成TiN膜,然后对该TiN膜进行构图,从而形成电容器元件的上电极和用于把上电极电连接到第三布线层的布线的引线。另外,在最...
  • 在此提供一种半导体器件,其中包括:隔着栅绝缘膜形成在第一导电型的半导体基片上的栅极;绝缘离子注入控制膜,其由不同材料所制成并且按次序形成在栅极的两侧表面上的的第一绝缘膜和第二绝缘膜所形成,以及该第一绝缘膜和第二绝缘膜具有在栅极的半导体基...
  • 命令接收器电路与时钟信号的上升沿或下降沿相同步地接收命令信号。数据输入/输出电路与响应命令信号的接收时序而设置的时钟信号的边缘相同步地开始读取数据的输出和写入数据的输入。由于与时钟信号的两个边缘相同步地接收命令信号,因此当接收速率与现有...
  • 一种半导体集成电路具有使用第一电源电压的第一电路区域和使用不向于第一电源电压的第二电源电压的第二电路区域。第一电路区域是根据按照第一电源电压的第一设计原则所制造的,及第二电路区域是根据按照第二电源电压的第二设计原则所制造的。
  • 在衬底上形成第一绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二和第三绝缘膜以及第二层间绝缘膜。形成布线沟槽到达第三绝缘膜的上表面,并且从布线沟槽的底部到第一绝缘膜的上表面形成通孔。在选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下,通过腐蚀第二层间绝缘膜,形成布线沟槽...
  • 本发明提供半导体器件制造方法,其采用可以很容易地去除蚀刻阻止膜或碳化硅制成的硬掩膜的工艺。具体地,在半导体衬底上形成第一膜,该第一膜由蚀刻抗力不同于碳化硅的绝缘材料制成。在第一膜上形成由加氢的碳化硅制成的第二膜。在第二膜上形成具有开口的...
  • 本发明提供了一种半导体器件制造方法,该方法包括:背面研磨步骤,研磨半导体衬底的背面;切片步骤,在背面研磨步骤之后,沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片;以及激光辐照步骤,完成背面研磨步骤后,在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面...
  • 本发明公开了一种导电有机化合物,它包含稠合的多环芳族化合物,该化合物含有8-14个稠合环并且通过将官能团引入所述化合物的任一稠合环中使其能够溶解于溶剂中。在生产电子装置中,所述导电有机化合物用作组成元件。
  • 在导电有机化合物中,将同时显示出折射率各向异性和σ共轭体系导电率的侧链部分连接至显示出π共轭体系导电率的主链部分上。在生产电子装置用的组成元件时使用所述导电有机化合物。
  • 一种板状物支撑部件及其使用方法,即使是通过研磨变薄的刚性降低的板状物,也可以不变更研磨装置的构造而顺畅地进行在研磨装置内的搬送及向盒内的收纳。使用至少由支撑板状物的板状物支撑区域11、固定机架15的机架固定区域13构成的板状物支撑部件1...