【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使用III-V族化合物半导体的场效应晶体管，更详细地说，涉及一种适于逻辑电路结构的场效应晶体管。在近来的数据处理领域中，很需要能进行更快速的逻辑运行的器件。已在进行关于以使用化合物半导体(例如，GaAs等)的场效应晶体管来代替硅器件的可行性的研究。在用于如手持电话的放大器的化合物半导体器件(例如，微波级场效应晶体管和HEMT等)的情况下，逻辑部分的进一步集成需要使用化合物半导体的逻辑级场效应晶体管。附图说明图1是说明使用化合物半导体的常规场效应晶体管的一个图；A部分表示平面图，B部分表示沿XX-XX线穿过A部分取的一个截面图。在该图中，101表示化合物半导体层，在该说明中，该层由半绝缘GaAs构成。顺便说说，化合物半导体层101有时是指在由化合物半导体构成的衬底上形成的层，在另一些场合下是指构成化合物半导体衬底本身的层。102表示已在其中引入p型杂质的阱区。103表示已在其中引入n型杂质的沟道区。104表示已在其中以高于沟道区的浓度引入n型杂质的LDD区。105表示源区和106表示漏区，这两者已在其中以高于LDD区104的浓度引入n型杂质。...
【技术保护点】
一种场效应晶体管，包括： 化合物半导体层； 在所述化合物半导体层中形成的第一导电类型的沟道区； 在所述化合物半导体层中形成的、在所述沟道区两侧彼此相对的所述第一导电类型的源和漏区； 在所述沟道区上形成的栅电极，其在与所述源和漏区的相对方向交叉的方向上延伸，并设有从所述沟道区延伸出的伸出部分； 电连接到所述源和漏区的源和漏电极；以及 与所述第一导电类型相反的第二导电类型的阱区，其在所述化合物半导体层内形成，适宜于将所述沟道区、所述源和漏区以及所述栅电极的伸出部分包围于其中，并且该阱区形成于比所述沟道区及所述源和漏区深的深度内。
【技术特征摘要】
JP 1996-6-4 141848/961.一种场效应晶体管，包括化合物半导体层；在所述化合物半导体层中形成的第一导电类型的沟道区；在所述化合物半导体层中形成的、在所述沟道区两侧彼此相对的所述第一导电类型的源和漏区；在所述沟道区上形成的栅电极，其在与所述源和漏区的相对方向交叉的方向上延伸，并设有从所述沟道区延伸出的伸出部分；电连接到所述源和漏区的源和漏电极；以及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的阱区，其在所述化合物半导体层内形成，适宜于将所述沟道区、所述源和漏区以及所述栅电极的伸出部分包围于其中，并且该阱区形成于比所述沟道区及所述源和漏区深的深度内。2.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述栅电极设有其宽度大于所述栅电极的宽度的栅极压焊区部分。3.按照权利要求2的场效应晶体管，其中所述阱区形成为将所述栅极压焊区部分围住。4.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述源和漏电极具有从所述源和漏区伸出的伸出部分，所述阱区形成为将所述伸出部分围入于其中。5.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述栅电极的伸出部分从所述沟道区边界伸出不小于0.5微米。6.按照权利要求4的场效应晶体管，其中在所述阱区的边界与所述沟道区、所述源和漏区以及所述栅电极的伸出部分的区域之间的距离不小于0.3微米。7.按照权利要求6的场效应晶体管，其中所述距离为大于0.3微米加上掩模对准容差的总和。8.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述化合物半导体层在半绝缘化合物半导体衬底上形成。9.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述阱区是p型的和所述沟道、源和漏区是n型的。10.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述阱区是n型的和所述沟道、源和漏区是p型的。11.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述阱区具有连接于其上的、用于赋予规定电位的电位-赋予电极。12.按照权利要求11的场效应晶体管，其中连接所述电位赋予电极的区域已在其中以高于所述阱区的浓度引入所述第二导电类型的杂质。13.按照权利要求11的场效应晶体管，其中将所述赋予规定电位的电极连接到地电位。14.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述沟道区具有两个LDD区，其中一个在所述源电极和所述栅电极之间形成，其中另一个在所述漏电极和所述栅电极之间形成，所述LDD区已在其中引入所述第一导电类型的杂质，其杂质浓度高于在所述栅电极的正下方的沟道区内的杂质浓度，而低于在所述源和漏区内的杂质浓度。15.按照权利要求1的场效应晶体管，其中所述阱区在其周边设有元件隔离区，该区的导电类型与所述阱区相同，其浓度高于阱区。16.一种半导体集成电路装置，其特征在于已在一个化合物半导体层内集成了多个各包括以下在a)-e)中示出的组成部分的场效应晶体管a)在所述化合物半导体层中形成的第一导电类型的沟道区；b)在所述化合物半导体层中形成的、在所述沟道区两侧彼此相对的所述第一导电类型的源和漏区；c)在所...
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