制造场效应晶体管的方法技术

本发明专利技术提出一种制造场效应晶体管的方法，在该方法中，生长一半导体薄层序列，在其上淀积一介质钝化层，并且使此钝化层结构化以形成源、栅和漏区。通过多次蒸发淀积和多次ＲＩＥ腐蚀过程、同时借助辅助层和钝化层侧壁上的侧墙，以较简单的方法，得到平面化的耐高温金属化的源、栅和漏的接触并最后淀积引线金属化层。另一实施方案是把钝化层制成多层结构，使有可能进一步减小电极间的寄生电容。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，在这种晶体管中，为源和漏的欧姆接触以及栅的肖特基(Schottky)接触淀积同一金属化层。在场效应晶体管(例如MESFET，HEMT)中，栅极应尽可能地靠近源。源-金属化层在半导体材料上形成欧姆接触(是半导体与金属之间的一种导电过渡区)。栅的金属化层形成肖特基接触(即金属电极与半导体材料之间在某个电流方向起阻挡作用的一种过渡区)。因此，一般讲栅金属与源和漏所用的欧姆金属要分开淀积。通过对这三个电极的两种金属的套合，会形成由光刻技术套合精度造成的定位公差，从而形成晶体管电学参数的分散。对于合金欧姆接触，用所谓的DIOM技术(DIOM＝DoubleImplantation One Metallization两次注入一次金属化)，即为了进行一次锗注入和一次公共的金属化，采用两步光刻工艺。正如在专利EP0034729 B1中对此技术已有所叙述的那样。在这种DIOM技术的另一方案中，用一步光刻工艺结合原位的再次薄层蒸发也可满足要求。在专利DE 42 19 935描述过的这种方法中，首先在源、栅和漏的区域内有开孔的掩膜上适当倾斜蒸发锗用于制造源和漏的接触，以使能够制造源本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造场效应晶体管的方法，在该方法中实施下列工艺步骤：ａ）在半导体材料衬底（１）上，至少生成一半导体材料沟道层（２）、一势垒层（３）和适于同一种金属形成低欧姆电阻的一半导体材料欧姆接触层（６）；ｂ）覆盖一钝化层（８），该钝化层在要制造 栅的区域内有开孔（９）；ｃ）实现各向异性地淀积一辅助层（１０），并且淀积时对半导体层倾斜入射至这样的程度，使在钝化层中这个开孔区域内的欧姆接触层的半导体材料上侧，由这种辅助层（１０）的材料留出空白；ｄ）采用此辅助层（１０）作为掩膜， 将半导体材料向下腐蚀直至势垒层（３）；ｅ）去除该辅助层；ｆ）通过整个表面均匀淀积另一辅助层和随后对其进行...

【技术特征摘要】
DE 1996-8-6 19631744.41.制造场效应晶体管的方法，在该方法中实施下列工艺步骤a)在半导体材料衬底(1)上，至少生成一半导体材料沟道层(2)、一势垒层(3)和适于同一种金属形成低欧姆电阻的一半导体材料欧姆接触层(6)；b)覆盖一钝化层(8)，该钝化层在要制造栅的区域内有开孔(9)；c)实现各向异性地淀积一辅助层(10)，并且淀积时对半导体层倾斜入射至这样的程度，使在钝化层中这个开孔区域内的欧姆接触层的半导体材料上侧，由这种辅助层(10)的材料留出空白；d)采用此辅助层(10)作为掩膜，将半导体材料向下腐蚀直至势垒层(3)；e)去除该辅助层；f)通过整个表面均匀淀积另一辅助层和随后对其进行各向异性反腐蚀，在钝化层(8)的侧壁制造侧墙(11，12)；g)整个表面淀积一耐高温(难熔的)金属化层(13)；h)对此金属化层大体上平面化地反腐蚀，保留余下隔开的源、栅和漏的接触，以及i)这些接触覆盖上一引线金属化层(14)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在工艺步骤b中，作为薄层序列的钝化层(8)由淀积介质层(80)和至少一个金属层(81，82)组成，而在工艺步骤i中，在淀积引线金属化层(14)之后，钝化层的那一层或那些层金属被去除。3.根据权利要求2所述方法，其中钝化层(8)制成由氮化硅(80)、钛(81)和铝(82)组成的薄层序列。4.根据权利要求1所述方法，其中在工艺步骤b中，钝化层(8)是由淀积一介质层(80)和一聚酰亚胺...

【专利技术属性】
技术研发人员：D列斯托，A梅斯基特屈斯特斯，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]