本发明提供显示单元制造方法和显示单元。根据实施方式的一方面，一种用于制造显示单元的显示单元制造方法包括以下步骤：形成第一树脂膜，该第一树脂膜具有位于该第一树脂膜的一个表面上的第一电极端子和第一导电膜；形成第二树脂膜，该第二树脂膜具有位于...

本发明涉及电子装置及其制造方法。该电子装置包括：基片；形成在所述基片上的导电图案；安装在所述基片上并连接到所述导电图案的电路芯片；以及设置在所述基片的正面和背面的至少其中之一上以与所述导电图案的至少一部分交叠的多个凸起。所述多个凸起沿远...

通过部分重叠二个相邻单元，使它们具有与导线连接以提供功率的共用端区，而增加根据标准单元法设计的ＬＳＩ的封装密度．为此，沿单元行方向的侧面端区图形，其形状，尺寸和在每个单元中的位置都被标准化，并存贮在一个ＣＡＤ系统的单元库里．同时还存贮进...

具有高比例的高ＴＣ相（分别是１１０Ｋ和约１２５Ｋ或更高）的Ｂｉ－Ｐｂ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ系和Ｔ１－Ｐｂ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ系的超导体已获得，这是通过加入形成ＣａＯ的钙化合物和一个液相在用于焙烧超导体，例如Ｃａ－［２］ＰｂＯＸ（Ｘ＝３或４）...

本发明提供了一种多层超导电路衬底，它包括绝缘层和位于绝缘层之间的超导陶瓷材料的内连接模块，借助于超导陶瓷材料通孔将超导陶瓷材料模块连通。超导陶瓷材料的模块最好用金、银、铂及其合金封装。

汽相淀积金刚石的方法：在热等离子体化学汽相淀积装置的阴耻极之间通入放电气的同时进行电弧放电；通过向形成的等离子流加入态碳化物使气态碳化合物自由基化；以及使所述的自由基化的等离子流碰撞特处理的基片，从而在所述基片上形成一层金刚石膜。

为了清洗半导体衬底表面将半导体衬底浸在具有降低了溶解氧浓度并被加热到温度高于６０℃的纯水中，并在保持纯水中溶解氧浓度的气氛中以腐蚀掉半导体衬底表面上的氧化膜。根据本发明，可有效地清除沾污和残留化学试剂而不增加任何化学处理步骤。该清洗可有...

一种丝焊方法，包括：第一焊接工序，用来在金属丝中形成第一球形部分并把第一球形部分焊到第一被连接件上；球形部分形成工序，用来引导金属丝离开其被焊到内引线上的位置从而形成一预定的环，以及第二焊接工序，用于在金属丝的预定位置中形成第二球形部分...

一种制作半导体器件的方法包括用ＭＯＶＰＥ工艺沉积具有第一导电类型的第一化合物半导体层（１４，２５）的步骤、采用由于气体掺杂剂的分解实施的平面掺杂工艺使第一化合物半导体层（１５，１６）的表面掺杂成同样的第一导电类型，这样在平面掺杂工艺期间...

一个光学模块包括支承衬底（２１）、一个在该支承衬底上的光波导（２２）、一个在该支承衬底上的光电接收器件（２０，３０）、一个用于把由该光波导引导的一个光束的光路从第一光路变换到通向上述光电接收器件的一个光电探测区的第二光路的光路变换部件（...

一种元件，它包含以下部分：芯片（１１１）；封装芯片的树脂封壳（１１２，１５１，３１４），该树脂封壳的安装面上设有树脂凸部（１１７，１５４，３１８）。树脂凸部上设有相应的金属膜（１１３，１５５，３１５）。芯片电极焊盘与金属膜由连接部分（１...

在具有第一导电类型的沟道、源和漏区的化合物半导体层内设置减少了延迟变动的场效应晶体管。在上述的区域上分别形成栅、源和漏电极。特别是栅电极设有在与所述源和漏区的相对方向交叉的方向上延伸的伸出部分，并从沟道区伸出。在该化合物半导体层中，形成...

一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Ｍｎ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｍｎ↓［３］Ｏ↓［４］及其混合物的组分。此外，还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。

具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极１２的多个半导体器件１１的衬底１６装设到模具２０的空腔２８内，接着向突出电极１２的配设位置供给树脂３５密封突出电极１２，形成树脂层１３；突出电极露出工序，用于使已被树脂层１３覆盖的...

在一支承衬底的主表面上形成一缓冲层。该缓冲层主要由从ＣｏＦｅ、钴和铜中选取的一种物质构成的缓冲层。在所述缓冲层之上形成一个多层ＧＭＲ层，后者具有一种叠层结构，这种结构是通过磁性层和非磁性层的交互层叠而获得的。所述非磁性层由铜构成，所述磁...

提供一种隧道结结构。第一磁性层形成于支撑衬底上。隧道绝缘层设置于第一磁性层上，隧道绝缘层含作为其一种组分的金属元素。第二磁性层设置于隧道绝缘层上。防止扩散层设置于第一磁性层和隧道绝缘层之间。防止扩散层抑制第一磁性层中的金属原子与隧道绝缘...

一种把模拟数据转变为用于测试集成电路的测试数据的方法，它包括检测模拟数据的状态转变的步骤，响应该转变，从模拟数据中抽取事件的步骤，及响应该事件，产生测试数据的步骤。

半导体器件（２０）的接触器（１０Ａ），包括用于保持带有许多端子（２１）的半导体器件的底座部件（１２Ａ）和带有至少与一些端子对应的接触电极（１４）的布线基板（１１Ａ）。在布线基板被吸在底座部件上时接触电极和端子电连接。在底座部件和布线基板...

晶片级封装，电路形成区域包括提供有测试芯片端子和非测试芯片端子的半导体芯片；至少一个外部连接端子，至少一个再分布导电条；至少一个测试构件，以及绝缘材料。再分布导电条）的第一端连接到一个测试芯片端子，第二端延伸到与其中一个芯片端子偏移的位...

场绝缘膜确定以二维规则安置在半导体衬底表面上的多个有源区。各有源区包括一个位接触区和沿四个方向从位接触区伸出的辅助有源区。分别制作多个彼此相交的作为一个整体在半导体衬底上沿第一方向和第二方向延伸的第一字线和第二字线。二个辅助有源区与第一...