在用于功率放大器的深度亚微米金属氧化物半导体中的组合的晶体管-电容器结构制造技术

一种组合的晶体管和电容器结构，包括这样一个晶体管，它具有被形成在半导体材料的基底上的交替的源极区和漏极区、和被形成在晶体管上的电容器。电容器具有被排列成垂直的行的导电的平行线的至少第一和第二层，和至少一个连接在每行中的线的第一和第二层的通道，由此形成垂直的电容器板的平行阵列。介质材料被放置在阵列的垂直板之间。电容器板的垂直阵列被电连接到晶体管的交替的源极区和漏极区，它们形成电容器的相对的节点并且导电地交叉连接电容器板的垂直阵列。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在金属氧化物半导体(MOS)结构中的晶体管和电容器，具体地，涉及深度亚微米互补MOS(CMOS)中的组合的多指功率晶体管和交指型多层(IM)电容器结构，其中源极和漏极导电线在多个层上通过通道被互联，以便构建交指型垂直电容器板的平行阵列。在E类功率放大器中的功率晶体管作为开关来运行，按照所需想要的运行频率周期地接通和关断。这样的放大器在晶体管的输出端处需要有并联的电容(Cp)，以便整形电压和电流波形。参阅F.Raab的″Idealized Operation of the Class E Tuned Power Amplifier(E类调谐功率放大器的理想化运行)″，IEEE Trans.Circuits andSystems，Vol.CAS-24，No.12，December1977，pp.735-735.附图说明图1A显示E类功率放大器中典型的N沟道(NMOS)功率晶体管10的简化截面图。该晶体管是一种“多指”器件，具有被扩散到P-半导体基底11(诸如硅)中的多个N+区域12，这些区域12形成交替的源极区和漏极区。由诸如二氧化硅(在硅基底的情况下)的绝缘材料形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合的晶体管和电容器结构（２０），包括： 晶体管（２１），具有被形成在半导体材料的基底（２２）上的交替的源极区和漏极区（２４，２５）；以及 电容器（３０），被形成在该晶体管（２１）上，该电容（３０）具有： 至少第一和第二层（Ｌ１，Ｌ２）的导电的平行线（３１），该层（Ｌ１，Ｌ２）上的线（３１）被排列成垂直的行（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）； 至少一个通道（３５），被连接到每行（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）中的线（３１）的第一和第二层（Ｌ１，Ｌ２），由此形成垂直电容板的平行阵列；以及 介质材料（３２，３３，３４，３７），被放置在阵列的垂直板之间； 其中电容板（３６）...

【技术特征摘要】
US 2000-4-4 09/542,7111.一种组合的晶体管和电容器结构(20)，包括晶体管(21)，具有被形成在半导体材料的基底(22)上的交替的源极区和漏极区(24，25)；以及电容器(30)，被形成在该晶体管(21)上，该电容(30)具有至少第一和第二层(L1，L2)的导电的平行线(31)，该层(L1，L2)上的线(31)被排列成垂直的行(R1，R2，R3，R4)；至少一个通道(35)，被连接到每行(R1，R2，R3，R4)中的线(31)的第一和第二层(L1，L2)，由此形成垂直电容板的平行阵列；以及介质材料(32，33，34，37)，被放置在阵列的垂直板之间；其中电容板(36)的垂直阵列被电连接到晶体管(21)的交替的源极区和漏极区(24，25)，源极区和漏极区(24，25)形成电容器(30)的相对的节点，由此导电地交叉连接电容器板(36)的垂直阵列。2.权利要求1的组合的晶体管和电容器结构(20)，其中导电线(31)包括金属。3.权利要求1的组合的晶体管和电容器结构(20)，其中导电线(31)包括多晶硅。4.权利要求1的组合的晶体管和电容器结构(20)，其中介质材料(32，33，34，37)包括二氧化硅。5.权利要求1的组合的晶体管和电容器结构(20)，还包括导电的平行线(31)的至少第三层(L3)，以垂直地延伸这...

【专利技术属性】
技术研发人员：V瓦图尔亚，T索拉蒂，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]