【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到多孔结构暴露于其表面的衬底的清洗方法，更确切地说是涉及到适合于清洗用于半导体选择腐蚀或介电隔离或用作发光材料的多孔硅半导体衬底的多孔表面的清洗方法，这种表面要求极严格地控制其表面清洁度。本专利技术也涉及一种清洗半导体表面的方法。A.Uhlir在1956年提出了制作以多孔硅为代表的多孔结构的方法(Bell Syst.Tech.J.，35，pp333)。此后发展了各种应用技术，包括其作为选择性腐蚀层或作为氧化后的隔离层的应用、多孔硅上的外延生长等等。本申请人在日本专利申请5-21338中公布采用外延生长于多孔硅上的单晶硅薄膜制作了一个SOI(绝缘体上的硅)结构。最近几年发现了多孔硅的发光现象，于是作为一种不仅利用其结构特性而且利用其物理性质的自辐射材料，多孔硅受到了注意。制作多孔硅的通用方法是用常规电化学电池结构在氢氟酸/纯水/乙醇的混合电解液中进行阳极氧化。由于此多孔硅上附着许多尘埃颗粒，故最好在多孔硅上进行外延生长之前，用清洗方法将尘埃颗粒清除掉。常规的清洗仅仅是用纯水冲洗孔中的电解液。即使到现在也还没有提出表面的有效清洗的方法。众所周知，在...
【技术保护点】
一种用来清洗至少在其表面带有多孔结构的衬底的多孔表面的多孔表面清洗方法， 其中用来清除附着于上述衬底的多孔表面的尘埃颗粒的清洗，用其上叠加有频率在６００ＫＨｚ－２ＭＨｚ范围内的高频波的纯水来进行。
【技术特征摘要】
JP 1996-6-5 142836/96;JP 1996-6-5 142837/96;JP 1991.一种用来清洗至少在其表面带有多孔结构的衬底的多孔表面的多孔表面清洗方法，其中用来清除附着于上述衬底的多孔表面的尘埃颗粒的清洗，用其上叠加有频率在600KHz-2MHz范围内的高频波的纯水来进行。2.根据权利要求1的多孔表面的清洗方法，其中待要清洗的衬底的表面的结构使许多孔的孔隙暴露，而孔的内壁表面的结构使多孔结构的材料暴露或被不同种类的材料覆盖。3.根据权利要求1或2的多孔表面的清洗方法，其中的清洗借助于将上述衬底浸入纯水浴中并在其上叠加上述高频波而产生。4.根据权利要求3的多孔表面的清洗方法，其中借助于平行于浸在上述纯水浴中的衬底的多孔表面叠加上述高频波而产生清洗。5.根据权利要求3的多孔表面的清洗方法，其中所述的在高频清洗下浸于上述纯水浴中的衬底被间歇地提出液体。6.根据权利要求4的多孔表面的清洗方法，其中所述的在高频清洗下浸在上述纯水浴中的衬底被间歇地提出液体。7.根据权利要求1或权利要求2的多孔表面的清洗方法，其中的清洗借助于将纯水上叠加有高频波的纯水簇射吹向旋转着的该衬底的多孔表面而进行。8.一种衬底的清洗方法，其中用来清除附着于衬底表面的尘埃颗粒的清洗，用从其中排出溶解的气体直至溶解气体的浓度变成5ppm或更低且其上叠加有超声波的纯水来进行。9.根据权利要求1的多孔表面的清洗方法，其中所述的纯水是从其中排出溶解的气体直至溶解气体的浓度变成5ppm或更低的纯水。10.根据权利要求9的多孔表面的清洗方法，其中所述的衬底借助于将衬底浸在从其中排出溶解的气体直至溶解气体的浓度变成5ppm或更低且其上叠加有上述高频超声波的纯水的纯水浴中而被清洗。11.根据权利要求9的多孔表面的清洗方法，其中的清洗借助于将溶解的气体从其中排出直至溶解气体的浓度变成5ppm或更低且其上叠加有上述高频超声波的纯水簇射吹向旋转着的衬底的多孔表面而进行。12.根据权利要求1的多孔表面的清洗方法，其中所述的衬底的多孔表面被加工成亲水性的。13.一种用来清洗至少其表面内带有多孔结构的衬底的多孔表面的多孔表面清洗方法，其中用来清除附着于上述衬底的表面的尘埃颗粒的清洗，借助于将上述衬底的多孔表面加工成亲水性的并将频率在600KHz-2MHz范围内的高频超声波叠加于用来清洗多孔表面的液体上而进行。14.根据权利要求12或13的多孔表面的清洗方法，其中上述多孔表面的亲水工序是一个用来在衬底表面上和在多孔结构的孔的内壁上形成氧化膜的工序。15.根据权利要求12的多孔表面的清洗方法，其中上述多孔表面的亲水工序是一个用来将...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤山靖朋，云见日出也，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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