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在用于功率放大器的深度亚微米金属氧化物半导体中的组合的晶体管-电容器结构制造技术
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下载在用于功率放大器的深度亚微米金属氧化物半导体中的组合的晶体管-电容器结构的技术资料
文档序号:3215095
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一种组合的晶体管和电容器结构,包括这样一个晶体管,它具有被形成在半导体材料的基底上的交替的源极区和漏极区、和被形成在晶体管上的电容器。电容器具有被排列成垂直的行的导电的平行线的至少第一和第二层,和至少一个连接在每行中的线的第一和第二层的通道...
该专利属于皇家菲利浦电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过皇家菲利浦电子有限公司授权不得商用。
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