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本发明提出一种制造场效应晶体管的方法，在该方法中，生长一半导体薄层序列，在其上淀积一介质钝化层，并且使此钝化层结构化以形成源、栅和漏区。通过多次蒸发淀积和多次ＲＩＥ腐蚀过程、同时借助辅助层和钝化层侧壁上的侧墙，以较简单的方法，得到平面化的耐...
该专利属于西门子公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司授权不得商用。

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