凸块底缓冲金属结构制造技术

一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构至少具有一金属层及一缓冲金属结构，此缓冲金属结构能够减轻或减缓金属层与焊料凸块结合时产生介金属化合物的电气、机械特性的负面效应。其中，金属层配置于芯片的焊垫上，其组成成分例如为铜、铝、镍、银或金等可与锡发生化学反应的金属，而缓冲金属结构则配置于金属层及焊料凸块之间，用以减少金属层及焊料凸块之间生成介金属化合物的可能性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可配置于芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间的凸块底缓冲金属结构(Under Bump Metallurgy，UBM)，且特别是有关于一种可配置于芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，用以减轻或减缓介金属化合物(Inter-Metallic Compound，IMC)生成的凸块底缓冲金属结构。请参考附图说明图1，其为现有的一种球底金属层，其配置于一芯片的焊垫及一凸块之间的剖面示意图。芯片10具有一主动表面12、一保护层14(passivation)及多个焊垫16(仅绘示其中之一)，而保护层14及焊垫16均配置于芯片10的主动表面12，且保护层14则暴露出焊垫16，并位于芯片10的主动表面12上方，其中芯片10的主动表面12泛指芯片10的具有主动组件(active device)的一面。此外，芯片10的焊垫16上还配置有一凸块底金属层100，用以作为焊垫16及焊料凸块18之间接合用的界面。请同样参考图1，凸块底金属层100主要是由黏着层102(adhesionlayer)、阻障层104(barrier layer)及沾附层106(wettable layer)等多层金属层所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间，其特征在于：该焊料凸块的主要成分为锡铅合金，该凸块底缓冲金属结构包括： 一金属层，配置在该焊垫上；以及 一缓冲金属结构，配置在该金属层及该焊料凸块之间，用以减少该金属层与该焊料凸块之间生成介金属化合物。

【技术特征摘要】
1.一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间，其特征在于该焊料凸块的主要成分为锡铅合金，该凸块底缓冲金属结构包括一金属层，配置在该焊垫上；以及一缓冲金属结构，配置在该金属层及该焊料凸块之间，用以减少该金属层与该焊料凸块之间生成介金属化合物。2.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于该缓冲金属结构的熔点高于该焊料凸块的熔点，且该缓冲金属结构具有沾附性。3.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于该缓冲金属结构包括一缓冲金属层，其配置在该金属层及该焊料凸块之间。4.如权利要求3所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于该缓冲金属层包括一铅层，其配置在该金属层及该焊料凸块之间。5.如权利要求3所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于该缓冲金属层包括一铅层及一锡层，该铅层配置在该金属层上，该锡层配置在该铅层及该焊料凸块之间。6.如权利要求3所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于该缓冲金属层包括一第一铅层、一锡层及一第二铅层，该第一铅层配置在该金属层上，且该锡层配置在该第一铅层上，并且该第二铅层配置在该锡层及该焊料凸块之间。7.如权利要求1所述的凸块底缓冲金属结构，其特征在于该缓冲金属结构包括一微型凸块，其配置在该金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫振越，何昆耀，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]