公开了一种超导滤波器装置，包括电介质基底；补丁型谐振器图案，由超导材料制成，位于该基底上；以及馈线，在该谐振器图案的邻近处延伸。该馈线包括传输线部，用于信号输入和信号输出，该传输线部向谐振器图案延伸；对面部，从传输线部弯折以面向谐振器图...

用于防止电池过放电和过充电的保护方法、控制电路和电池装置。其中，当设定信号“１”供给设置端，触发器输出“１”。然后放电控制ＦＥＴ的栅极变成“１”，从而无论由电压监控电路提供的放电控制信号如何，放电控制ＦＥＴ处于ＯＦＦ。当复位信号“１”供...

本发明涉及在导电性载体的表面上附着了Ｐｔ族元素的燃料电池用催化剂、其制造方法和燃料电池。燃料电池中以往使用导电性载体的表面上附着了Ｐｔ族元素的催化剂。该催化剂表面的反应速度，由于与电流量直接有关涉及发电效率，所以希望使用反应速度高的催化...

直接甲醇型燃料电池（１０），设置有延伸有由多个空心丝膜（５２）构成的空心丝膜束（５１）的生成气体排出部（５０），该生成气体排出部（５０）设置在液体燃料气化膜（４３）与燃料极（２３）之间，该液体燃料气化膜（４３）使甲醇水溶液气化，向燃料极...

一种铁电电容器，其包含：下部电极层、下部电极层上的铁电层以及铁电层上的上部电极层，其中在下部电极层上形成铁电体，使得铁电体具有主取向轴，并且，下部电极层具有多层结构，下部电极的这些层越接近铁电层，则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合...

本发明使半导体基板（１）的背面（１ｂ）吸附在基板支承台（１１）的支承面（１１ａ）上而使其固定。这时，由于对背面（１ｂ）的平整化处理，成为半导体基板（１）的厚度一定的状态，背面（１ｂ）由于向支承面（１１ａ）吸附而被强制性地成为没有起伏的状...

本发明提供一种抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法。该抗蚀图增厚材料能够增厚抗蚀图，并且超越在图案化期间所用的曝光光线的曝光限制形成精细的空间图案。该抗蚀图增厚材料包含树脂和相移催化剂。在形成抗蚀图的方法及制造半导体器件的...

一种压电元件（Ｘ），具有基板（１１）、压电膜（１２）、第一电极（１３）、以及第二电极（１４），第一电极（１３）以及／或者第二电极（１４）介于上述基板（１１）以及上述压电膜（１２）之间，并且由含有０．１～３ｗｔ％的从Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ...

本发明提供谐振器、超声头和利用超声头的超声波焊接机。谐振器（１５）包括：主轴（１２），其连接于超声波振动器（１１），在从超声波振动器（１１）产生的超声波的前进方向上延伸；以及突出部（１３ａ、１３ｂ），其从主轴（１１）纵向方向的中央平面Ｌ...

一种超声头（１０ａ）被使用于通过利用超声波振动来焊接ＬＳＩ芯片和衬底的超声波焊接机中，包括：突起（１３ａ），其构成用于接触ＬＳＩ芯片和进行超声波振动的共振装置（１５）；导热弹性体（１７ａ），其放置于构成共振装置（１５）的主轴（１２）的表...

一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底１０上方形成第一多孔绝缘膜３８的步骤；形成第二绝缘膜４０的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜３８的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜４０将电子束、ＵＶ射线或者等离子体施加至该第一多孔绝...

一种微型开关元件，包括基础基板、连接到该基础基板的固定部、及包括固定到该固定部的固定端的活动部。该活动部由该固定部通过具有一对闭合端的狭槽围绕。该活动部包括第一表面和第二表面。该第一表面朝向该基础基板，并且该第二表面与该第一表面相对。该...

本发明涉及半导体器件及制造方法、器件形成基片和布线连接测试法。半导体器件包括：基片；形成于基片上的半导体元件；和布线连接测试结构，该布线连接测试结构形成于基片上，并且包括电子束照射区域，电子束照射所述电子束照射区域以测试布线连接。布线连...

半导体器件，包括：第一电路，其中扩散区域Ａ１、第一栅极Ｇ１、扩散区域Ａ２、第二栅极Ｇ２和扩散区域Ａ３构成两个晶体管；以及第二电路，其中扩散区域Ｂ１、第一栅极Ｇ１、扩散区域Ｂ２、第二栅极Ｇ２和扩散区域Ｂ３构成两个晶体管。连接所述扩散区域Ａ...

ＲＦＩＤ标签及其制造方法。本发明提供了一种射频识别（ＲＦＩＤ）标签，该ＲＦＩＤ标签包括：基片；设置在所述基片上的通信用天线；以及通过凸块连接到所述天线上的电路芯片，所述电路芯片通过所述天线执行无线通信，其中所述天线由树脂材料和用于向该树...

ＲＦＩＤ标签及其制造方法。本发明提供了一种射频识别（ＲＦＩＤ）标签，该ＲＦＩＤ标签包括：基片；设置在所述基片上的通信用天线；通过凸块连接到所述天线上的电路芯片，所述电路芯片通过所述天线执行无线通信，其中所述天线由金属填料与树脂材料混合而...

本发明涉及在基板上设置有半导体元件和其他电子部件、且具有与半导体元件热连接的盖的半导体装置，该半导体装置具有：封装基板；半导体元件；芯片部件，其与半导体元件一起搭载在封装基板上；盖，其与封装基板对置地进行设置，对半导体元件的热进行散热；...

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：支撑基底，上面放置电极端子；中间部件，安装在所述支撑基底上；半导体元件，所述半导体元件的一部分由所述中间部件支撑，并放置在所述支撑基底上；以及凸起形部件，与所述半导体元件的电极端子...

一种半导体零件，它具有：一主芯片体；以及一蒸发成型的和包覆主芯片体的保护层。还提供了制造集成电路芯片的方法。

本发明提供铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置。铁磁隧道结元件为电阻随施加的磁场而变化的磁阻效应元件。该铁磁隧道结元件包括：钉扎层，其中保持至少部分磁化方向；以及形成在该钉扎层上的绝缘层，该绝缘层创建电子能够通过隧道效应流过的能量...