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在化合物半导体装置中，在接点电极之下，为了安全，在最终工序之前，留有硅氮化膜，但有以下缺点，由于基板和硅氮化膜坚硬，接合时硅氮化膜易开裂。本发明在接点电极及配线层之下或周端部之下，设置高浓度区域，除去接点电极下的氮化膜。即使利用高浓度区域除...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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