化合物半导体装置的制造方法制造方法及图纸

在化合物半导体装置中，在接点电极之下，为了安全，在最终工序之前，留有硅氮化膜，但有以下缺点，由于基板和硅氮化膜坚硬，接合时硅氮化膜易开裂。本发明专利技术在接点电极及配线层之下或周端部之下，设置高浓度区域，除去接点电极下的氮化膜。即使利用高浓度区域除去氮化膜，也能确保规定的隔离水平，所以，可以省略用于防止开裂的镀金工序。另外，可以缩小各接点和配电层的间隔距离，实现芯片缩小。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种采用GaAs基板的。
技术介绍
在移动电话等移动用通讯设备中，经常使用GHz频带的微波，在天线切换电路和接、发信号的切换电路等中，经常采用用于切换这些高频信号的开关元件(例如，特开平9-181642号)。作为这些元件，由于要处理高频率，经常使用采用镓、砷(GaAs)的场效应晶体管(以下称作FET)，随之推进了将所述开关电路自身集成化的单片微波集成电路(MMIC)的开发。图11(A)是表示GaAs FET的断面图，在纯GaAs基板31的表面部分，渗透n型杂质，形成n型沟道区域32，在沟道区域32表面配置有肖特基接触的栅极33，栅极33的两边，配置有与GaAs表面进行电阻接触的源极、漏极34、35。该晶体管利用栅极33的电位，在正下方的沟道区域32内形成耗尽层，进而控制源极34及漏极35之间的沟道电流。图11(B)是表示采用GaAs FET的称为SPDT(单极双掷)的化合物半导体开关电路装置的原理性电路图。第一和第二FET1、FET2的源极(或漏极)与共同输入端子IN连接，各FET1、FET2的栅极通过电阻R1、R2与第一和第二控制端子CTL-1、C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序： 在向一导电型的外延生长层附着形成栅极的栅格金属层的工序之前，在预定的接点区域下的外延生长层表面，形成一导电型高浓度区域； 形成和所述高浓度区域邻接的绝缘层； 在所述高浓度区域上附着所述栅格金属层，形成第一接点电极； 在所述第一接点电极上附着接点金属层，形成第二接点电极； 在所述第二接点电极上压装接合线。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-18 182687/011.一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序在向一导电型的外延生长层附着形成栅极的栅格金属层的工序之前，在预定的接点区域下的外延生长层表面，形成一导电型高浓度区域；形成和所述高浓度区域邻接的绝缘层；在所述高浓度区域上附着所述栅格金属层，形成第一接点电极；在所述第一接点电极上附着接点金属层，形成第二接点电极；在所述第二接点电极上压装接合线。2.一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序在向一导电型的外延生长层附着形成栅极的栅格金属层的工序之前，在预定的接点区域下及预定的配线层下的外延生长层表面，形成一导电型高浓度区域；在所述邻接的高浓度区域之间形成绝缘层；在所述高浓度区域上附着所述栅格金属层，形成第一接点电极及配线层；在所述第一接点电极上附着接点金属层，形成第二接点电极；在所述第二接点电极上压装接合线。3.一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序在GaAs基板上层积缓冲层与一导电型外延生长层，设置源极及漏极区域，与由所述一导电型外延生长层形成的沟道层邻接，形成FET的沟道区域，同时在预定的接点区域下形成高浓度区域；在除去所述沟道区域及所述高浓度区域的整个面上形成绝缘层；在所述源极及漏极区域，附着作为第一层电极的电阻金属层，形成第一源极及第一漏极；在所述沟道层及所述高浓度区域上，附着作为第二层电极的栅格金属层，形成栅极及第一接点电极；在所述第一源极及第一漏极和第一接点电极上，作为第三层电极附着接点金属层，形成第二源极及第二漏极和第二接点电极；在所述第二接点电极上压装接合线。4.一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序在GaAs基板上层积缓冲层与一导电型外延生长层，设置源极及漏极区域，与由所述一导电型外延生长层形成的沟道层邻接，形成FET的沟道区域，同时在预定的接点区域下及预定的配线层下，形成高浓度区...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅野哲郎，榊原干人，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]